【PNP硅晶体管自动对焦BCX 78BCX 79q高电流增益q低集电极 - 发射极饱和电压q低噪音在1】,IC型号Q62702-C626,Q62702-C626 PDF资料,Q62702-C626经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PNP硅晶体管自动对焦

BCX 78

BCX 79

q

高电流增益

q

低集电极 - 发射极饱和电压

q

低噪音在1 kHz

q

低噪音低频率

q

互补类型： BCX 58 BCX 59 （ NPN ）

1

2

3

TYPE

BCX 78

BCX 78 -VII

BCX 78 -VIII

BCX 78 -IX

BCX 78 -X

BCX 79

BCX 79 -VII

BCX 79 -VIII

BCX 79 -IX

BCX 79 -X

记号

–

订购代码

Q62702-C717

Q62702-C626

Q62702-C627

Q62702-C628

Q62702-C629

Q62702-C718

Q62702-C630

Q62702-C631

Q62702-C632

Q62702-C633

引脚配置

1

2

3

C

B

E

包

1)

TO-92

1)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

半导体集团

1

5.91

BCX 78

BCX 79

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

峰值电流基地

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

结 - 壳

1)

R

日JA

R

日JC

≤

250

≤

160

符号

BCX 78

V

CE0

V

CB0

V

EB0

I

C

I

CM

I

BM

T

j

T

英镑

32

32

值

BCX 79

45

45

5

100

200

200

500

150

– 65 … + 150

单位

V

mA

总功耗，

T

C

= 70 C

P

合计

mW

C

K / W

1)

安装在铝散热片15毫米

×

25 mm

×

0.5 mm.

半导体集团

2

BCX 78

BCX 79

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 2毫安

BCX 78

BCX 79

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10

A

BCX 78

BCX 79

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 1

A

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 32 V

V

CB

= 45 V

V

CB

= 32 V,

T

A

= 150 C

V

CB

= 45 V,

T

A

= 150 C

BCX 78

BCX 79

BCX 78

BCX 79

I

CE0

–

–

I

EB0

h

FE

BCX 79七

BCX 79八

BCX 79 IX

BCX 79 X

BCX 79七

BCX 79八

BCX 79 IX

BCX 79 X

BCX 79七

BCX 79八

BCX 79 IX

BCX 79 X

20

30

40

100

120

180

250

380

40

45

60

60

140

200

270

340

170

250

350

500

–

–

–

–

–

–

–

–

220

310

460

630

–

–

–

–

–

–

–

–

20

20

20

nA

–

V

(BR)CE0

32

45

V

(BR)CB0

32

45

V

(BR)EB0

I

CB0

–

–

–

–

–

–

–

–

20

20

10

10

nA

nA

A

A

A

值

典型值。

马克斯。

单位

V

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

5

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 32 V,

V

BE

= 0.2 V ，T

A

= 100 C

V

CB

= 45 V,

V

BE

= 0.2 V ，T

A

= 100 C

发射Cuto FF电流

V

EB

= 4 V

直流电流增益

I

C

= 10

A,

V

CE

= 5 V

BCX 78七，

BCX 78八，

BCX 78九，

BCX 78 X，

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

BCX 78七，

BCX 78八，

BCX 78九，

BCX 78 X，

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V

1)

BCX 78七，

BCX 78八，

BCX 78九，

BCX 78 X，

1)

脉冲测试：

t

≤

300

s,

D

≤

2 %.

半导体集团

3

BCX 78

BCX 79

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 100毫安，

I

B

= 2.5毫安

基射极饱和电压

1)

I

C

= 100毫安，

I

B

= 2.5毫安

基射极电压

I

C

= 10

A,

V

CE

= 5 V

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V

1)

V

CESAT

V

BESAT

V

BE（上）

–

0.55

–

0.52

0.65

0.93

–

0.75

–

–

–

–

–

0.6

1.0

V

值

典型值。

马克斯。

单位

1)

脉冲测试：

t

≤

300

s,

D

≤

2 %.

半导体集团

4

BCX 78

BCX 79

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

AC特性

跃迁频率

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

输出电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

输入电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

短路输入阻抗

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

BCX 78七，

BCX 78八，

BCX 78九，

BCX 78 X，

f

T

C

敖包

C

IBO

h

11e

BCX 79七

BCX 79八

BCX 79 IX

BCX 79 X

h

12e

–

–

–

–

h

21e

–

–

–

–

h

22e

BCX 79七

BCX 79八

BCX 79 IX

BCX 79 X

F

–

–

–

–

–

18

24

30

50

2

–

–

–

–

–

dB

200

260

330

520

–

–

–

–

S

值

典型值。

马克斯。

单位

–

–

–

250

3

10

–

–

–

兆赫

pF

k

–

–

–

–

2.7

3.6

4.5

7.5

–

–

–

–

10

– 4

1.5

2

2

3

–

–

–

–

–

开路反向电压传输比

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

BCX 78七， BCX 79七

BCX 78八， BCX 79八

BCX 78九， BCX 79 IX

BCX 78 X， BCX 79 X

短路正向电流传输比

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

BCX 78七， BCX 79七

BCX 78八， BCX 79八

BCX 78九， BCX 79 IX

BCX 78 X， BCX 79 X

开路输出导纳

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

BCX 78七，

BCX 78八，

BCX 78九，

BCX 78 X，

噪声系数

I

C

= 0.2毫安，

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2 k

f

= 1千赫，

f

= 200赫兹

半导体集团

5

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电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

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