PNP硅晶体管自动对焦
BCP 51
BCP ... 53
q
用于AF的驱动级和输出级
q
高集电极电流
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型： BCP 54 ... BCP 56 （ NPN ）
TYPE
BCP 51
BCP 51-10
BCP 51-16
BCP 52
BCP 52-10
BCP 52-16
BCP 53
BCP 53-10
BCP 53-16
记号
BCP 51
BCP 51-10
BCP 51-16
BCP 52
BCP 52-10
BCP 52-16
BCP 53
BCP 53-10
BCP 53-16
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-C2107
Q62702-C2109
Q62702-C2110
Q62702-C2146
Q62702-C2112
Q62702-C2113
Q62702-C2147
Q62702-C2115
Q62702-C2116
引脚配置
1
2
3
4
B
C
E
C
包
1)
SOT-223
1)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
半导体集团
1
5.91
BCP 51
BCP ... 53
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
BCP 51
BCP 52
BCP 53
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A,
I
B
= 0
BCP 51
BCP 52
BCP 53
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0,
T
A
= 150 C
发射基截止电流
V
EB
= 5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安，
V
CE
= 2 V
BCP 51 / BCP 52 / BCP 53
BCP 51 / BCP 52 / BCP 53-10
BCP 51 / BCP 52 / BCP 53-16
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
基射极电压
1)
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
f
T
–
125
–
兆赫
V
(BR)CE0
45
60
80
V
(BR)CB0
45
60
100
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
I
EB0
h
FE
25
40
63
100
25
V
CESAT
V
BE
–
–
–
–
100
160
–
–
–
–
250
160
250
–
0.5
1
V
–
–
–
–
100
20
10
nA
A
A
值
典型值。
马克斯。
单位
V
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
5
–
1)
脉冲测试条件：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
3
QQ：2881677436 复制
