TP 61 P
Silizium - Fotoelement
硅光电池
TP 61 P
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
Bereich冯为400nm双波长1120
q
Kathode = Chipunterseite
q
麻省理工学院feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht
überzogen
q
Weiter Temperaturbereich
Anwendungen
q
献给Meβ- ， Steuer- UND Regelzwecke
q
楚Abtastung冯Lichtimpulsen
q
定量Lichtmessung IM sichtbaren
特点
q
特别适合于从应用程序
400纳米至1120纳米
q
阴极=背接触
q
涂有防潮保护
层
q
工作温度范围宽
应用
q
控制和驱动电路
q
光脉冲扫描
q
定量测量光在
Licht- UND nahen Infrarotbereich
可见光和近红外范围
典型值
TYPE
TP 61 P
Bestellnummer
订购代码
Q62607-S61
半导体集团
204
10.95
fso06637
TP 61 P
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrspannung
反向电压
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 55 ... + 100
1
统一性
单位
°C
V
T
op
;
T
英镑
V
R
Kennwerte
(
T
A
=
25
°C,
Normlicht A，
T
= 2856 K)
特征
(T
A
= 25
°C,
标准光源A，
T
= 2856 K)
bezeichnung
描述
Fotoempfindlichkeit ，
V
R
= 0 V
光谱灵敏度
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
形式DER bestrahlungsempfindlichen Flche
辐射敏感区域的形状
Halbwinkel
半角
Dunkelstrom ，
V
R
= 1 V
暗电流
Spektrale Fotoempfindlichkeit ，
λ
= 850 nm的
光谱灵敏度
Quantenausbeute ，
λ
= 850 nm的
量子产率
Leerlaufspannung ，
开路电压
E
v
= 1000九
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
;
λ
= 850 nm的
符号
符号
S
λ
s最大
λ
邂逅相遇，
价值
1 (≥ 0.7)
900
400 ... 1120
统一性
单位
μA / IX
nm
nm
A
1.3
Sechseck
六边形
±
60
0.1 (≤ 2)
0.55
0.80
cm
2
毕业生
度。
A
/ W
电子
光子
I
R
S
λ
η
V
O
V
O
450 (≥ 270)
430
mV
mV
半导体集团
205
TP 61 P
Kennwerte
(
T
A
=
25
°C,
Normlicht A，
T
= 2856 K)
特征
(T
A
= 25
°C,
标准光源A，
T
= 2856 K)
bezeichnung
描述
Kurzschluβstrom ，
E
v
= 1000九
短路电流
E
v
= 1000九
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
;
λ
= 850 nm的
Anstiegs UND Abfallzeit宫Fotostromes
上升和下降的光电流的时间
R
L
= 1 k;
V
R
= 1 V;
λ
= 850纳米;
I
p
= 50
A
Temperaturkoeffizient冯
V
O
温度COEF网络cient
V
O
Temperaturkoeffizient冯
I
SC
温度COEF网络cient
I
SC
Kapazitt ，
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
v
= 0九
电容
符号
符号
邂逅相遇，
价值
统一性
单位
I
SC
I
SC
t
r
,
t
f
1 (≥ 0.7)
380
18
mA
A
s
TC
V
TC
I
C
0
– 2.6
0.12
11
毫伏/ K
%/K
nF
半导体集团
206
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