【NPN硅晶体管自动对焦q对于一般自动对焦的应用q高集电极电流q高电流增益q低集电极 - 发射极饱和电】,IC型号Q62702-C2126,Q62702-C2126 PDF资料,Q62702-C2126经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NPN硅晶体管自动对焦

q

对于一般自动对焦的应用

q

高集电极电流

q

高电流增益

q

低集电极 - 发射极饱和电压

q

互补型： BCP 69 （ PNP ）

BCP 68

TYPE

BCP 68

BCP 68-10

BCP 68-16

BCP 68-25

记号

BCP 68

BCP 68-10

BCP 68-16

BCP 68-25

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-C2126

Q62702-C2127

Q62702-C2128

Q62702-C2129

引脚配置

1

2

3

4

B

C

E

C

包

1)

SOT-223

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗，

T

S

= 124 C

2)

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

结 - 焊接点

1)

2)

符号

V

CE0

V

CES

V

CB0

V

EB0

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

值

20

25

25

5

1

2

100

200

1.5

150

– 65 … + 150

单位

V

A

mA

W

C

R

日JA

R

日JS

≤

72

≤

17

K / W

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

1

01.97

BCP 68

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 30毫安，

I

B

= 0

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10

A,

V

BE

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10

A,

I

B

= 0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10

A,

I

B

= 0

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 25 V

V

CB

= 25 V,

T

A

= 150 C

发射基截止电流

V

EB

= 5 V,

I

C

= 0

直流电流增益

1)

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 10 V

I

C

= 500毫安，

V

CE

= 1 V

V

(BR)CE0

V

（ BR ） CES

V

(BR)CB0

V

(BR)EB0

I

CB0

–

–

I

EB0

h

FE

BCP 68

BCP 68-10

BCP 68-16

BCP 68-25

V

CESAT

V

BE

–

–

0.6

–

–

1

50

85

85

100

160

60

–

–

–

100

160

250

–

–

–

375

160

250

375

–

0.5

V

–

–

–

–

100

100

100

nA

A

nA

–

20

25

25

5

–

–

–

–

–

–

–

–

V

值

典型值。

马克斯。

单位

I

C

= 1 A,

V

CE

= 1 V

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 1 A,

I

B

= 100毫安

基射极电压

1)

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 10 V

I

C

= 1 A,

V

CE

= 1 V

AC特性

跃迁频率

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

f

T

–

100

–

兆赫

1)

脉冲测试条件：

t

≤

300

s,

D

= 2 %.

半导体集团

2

BCP 68

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

收藏家Cuto FF电流

I

CB0

=

f

(T

A

)

V

CB

= 25 V

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

V

CB

= 1 V

半导体集团

3

BCP 68

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

f

(V

CESAT

)

h

FE

= 10

基射极饱和电压

I

C

=

f

(V

BESAT

)

h

FE

= 10

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/P

TOT DC

=

f

(t

p

)

半导体集团

4

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电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

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