NPN硅晶体管自动对焦
公元前337
公元前338年
q
高电流增益
q
高集电极电流
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型：公元前327年，公元前328 （ PNP ）
2
1
3
TYPE
公元前337
公元前337-16
公元前337-25
公元前337-40
公元前338年
公元前338-16
公元前338-25
公元前338-40
记号
–
订购代码
Q62702-C313
Q62702-C313-V3
Q62702-C313-V1
Q62702-C313-V2
Q62702-C314
Q62702-C314-V1
Q62702-C314-V2
Q62702-C314-V3
引脚配置
1
2
3
C
B
E
包
1)
TO-92
1)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
半导体集团
1
5.91
公元前337
公元前338年
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
公元前337
公元前338年
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
公元前337
公元前338年
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 25 V
V
CB
= 45 V
V
CB
= 25 V,
T
A
= 150 C
V
CB
= 45 V,
T
A
= 150 C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4 V
直流电流增益
1)
I
C
= 100毫安;
V
CE
= 1 V
BC 16分之337 ; BC一十六分之三百三十八
BC二十五分之三百三十七; BC二十五分之三百三十八
BC四十○分之三百三十七; BC四十〇分之三百三十八
I
C
= 300毫安;
V
CE
= 1 V
BC 16分之337 ; BC一十六分之三百三十八
BC二十五分之三百三十七; BC二十五分之三百三十八
BC四十○分之三百三十七; BC四十〇分之三百三十八
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安;
I
B
= 50毫安
基射极饱和电压
I
C
= 500毫安;
I
B
= 50毫安
V
CESAT
V
BESAT
60
100
170
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.7
2
V
公元前338年
公元前337
公元前338年
公元前337
I
EB0
h
FE
100
160
250
160
250
350
250
400
630
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100
100
10
10
100
nA
nA
A
A
nA
–
V
(BR)CE0
45
25
V
(BR)CB0
50
30
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
1)
脉冲测试：
t
≤
300
s,
D
≤
2 %.
半导体集团
3
