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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Q型号页 > 首字符Q的型号第139页 > Q62702-C2595
BF 1009S
硅N沟道MOSFET四极管
对于低噪声，高增益控制
输入级高达1GHz
工作电压9V
集成的偏置网络
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
订购代码标识
Q62702-F1628
引脚配置
1=S
2=D
3 = G2
4 = G1
包
SOT-143
BF 1009S JLS
最大额定值
参数
漏源电压
符号
价值
12
25
10
3
200
-55 ...+150
150
单位
V
mA
V
mW
°C
V
DS
I
D
±
I
G1/2SM
+
V
G1SE
连续的漏电流
门1 /门2的峰值电流源
1号门（外部偏置）
总功耗，
T
S
≤
76 °C
储存温度
通道温度
P
合计
T
英镑
T
ch
热阻
道 - 焊接点
R
thChS
≤370
K / W
注意：
我们不建议在主动模式下使用外部直流电压的1号门。
半导体集团
半导体集团
1
1
Au
1998-11-01
-25-1998
BF 1009S
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
符号
值
参数
分钟。
DC特性
漏源击穿电压
典型值。
-
-
-
-
-
-
14
0.9
马克斯。
-
12
16
60
50
500
19
-
单位
V
（ BR ） DS
±
V
(BR)G1SS
±
V
(BR)G2SS
+I
G1SS
±
I
G2SS
16
8
10
-
-
-
10
-
V
I
D
= 300 μA ， -V
G1S
= 4 V, -
V
G2S
= 4 V
1号门源击穿电压
±
I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
=
V
DS
= 0
2号门源击穿电压
±
I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
1号门源电流
A
nA
A
mA
V
V
G1S
= 6 V,
V
G2S
= 0 V
2号门源漏电流
±
V
G2S
= 8 V,
V
G1S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
漏电流
I
DSS
I
DSO
V
G2S(p)
V
DS
= 9 V,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 6 V
工作电流（ selfbiased ）
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 V
2号门源夹断电压
V
DS
= 9 V,
I
D
= 100 A
AC特性
正向跨导（自偏置）
g
fs
C
g1ss
C
DSS
G
ps
F
800
G
ps
26
-
-
18
-
40
30
2.1
0.9
22
1.4
50
-
2.7
-
-
-
-
mS
pF
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 V,
f
= 1千赫
门1输入电容（自偏置）
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 V,
f
= 1兆赫
输出电容（自偏置）
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 V,
f
= 100兆赫
功率增益（自偏置）
dB
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 V,
f
= 800兆赫
噪声系数（自偏置）
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 6 V,
f
= 800兆赫
增益控制范围（自偏置）
V
DS
= 9 V,
V
G2S
= 1 V,
f
= 800兆赫
半导体集团
半导体集团
2
2
Au
1998-11-01
-25-1998
BF 1009S
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
漏电流
I
D
=
f
(V
G2S
)
300
15
mA
mW
12
11
P
合计
200
10
I
D
150
100
50
0
0
120
°C
9
8
7
6
5
4
3
2
1
20
40
60
80
100
150
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
6.0
T
S
V
G2S
插入功率增益
|
S
21
|
2
=
f
(V
G2S
)
正向转移导纳
|
Y
21
| =
f
(V
G2S
)
10
dB
28
mS
0
-5
24
22
20
| S
21
|
2
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
|Y
21
|
18
16
14
12
10
8
6
4
2
6.0
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
6.0
V
G2S
V
G2S
半导体集团
半导体集团
3
3
Au
1998-11-01
-25-1998
BF 1009S
1号门的输入电容
C
g1ss
=
f
(V
g2s
)
f
= 200MHz的
输出电容
C
DSS
=
f
(V
G2
)
f
= 200MHz的
3.0
pF
3.0
pF
2.4
2.2
2.4
2.2
C
g1ss
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
C
DSS
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
6.0
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
6.0
V
G2S
V
G2S
半导体集团
半导体集团
4
4
Au
1998-11-01
-25-1998
BCP 54M ... BCP 56M
NPN硅晶体管自动对焦
用于AF的驱动级和输出级
高集电极电流
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BCP 51M ... BCP 53M （ PNP ）
4
5
3
2
1
VPW05980
TYPE
BCP 54M
BCP 55M
BCP 56M
订购代码标识引脚配置
BAS
BES
BHS
Q62702 - C2595 1 = B
Q62702-C2606
Q62702-C2607
2=C
3=E
4北卡罗来纳州
5=C
包
SCT-595
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
符号
BCP BCP 54M 55M 56M BCP单位
45
45
5
60
60
5
80
100
5
V
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
≤
77 °C
结温
储存温度
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
1
1.5
100
200
1.7
150
-65...+150
mA
A
mA
W
°C
热阻
交界处的环境
1)
结 - 焊接点
R
thJA
R
thjs
≤98
≤43
K / W
1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 6厘米2铜
半导体集团
半导体集团
1
1
Au
1998-11-01
-11-1998
BCP 54M ... BCP 56M
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） CEO
BCP 54M
BCP 55M
BCP 56M
45
60
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
-
250
-
0.5
1
V
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
BCP 54M
BCP 55M
BCP 56M
45
60
100
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
发射极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CBO
h
FE
h
FE
h
FE
V
CESAT
V
BE（上）
5
-
-
25
40
25
-
-
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
nA
A
-
-
-
V
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
直流电流增益1 ）
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 2 V
直流电流增益1 ）
I
C
= 150毫安，
V
CE
= 2 V
直流电流增益1 ）
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
基极 - 发射极电压1）
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
AC特性
跃迁频率
f
T
-
100
-
兆赫
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
1 ）脉冲测试：吨
≤
300μS ，D = 2％
半导体集团
半导体集团
2
2
Au
1998-11-01
-11-1998
BCP 54M ... BCP 56M
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;T
S
)
*包装安装在环氧
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 2V
10
3
BCP 54 ... 56
EHP00268
2000
mW
h
FE
5
1600
1400
T
S
10
2
5
100 C
25 C
-50 C
P
合计
1200
1000
800
600
400
200
0
0
T
A
10
1
5
20
40
60
80
100
120
°C
150
10
0 0
10
10
1
10
2
T
A
,T
S
10
3
10毫安
4
Ι
C
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
2
10
3
R
thjs
10
1
P
totmax
/ P
totDC
K / W
-
10
2
10
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
-1 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
T
S
t
p
半导体集团
半导体集团
3
3
Au
1998-11-01
-11-1998
BCP 54M ... BCP 56M
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
f
(T
A
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CB
= 30V
10
4
BCP 54 ... 56
EHP00269
V
CE
= 10V
10
3
BCP 54 ... 56
EHP00267
Ι
CBO
nA
10
3
最大
f
T
兆赫
10
2
10
2
10
1
典型值
5
10
0
10
-1
0
50
100
C
150
10
1
10
0
10
1
10
2
mA
10
3
T
A
Ι
C
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
),
h
FE
= 10
BCP 54 ... 56
EHP00270
I
C
=
f
(V
CESAT
),
h
FE
= 10
BCP 54 ... 56
EHP00271
10
4
10
4
Ι
C
mA
10
3
100 C
25 C
-50 C
Ι
C
mA
10
3
10
2
10
2
100 C
25 C
-50 C
10
1
10
1
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
1.2
10
0
0
0.2
0.4
0.6
V
0.8
V
BESAT
V
CESAT
半导体集团
半导体集团
4
4
Au
1998-11-01
-11-1998
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Q5S12
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QGPK116FB
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Q67100-Q971
QEN05BDA
QEUM5150JN5016
QEUM5530HT1016
QEHC49H3150FN5016
Q5004L4V
Q67000-S28
Q62702-F1594
Q5025P
QM40-14PL-CF
QS74FCT193TSO
QEV4BH100JQ50
QD320-4
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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
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Q62702-C2595
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