PNP硅晶体管自动对焦
BC 856W ... BC 860W
特点
q
对于AF输入级和驱动器应用
q
高电流增益
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
30 Hz至15 kHz的低噪音
q
互补类型：BC 847W ，BC 848W ，
BC 849W ， 850W BC （ NPN ）
TYPE
公元前856 AW
公元前856 BW
公元前857 AW
公元前857 BW
公元前857 CW
公元前858 AW
公元前858 BW
公元前858 CW
公元前859 AW
公元前859 BW
公元前859 CW
公元前860 BW
公元前860 CW
记号
3As
3Bs
3Es
3Fs
3Gs
3Js
3Ks
3Ls
4As
4Bs
4Cs
4Fs
4Gs
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-C2335
Q62702-C2292
Q62702-C2293
Q62702-C2294
Q62702-C2295
Q62702-C2296
Q62702-C2297
Q62702-C2298
Q62702-C2299
Q62702-C2300
Q62702-C2301
Q62702-C2302
Q62702-C2303
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-323
1)
为
详细信息，请参阅本章包装说明。
半导体集团
1
04.96
BC 856W ... BC 860W
最大额定值
描述
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗，
T
S
= 115 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
1)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
240
≤
105
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
BC 856W 857W BC BC 858W单位
BC 860W BC 859W
65
80
80
5
45
50
50
5
100
200
250
150
-65到150
30
30
30
5
V
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
K / W
K / W
半导体集团
2
BC 856W ... BC 860W
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
BC 856W
BC 857W ， 860W BC
BC 858W ， 859W BC
V
(BR)CE0
65
45
30
80
50
30
80
50
30
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
h
FE
–
–
–
125
220
420
V
CESAT
–
–
V
BESAT
–
–
V
BE（上）
600
–
650
–
750
820
700
850
–
–
75
250
300
650
140
250
480
180
290
520
–
–
–
250
475
800
mV
–
–
15
5
nA
A
–
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
集电极 - 基极击穿电压
V
(BR)CB0
I
C
= 10
A
BC 856W
BC 857W ， 860W BC
BC 858W ， 859W BC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10
A,
V
BE
= 0
BC 856W
BC 857W ， 860W BC
BC 858W ， 859W BC
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V,
T
A
= 150 C
直流电流增益
I
C
= 10
A,
V
CE
= 5 V
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
基射极电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
1)
脉冲
V
（ BR ） CES
测试：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
3
BC 856W ... BC 860W
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
输入电容
V
CB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
开路反向电压传输比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
短路正向电流传输比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
开路输出导纳
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
噪声系数
I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
f
= 30 Hz的... 15千赫
BC 859W
BC 860W
BC 859W
f
= 1千赫，
f
= 200赫兹
BC 860W
等效噪声电压
I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
f
= 10赫兹... 50赫兹
BC 860W
半导体集团
4
值
典型值。
马克斯。
单位
f
T
C
敖包
C
IBO
h
11e
–
–
–
250
3
10
–
–
–
兆赫
pF
k
–
–
–
2.7
4.5
8.7
–
–
–
10
– 4
–
–
–
1.5
2.0
3.0
–
–
–
–
–
–
–
200
330
600
–
–
–
S
h
12e
h
21e
h
22e
–
–
–
F
–
–
–
–
V
n
1.2
1.0
1.0
1.0
4
3
4
4
18
30
60
–
–
–
dB
V
–
–
0.110
QQ：2881677436 复制
