【BCR 119SNPN硅数字晶体管阵列开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路两个（电流）的内部分离晶体】,IC型号Q62702-A1215,Q62702-A1215 PDF资料,Q62702-A1215经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BCR 119S

NPN硅数字晶体管阵列

开关电路，逆变器，接口电路，

驱动电路

两个（电流）的内部分离晶体管

在一个封装中

内置偏置电阻（R

1

=4.7k)

TYPE

BCR 119S

订购代码标识引脚配置

周

包

Q62702 - C2415 1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT- 363

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

输入电压

DC集电极电流

总功耗，

T

S

= 115°C

结温

储存温度

符号

值

50

50

5

15

100

250

150

- 65 ... + 150

mA

mW

°C

单位

V

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

V

我（上）

I

C

P

合计

T

j

T

英镑

热阻

交界处的环境

1)

R

thJA

R

thjs

≤

275

≤

140

K / W

结 - 焊接点

1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5厘米

2

Cu

半导体集团

1

Dec-18-1996

BCR 119S

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） CEO

50

-

-

-

-

-

-

-

-

4.7

-

-

-

V

I

C

= 100 A,

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

V

（ BR ） CBO

50

I

C

= 10 A,

I

B

= 0

基极 - 发射极击穿电压

V

（ BR ） EBO

5

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

-

100

nA

-

120

630

V

-

0.3

0.8

1.1

6.2

k

V

CB

= 40 V,

I

E

= 0

直流电流增益

h

FE

V

CESAT

V

我（关闭）

0.4

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 5 V

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

输入过电压

I

C

= 100 A,

V

CE

= 5 V

输入电压

V

我（上）

0.5

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 0.3 V

输入电阻

AC特性

跃迁频率

R

1

3.2

f

T

-

150

3

-

兆赫

pF

-

-

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

C

cb

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

1 ）脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％

半导体集团

2

Dec-18-1996

BCR 119S

直流电流增益

h

FE

=

F（我

C

)

V

CE

= 5V （共发射极配置）

集电极 - 发射极饱和电压

V

CESAT

=

F（我

C

),

h

FE

= 20

10

3

-

10

2

mA

h

FE

10

2

I

C

10

1

10

1

10

0

10

0

10

-1

-1

10

10

0

10

1

mA

I

C

10

-1

0.0

0.1

0.2

0.3

V

0.5

V

CESAT

输入电压

V

我（上）

=

F（我

C

)

V

CE

= 0.3V （共发射极配置）

输入过电压

V

我（关闭）

=

F（我

C

)

V

CE

= 5V （共发射极配置）

10

2

10

2

mA

mA

I

C

10

1

I

C

10

1

10

0

10

-1

10

0

10

-2

10

-1

-1

10

10

0

10

1

V

V

我（上）

10

-3

0

1

2

3

V

5

V

我（关闭）

半导体集团

3

Dec-18-1996

BCR 119S

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;T

S

)

*包装安装在环氧

300

mW

P

合计

200

T

S

T

A

150

100

50

0

0

20

40

60

80

100

120 °C 150

T

A

,T

S

允许的脉冲负载

R

thjs

=

F（T

p

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

F（T

p

)

10

3

10

3

K / W

-

R

thjs

10

2

P

totmax

/P

totDC

10

2

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

10

1

10

0

10

-1

-6

10

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

s 10

t

p

-1

0

10

0

-6

10

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

s 10

t

p

-1

0

半导体集团

4

Dec-18-1996

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联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

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