PZUxDB2系列
双齐纳二极管
版本01 - 2008年3月31日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
双隔离通用的齐纳二极管SOT353 （ SC - 88A ）非常小
表面贴装器件（ SMD）标准的塑料和深绿色的塑料封装。
1.2产品特点
I
非重复性峰值反向功率
功耗：P
ZSM
= 40 W
I
总功耗：P
合计
≤
250毫瓦
I
公差系列：
B2 ：约
±2
%
I
工作电压范围宽：
标称2.7 V至24 V
I
双隔离二极管CON组fi guration
I
适合小型标准塑料封装
对于表面安装设计
I
小暗绿色，无卤素塑料
包适合于表面安装的
设计
I
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
I
一般调节功能
1.4快速参考数据
表1中。
符号
每二极管
V
F
P
ZSM
[1]
[2]
快速参考数据
参数
正向电压
非重复性峰值反向
功耗
条件
I
F
= 100毫安
[1]
[2]
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.1
40
单位
V
W
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
t
p
= 100
s;
方波;牛逼
j
= 25
°C
暴涨前
恩智浦半导体
PZUxDB2系列
双齐纳二极管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
钉扎
描述
阳极（二极管1 ）
没有连接
阳极（二极管2 ）
阴极（二极管2 ）
阴极（二极管1 ）
1
2
3
1
2
3
006aab219
简化的轮廓
5
4
图形符号
5
4
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PZU2.7DB2到
PZU24DB2
[1]
PZU2.7DB2 / DG到
PZU24DB2/DG
[1][2]
[1]
[2]
该系列由25种标称工作电压为2.7 V至24 V.
/ DG ：无卤塑料包装
类型编号
描述
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT353
SC-88A
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
[1]
T1*
T2*
T3*
T4*
T5*
T6*
T7*
T8*
T9*
TA *
TB *
TC *
TD *
TE *
类型编号
[2]
PZU2.7DB2/DG
PZU3.0DB2/DG
PZU3.3DB2/DG
PZU3.6DB2/DG
PZU3.9DB2/DG
PZU4.3DB2/DG
PZU4.7DB2/DG
PZU5.1DB2/DG
PZU5.6DB2/DG
PZU6.2DB2/DG
PZU6.8DB2/DG
PZU7.5DB2/DG
PZU8.2DB2/DG
PZU9.1DB2/DG
标识代码
[1]
U1*
U2*
U3*
U4*
U5*
U6*
U7*
U8*
U9*
UA *
UB *
UC *
UD *
UE *
类型编号
PZU2.7DB2
PZU3.0DB2
PZU3.3DB2
PZU3.6DB2
PZU3.9DB2
PZU4.3DB2
PZU4.7DB2
PZU5.1DB2
PZU5.6DB2
PZU6.2DB2
PZU6.8DB2
PZU7.5DB2
PZU8.2DB2
PZU9.1DB2
PZUXDB2_SER_1
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产品数据表
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2 12
恩智浦半导体
PZUxDB2系列
双齐纳二极管
标记代码
- 续
标识代码
[1]
TF *
TG *
TH *
TK *
TL *
TM *
TN *
TP *
TR *
TS *
TT*
类型编号
[2]
PZU10DB2/DG
PZU11DB2/DG
PZU12DB2/DG
PZU13DB2/DG
PZU14DB2/DG
PZU15DB2/DG
PZU16DB2/DG
PZU18DB2/DG
PZU20DB2/DG
PZU22DB2/DG
PZU24DB2/DG
标识代码
[1]
用友*
UG *
UH *
英国*
UL *
UM *
UN *
UP *
UR *
美国*
UT *
表4 。
PZU10DB2
PZU11DB2
PZU12DB2
PZU13DB2
PZU14DB2
PZU15DB2
PZU16DB2
PZU18DB2
PZU20DB2
PZU22DB2
PZU24DB2
[1]
类型编号
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
[2]
/ DG ：无卤塑料包装
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
I
F
I
ZSM
P
ZSM
每个器件
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
正向电流
非重复性峰值反向
当前
非重复性峰值反向
功耗
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
民
-
[1]
最大
200
SEE
表8
40
单位
mA
-
-
[1]
W
T
AMB
≤
25
°C
[2]
[3]
-
-
-
55
65
250
275
150
+150
+150
mW
mW
°C
°C
°C
t
p
= 100
s;
方波;牛逼
j
= 25
°C
暴涨前
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
PZUXDB2_SER_1
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双齐纳二极管
6.热特性
表6 。
符号
每个器件
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结点到焊点
条件
在自由空气
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
500
455
200
单位
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
焊接点， 4脚和5脚。
7.特点
表7中。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
正向电压
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
[1]
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
[1]
参数
条件
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
0.9
1.1
V
V
表8 。
每种类型的特点; PZU2.7DB2到PZU24DB2和PZU2.7DB2 / DG ，以PZU24DB2 / DG
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
PZUxDB2
工作
PZUxDB2 / DG电压
V
Z
(V)
I
Z
= 5毫安
民
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
PZUXDB2_SER_1
微分电阻反向
当前
r ()
DIF
温度
COEF网络cient
S
Z
（毫伏/ K）的
I
Z
= 5毫安
I
R
(A)
I
Z
= 0.5毫安我
Z
= 5毫安
最大
1000
1000
1000
1000
1000
1000
800
250
100
80
60
60
最大
100
95
95
90
90
90
80
60
40
30
20
10
最大
20
10
5
5
3
3
2
2
1
0.5
0.5
0.5
V
R
(V)
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2.5
3
3.5
4
二极管
不重复
电容反向峰值
当前
C（ pF）的
[1]
d
I
ZSM
(A)
[2]
最大
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.34
4.75
5.2
5.73
6.33
6.93
7.6
典型值
2.0
2.1
2.4
2.4
2.5
2.5
1.4
0.3
1.9
2.7
3.4
4.0
最大
440
425
410
390
370
350
325
300
275
250
215
170
最大
8
8
8
8
8
8
8
5.5
5.5
5.5
5.5
3.5
NXP B.V. 2008保留所有权利。
2.65
2.95
3.25
3.55
3.87
4.15
4.55
4.98
5.49
6.06
6.65
7.28
产品数据表
版本01 - 2008年3月31日
4 12
恩智浦半导体
PZUxDB2系列
双齐纳二极管
表8 。
每种类型的特点; PZU2.7DB2到PZU24DB2和PZU2.7DB2 / DG ，以PZU24DB2 / DG
- 续
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
PZUxDB2
工作
PZUxDB2 / DG电压
V
Z
(V)
I
Z
= 5毫安
民
8.2
9.1
10
11
12
13
14
15
16
18
20
22
24
[1]
[2]
微分电阻反向
当前
r ()
DIF
温度
COEF网络cient
S
Z
（毫伏/ K）的
I
Z
= 5毫安
I
R
(A)
I
Z
= 0.5毫安我
Z
= 5毫安
最大
60
60
60
60
80
80
80
80
80
80
100
100
120
最大
10
10
10
10
10
10
10
15
20
20
20
25
30
最大
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
(V)
5
6
7
8
9
10
11
11
12
13
15
17
19
二极管
不重复
电容反向峰值
当前
C（ pF）的
[1]
d
I
ZSM
(A)
[2]
最大
8.36
9.23
10.21
11.22
12.24
13.49
14.3
14.98
16.51
18.35
20.39
22.47
24.78
典型值
4.6
5.5
6.4
7.4
8.4
9.4
10.4
11.4
12.4
14.4
16.4
18.4
20.4
最大
150
120
110
108
105
103
101
99
97
93
88
84
80
最大
3.5
3.5
3.5
3
3
2.5
2
2
1.5
1.5
1.5
1.3
1.3
8.02
8.85
9.77
10.76
11.74
12.91
13.7
14.34
15.85
17.56
19.52
21.54
23.72
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
t
p
= 100
s;
方波;牛逼
j
= 25
°C
暴涨前
PZUXDB2_SER_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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