【PNP硅高压晶体管PZTA 92PZTA 93q高的击穿电压q低集电极 - 发射极饱和电压q互补类型】,IC型号PZTA93,PZTA93 PDF资料,PZTA93经销商,ic,电子元器件-51电子网

PNP硅高压晶体管

PZTA 92

PZTA 93

高的击穿电压

低集电极 - 发射极饱和电压

互补类型： PZTA 42 ， PZTA 43 （ NPN ）

TYPE

PZTA 92

PZTA 93

记号

PZTA 92

PZTA 93

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-Z2037

Q62702-Z2038

引脚配置

包

SOT-223

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗，

= 124 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

结 - 焊接点

日JA

日JS

≤

符号

CE0

CB0

EB0

合计

英镑

值

PZTA 92

PZTA 93

300

200

500

100

1.5

150

– 65 … + 150

单位

K / W

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

40 mm

1.5毫米/ 6厘米

铜。

半导体集团

5.91

PZTA 92

PZTA 93

电气特性

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

= 1毫安，

= 0

PZTA 92

PZTA 93

集电极 - 基极击穿电压

= 100

= 0

PZTA 92

PZTA 93

发射极 - 基极击穿电压

= 100

= 0

集电极 - 基极截止电流

= 200 V

= 160 V

= 200 V,

= 150 C

= 160 V,

= 150 C

发射基截止电流

= 3 V,

= 0

直流电流增益

= 1毫安，

= 10 V

= 10毫安，

= 10 V

= 30毫安，

= 10 V

集电极 - 发射极饱和电压

= 20毫安，

= 2毫安

PZTA 92

PZTA 93

基射极饱和电压

= 20毫安，

= 2毫安

AC特性

跃迁频率

= 20毫安，

= 10 V,

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

= 20 V,

= 1兆赫

PZTA 92

PZTA 93

敖包

–

100

–

兆赫

PZTA 92

PZTA 93

PZTA 92

PZTA 93

EB0

CESAT

–

BESAT

–

0.5

0.4

0.9

–

(BR)CE0

300

200

(BR)CB0

300

200

(BR)EB0

CB0

–

250

100

–

值

典型值。

马克斯。

单位

脉冲测试条件：

≤

300

= 2 %.

半导体集团

PZTA 92

PZTA 93

总功耗

合计

)

*包装安装在环氧

跃迁频率

)

= 10 V,

= 100兆赫

允许的脉冲负载

TOT最大

TOT DC

)

直流电流增益

)

= 10 V

半导体集团

PZTA 92

PZTA 93

收藏家Cuto FF电流

CB0

)

= 160 V

集电极电流

)

= 10 V

半导体集团

UTC PZTA92 / 93 PNP外延硅晶体管

高电压PNP

晶体管

描述

在UTC PZTA92 / 93高电压PNP

晶体管，专为电话信号切换

和高电压放大器。

特点

*高集电极 - 发射极电压：

首席执行官

= -300V （ UTC PZTA92 ）

首席执行官

= -200V （ UTC PZTA93 ）

*集电极耗散功率：

Pc(max)=1000mW

SOT-223

1 ：发射器

2,4 ：收藏家

3 ：基本

绝对最大额定值

(Ta=25

°C

)

参数

集电极 - 基极电压

UTC PZTA92

UTC PZTA93

集电极 - 发射极电压

UTC PZTA92

UTC PZTA93

发射极 - 基极电压

集电极耗散功率

集电极电流

结温

储存温度

符号

CBO

价值

-300

-200

单位

首席执行官

EBO

英镑

-300

-200

-5

1000

-500

150

-55 ~ +150

°C

世界标准时间

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。

QW-R207-006,B

UTC PZTA92 / 93 PNP外延硅晶体管

电气特性

（ TA = 25℃ ，除非另有规定）

参数

集电极 - 基极击穿电压

UTC PZTA92

UTC PZTA93

集电极 - 发射极击穿电压

UTC PZTA92

UTC PZTA93

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

UTC PZTA92

UTC PZTA93

发射极截止电流

直流电流增益（注）

符号

CBO

测试条件

Ic=-100A,I

民

-300

-200

典型值

最大单位

首席执行官

Ic=-1mA,I

-300

-200

-5

-0.25

-0.10

-0.5

-0.90

兆赫

EBO

CBO

=-100A,Ic=0

=-200V,I

=-160V,I

=-3V,Ic=0

=-10V,Ic=-1mA

=-10V,Ic=-10mA

=-10V,Ic=-30mA

Ic=-20mA,I

=-2mA

Ic=-20mA,I

=-2mA

=-20V,Ic=-10mA,

f=100MHz

=-20V,IE=0

f=1MHz

EBO

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

电流增益带宽积

(sat)1

集电极电容基地

建行

UTC PZTA92

UTC PZTA93

注：脉冲测试： PW<300μs ，职务Cycle<2 ％，V

CE(SAT)1

<200mV （单班）

世界标准时间

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。

QW-R207-006,B

UTC PZTA92 / 93 PNP外延硅晶体管

典型性能特性

图1直流电流增益

-10

图2饱和电压

图3电容

Ic=10*I

VCE （SAT）， VBE （星期六）（MV ）

=-10V

直流电流增益，H

（SAT）

（PF ），C

（PF ）

-10

-1

-10

集电极电流IC （MA ）

集电极 - 基极电压（ V）

图4有源区安全

工作区

-10

0.1m

图5电流增益

带宽积

1 .0

集电极电流IC （MA ）

电流增益带宽

产品（兆赫）

米℃，

呃25

日C =

1. ATIO

LIM

-10

MPSA93

=-20V

f=100MHz

-10

625mW热

限制TA = 25℃

结合故障

限制TJ = 150℃

-10

MPSA92

-10

集电极 - 发射极电压（ V）

集电极电流IC （MA ）

UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则

超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或

其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含

在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用

这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现

本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的

可靠，可恕不另行通知。

世界标准时间

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。

QW-R207-006,B