BAR 81W
硅射频开关二极管
初步数据
在并联结构的设计使用
高分流信号隔离器
分流低插入损耗
3
4
2
1
VPS05605
TYPE
BAR 81W
订购代码标识
BBS
Q62702-A1270
引脚配置
包
1 = A 2 = C2 = 3 A2 4 = C1 SOT- 343
最大额定值
参数
二极管的反向电压
正向电流
总功耗，
T
S
= 138 °C
结温
工作温度范围
储存温度
热阻
结 - 环境
1)
符号
价值
30
100
100
150
-55 ...+125
-55 ...+150
单位
V
mA
mW
°C
°C
V
R
I
F
P
合计
T
j
T
op
T
英镑
R
thJA
R
thjs
≤
200
≤
120
K / W
结 - 焊接点
1 ）包装安装在氧化铝仅为15mm× 16.7毫米X 0.7毫米
半导体集团
半导体集团
1
1
Sep-04-1998
1998-11-01
BAR 81W
正向电流
I
F
=
f
(T
A
*;T
S
)
* ） ：装在氧化铝仅为15mm× 16.7毫米X 0.7毫米
120
mA
100
90
80
T
S
I
F
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
T
A
120
°C
150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
F（T
p
)
允许的脉冲负载
I
FMAX
/
I
FDC
=
F（T
p
)
10
3
10
2
K / W
I
FMAX
/
I
FDC
-
R
thjs
10
2
10
1
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
-5
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0 -6
10
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
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Sep-04-1998
1998-11-01
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