【PNP硅晶体管自动对焦BCW 67BCW 68q对于一般自动对焦的应用q高电流增益q低集电极 - 发】,IC型号Q62702-C1322,Q62702-C1322 PDF资料,Q62702-C1322经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PNP硅晶体管自动对焦

BCW 67

BCW 68

q

对于一般自动对焦的应用

q

高电流增益

q

低集电极 - 发射极饱和电压

q

互补类型： BCW 65 BCW 66 （ NPN ）

TYPE

BCW 67一

BCW 67 B

BCW 67℃

BCW 68°F

BCW 68克

BCW 68

记号

DAS

DBS

DCS

DFS

DGS

美国国土安全部

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-C1560

Q62702-C1480

Q62702-C1681

Q62702-C1893

Q62702-C1322

Q62702-C1555

引脚配置

1

2

3

B

E

C

包

1)

SOT-23

1)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

半导体集团

1

5.91

BCW 67

BCW 68

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗，

T

S

= 79 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

1)

结 - 焊接点

R

日JA

R

日JS

≤

285

≤

215

符号

BCW 67

V

CE0

V

CB0

V

EB0

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

32

45

5

值

BCW 68

45

60

5

800

1

100

200

330

150

– 65 … + 150

单位

V

mA

A

mA

mW

C

K / W

1)

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

2

BCW 67

BCW 68

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安

BCW 67

BCW 68

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10

A

BCW 67

BCW 68

发射极 - 基极击穿电压，

I

E

= 10

A

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 32 V

V

CB

= 45 V

V

CB

= 32 V,

T

A

= 150 C

V

CB

= 45 V,

T

A

= 150 C

BCW 67

BCW 68

BCW 67

BCW 68

I

EB0

h

FE

35

50

80

75

120

180

100

160

250

35

60

100

–

–

–

–

–

–

160

250

350

–

–

–

–

–

–

–

–

–

250

400

630

–

–

–

V

(BR)CE0

32

45

V

(BR)CB0

45

60

V

(BR)EB0

I

CB0

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

20

20

20

20

20

nA

nA

A

A

nA

–

5

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

V

值

典型值。

马克斯。

单位

发射极 - 基极截止电流，

V

EB

= 4 V

直流电流增益

1)

I

C

= 100

A,

V

CE

= 10 V

BCW 67 A， BCW 68°F

BCW 67 B， BCW 68克

BCW 67℃ ， BCW 68

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 1 V

BCW 67 A， BCW 68°F

BCW 67 B， BCW 68克

BCW 67℃ ， BCW 68

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V

BCW 67 A， BCW 68°F

BCW 67 B， BCW 68克

BCW 67℃ ， BCW 68

I

C

= 500毫安，

V

CE

= 2 V

BCW 67 A， BCW 68°F

BCW 67 B， BCW 68克

BCW 67℃ ， BCW 68

1)

脉冲测试：

t

≤

300

s,

D

= 2 %.

半导体集团

3

BCW 67

BCW 68

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 100毫安，

I

B

= 10毫安

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

基射极饱和电压

1)

I

C

= 100毫安，

I

B

= 10毫安

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

AC特性

跃迁频率

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 20 MHz的

输出电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

输入电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

f

T

C

敖包

C

IBO

–

–

–

200

6

60

–

–

–

兆赫

pF

V

CESAT

–

–

V

BESAT

–

–

–

–

1.25

2

–

–

0.3

0.7

V

值

典型值。

马克斯。

单位

1)

脉冲测试：

t

≤

300

s,

D

= 2 %.

半导体集团

4

BCW 67

BCW 68

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5 V

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/P

TOT DC

=

f

(t

p

)

收藏家Cuto FF电流

I

CB0

=

f

(T

A

)

V

CB

=

V

CEmax

半导体集团

5

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电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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联系人：刘先生

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