【BC 817-16WNPN硅晶体管自动对焦对于一般自动对焦的应用高集电极电流高电流增益低集电极 - 】,IC型号Q62702-C2321,Q62702-C2321 PDF资料,Q62702-C2321经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BC 817-16W

NPN硅晶体管自动对焦

对于一般自动对焦的应用

高集电极电流

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

互补类型： BC807W ， BC808W （ PNP ）

TYPE

BC 817-16W

BC 817-25W

BC 817-40W

BC 818-16W

BC 818-25W

BC 818-40W

订购代码标识

6As

6Bs

6Cs

6Es

6Fs

6Gs

Q62702-C2320

Q62702-C2278

Q62702-C2321

Q62702-C2322

Q62702-C2323

Q62702-C2324

引脚配置

1=B

1=B

1=B

1=B

1=B

1=B

2=E

2=E

2=E

2=E

2=E

2=E

3=C

3=C

3=C

3=C

3=C

3=C

包

SOT-323

SOT-323

SOT-323

SOT-323

SOT-323

SOT-323

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

公元前817 W

公元前818 W

集电极 - 基极电压

公元前817 W

公元前818 W

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

总功耗，

T

S

= 130°C

结温

储存温度

热阻

交界处的环境

1)

符号

值

45

25

单位

V

V

首席执行官

V

CBO

50

30

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

j

T

英镑

R

thJA

R

thjs

1

5

500

1

100

250

150

- 65 ... + 150

≤

215

≤

80

mA

A

mA

mW

°C

K / W

结 - 焊接点

1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5厘米

2

Cu

半导体集团

Dec-19-1996

BC 817-16W

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） CEO

45

25

-

-

-

-

-

-

-

-

160

250

350

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

100

50

100

V

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0 ，公元前817 W

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0 ，公元前818 W

集电极 - 基极击穿电压

V

（ BR ） CBO

50

30

I

C

= 10 A,

I

B

= 0 ，公元前817 W

I

C

= 10 A,

I

B

= 0 ，公元前818 W

基极 - 发射极击穿电压

V

（ BR ） EBO

5

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

集电极 - 基极截止电流

I

CBO

-

-

nA

A

nA

-

-

100

160

250

60

100

170

250

400

630

-

-

-

V

-

0.7

1.2

V

CB

= 25 V,

T

A

= 25 °C

V

CB

= 25 V,

T

A

= 150 °C

发射Cuto FF电流

I

EBO

h

FE

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

直流电流增益

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 16 W

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 25瓦

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 40瓦

I

C

= 300毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 16 W

I

C

= 300毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 25瓦

I

C

= 300毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 40瓦

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

V

CESAT

V

BESAT

-

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

1 ）脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％

半导体集团

2

Dec-19-1996

BC 817-16W

NPN硅晶体管自动对焦

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

AC特性

跃迁频率

值

典型值。

马克斯。

单位

f

T

-

170

6

60

-

兆赫

pF

-

-

-

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

C

cb

C

eb

-

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

半导体集团

3

Dec-19-1996

BC 817-16W

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;T

S

)

*包装安装在环氧

允许的脉冲负载

R

thjs

=

F（T

p

)

300

10

3

K / W

mW

P

合计

200

T

S

R

thjs

10

2

150

T

A

10

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

100

10

0

50

0

0

20

40

60

80

100

120 °C 150

T

A

,T

S

10

-1

-6

10

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

s 10

t

p

-1

0

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

F（T

p

)

Collectot截止电流

I

CBO

=

f

(T

A

)

V

CB

= 60V

10

3

-

P

totmax

/P

totDC

10

2

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

1

10

0

-6

10

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

s 10

t

p

-1

0

半导体集团

4

Dec-19-1996

BC 817-16W

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

V

CE

= 1V

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

VCE = 5V

基射极饱和电压

I

C

= F（V

BESAT

),

h

FE

= 10

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= F（V

CESAT

),

h

FE

= 10

半导体集团

5

Dec-19-1996

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联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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联系人：刘先生

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