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BAR 63-03W
硅PIN二极管
l
对于RF信号的高速交换PIN二极管
l
低正向电阻
l
非常低电容
l
对于频率高达3 GHz的
TYPE
BAR 63-03W
记号
G
订购代码
(磁带和卷轴)
Q62702-A1025
引脚配置包
1
2
A
C
SOD-323
1)
最大额定值
参数
反向电压
正向电流
总功率耗散T
S
111°C
工作温度范围
存储温度范围
热阻
结到环境
1)
符号
BAR 63-03W
50
100
250
-55 +150°C
-55...+150°C
单位
V
mA
mW
°C
°C
V
R
I
F
P
合计
T
op
T
英镑
结焊接点
R
日JA
R
日JS
235
155
K / W
K / W
_________________________
1 )包装安装在氧化铝仅为15mm× 16.7毫米X 0.7毫米
半导体集团
1
A01版, 94年7月22日
BAR 63-03W
电气特性
at
T
A
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
价值
典型值。
马克斯。
单位
DC特性
击穿电压
I
R
= 5
A
反向漏
V
R
= 20 V
正向电压
I
F
= 100毫安
二极管电容
V
R
= 0 V,
f
= 100兆赫
二极管电容
V
R
= 5 V,
f
= 1兆赫
正向电阻
I
F
= 5毫安,
f
= 100兆赫
I
F
= 10毫安,
f
= 100兆赫
载流子寿命
I
F
= 10毫安,
I
R
= 6毫安,
I
R
= 3毫安
串联电感
V
( BR )
50
-
-
0.95
0.3
0.21
1.2
1
75
2.0
-
V
nA
-
50
V
-
1.2
pF
-
-
pF
-
0.3
-
-
2
-
ns
-
-
nH
-
-
I
R
V
F
C
T
C
T
r
f
τ
L
L
s
半导体集团
2
A01版, 94年7月22日
BAR 63-03W
二极管电容
C
T
=
f
(V
R
)
f
= 1兆赫
正向电阻
r
f
=
f
(I
F
)
f
= 100兆赫
正向电流
I
F
=
f
(T
A
*T
S
)
mA
T
I
F
S
S
T
A
T T
A
S
半导体集团
3
A01版, 94年7月22日
BAR 63-03W
允许负载
R
thjs
=
f
( TP)的
K / W
允许负载
I
FMAX
/
I
FDC
=
f
(t
p
)
I
F最大
_______
I
DC
F
R
thjs
t
p
tp
半导体集团
4
A01版, 94年7月22日
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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