【PNP硅晶体管自动对焦q对于一般自动对焦的应用q高集电极电流q高电流增益q低集电极 - 发射极饱和电】,IC型号Q62702-C1868,Q62702-C1868 PDF资料,Q62702-C1868经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PNP硅晶体管自动对焦

q

对于一般自动对焦的应用

q

高集电极电流

q

高电流增益

q

低集电极 - 发射极饱和电压

q

互补型： BCX 68 （ NPN ）

BCX 69

TYPE

BCX 69

BCX 69-10

BCX 69-16

BCX 69-25

记号

–

CF

CG

CH

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-C1714

Q62702-C1867

Q62702-C1868

Q62702-C1869

引脚配置

1

2

3

B

C

E

包

1)

SOT-89

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗，

T

S

= 130 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

结 - 焊接点

R

日JA

R

日JS

≤

75

≤

20

符号

V

CE0

V

CB0

V

EB0

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

值

20

25

5

1

2

100

200

1

150

– 65 … + 150

单位

V

A

mA

W

C

K / W

1)

2)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

1

5.91

BCX 69

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 30毫安

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10

A

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 1

A

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 25 V

V

CB

= 25 V,

T

A

= 150 C

发射Cuto FF电流

V

EB

= 5 V

直流电流增益

1)

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 10 V

I

C

= 500毫安，

V

CE

= 1 V

BCX 69

BCX 69-10

BCX 69-16

BCX 69-25

I

C

= 1 A,

V

CE

= 1 V

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 1 A,

I

B

= 100毫安

基射极电压

1)

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 10 V

I

C

= 1 A,

V

CE

= 1 V

AC特性

跃迁频率

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 20 MHz的

f

T

–

100

–

兆赫

V

CESAT

V

BE

–

–

0.6

–

–

1

V

(BR)CE0

V

(BR)CB0

V

(BR)EB0

I

CB0

–

–

I

EB0

h

FE

50

85

85

100

160

60

–

–

–

100

160

250

–

–

–

375

160

250

375

–

0.5

V

–

–

–

–

100

100

10

nA

A

A

值

典型值。

马克斯。

单位

20

25

5

–

–

–

–

–

–

V

–

1)

脉冲测试：

t

≤

300

s,

D

= 2 %.

半导体集团

2

BCX 69

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*

包安装在环氧

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5 V

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/P

TOT DC

=

f

(t

p

)

收藏家Cuto FF电流

I

CB0

=

f

(T

A

)

V

CB

= 25 V

半导体集团

3

BCX 69

基射极饱和电压

I

C

=

f

(V

BESAT

)

h

FE

= 10

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

f

(V

CESAT

)

h

FE

= 10

集电极电流

I

C

=

f

(V

BE

)

V

CE

= 1 V

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

V

CE

= 1 V

半导体集团

4

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联系人：刘先生

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