MPSA64 / MMBTA64 / PZTA64
MPSA64
MMBTA64
C
PZTA64
C
E
C
B
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 2V
B
SOT-223
PNP达林顿晶体管
该器件是专为需要极高的应用
电流增益电流为800毫安。从工艺61采购。
绝对最大额定值*
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
30
30
10
1.2
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
3)
所有的电压（V）和电流（A）中是负的极性为PNP晶体管。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
MPSA64
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBTA64
350
2.8
357
**PZTA64
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
**
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
1997仙童半导体公司
MPSA64 / MMBTA64 / PZTA64
PNP达林顿晶体管
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CES
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 100
A,
I
B
= 0
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
EB
= 10 V，I
C
= 0
30
100
100
V
nA
nA
基本特征*
h
FE
V
CE（
SAT
)
V
BE （
on
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100毫安，我
B
- 0.1毫安
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V
10,000
20,000
1.5
2.0
V
V
小信号特性
f
T
电流增益 - 带宽积
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V,
F = 100 MHz的
125
兆赫
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
注意：
所有的电压（V）和电流（A）中是负的极性为PNP晶体管。
典型特征
3
V
CESAT
- 集电极EM ITTE 电压（ V）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益（ K）
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
50
V
CE
= 5V
40
30
20
10
0
0.01
125 °C
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
1.6
β
= 1000
1.2
- 40 °C
0.8
25 °C
125 °C
25 °C
- 40 °C
0.4
0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
1
0
0.001
0.01
0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
1
MPSA64 / MMBTA64 / PZTA64
PNP达林顿晶体管
（续）
典型特征
（续）
2
1.6
1.2
0.8
0.4
V
BE （ON）的
- 基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基本EMITTE 电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
β
= 1000
- 40 °C
基极发射极电压ON VS
集电极电流
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.001
V
CE
= 5V
- 40 °C
25 °C
125 °C
25 °C
125 °C
0
0.001
0.01
0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
1
0.01
0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
1
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- COLLE CTOR电流（ NA）
100
16
输入和输出电容
VS反向偏置电压
F = 1.0 MHz的
电容（pF）
12
V
CB
= 15V
10
1
8
C
ib
4
C
ob
0.1
0.01
25
50
75
100
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE （
°
C)
125
0
0.1
1
10
反向电压（ V）
100
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗（ W）
0.75
SOT-223
TO-92
0.5
SOT-23
0.25
0
0
25
50
75
100
温度（
o
C)
125
150
TO- 92卷带数据
TO-92封装
CON组fi guration ：
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT ：
CBVK741B019
HTB ： B
数量：
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID ：
PN2222N
产品规格：
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
FSCINT
LABEL
（ FSCINT ）
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT ： CBVK741B019
FSID ： PN222N
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
数量： 2000
产品规格：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
（ TO- 92 ）批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直： PKG 92 ，
94 （ NON PROELECTRON
系列）， 96
TO- 92标准
直： PKG 94
（ PROELECTRON系列
BCXXX ， BFXXX ， BSRXXX ）
97, 98
LEADCLIP
维
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
L34Z
NO LEADCLIP
2.0 K /盒
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
定制
LABEL
FSCINT标签
最高1万台
每间箱
性病选项
2001仙童半导体公司
2001年3月，修订版B1
TO- 92卷带式数据，继续
TO- 92缫丝风格
CON组fi guration ：
图2.0
机选“A” （H ）
机选“E” （J ）
款式“A” ， D26Z ， D70Z （ S / H）
风格“E” ， D27Z ， D71Z （ S / H）
TO- 92径向弹药包装
CON组fi guration ：
图3.0
第一网关在集电极
胶带上侧
FLAT晶体管的顶部
第一网OFF为辐射源
胶带上侧
FLAT晶体管是底
ORDER风格
D74Z （M）的
ORDER风格
D75Z （P）的
第一网OFF为发射器（ ON PKG 92 ）
胶带，底面
FLAT晶体管是底
第一网关在集电极（ ON PKG 92 ）
胶带，底面
FLAT晶体管的顶部
1999年9月，修订版A
PNP硅达林顿晶体管
PZTA 63
PZTA 64
q
对于一般自动对焦的应用
q
高集电极电流
q
高电流增益
q
互补类型： PZTA 13 ， PZTA 14 （ NPN ）
TYPE
PZTA 63
PZTA 64
记号
PZTA 63
PZTA 64
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-Z2031
Q62702-Z2032
引脚配置
1
2
3
4
B
C
E
C
包
1)
SOT-223
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 124 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
72
≤
17
符号
V
CES
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
值
30
30
10
500
800
100
200
1.5
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
W
C
K / W
1)
2)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
MPSA64 / MMBTA64 / PZTA64
分立功率&信号
技术
MPSA64
MMBTA64
C
PZTA64
C
E
C
B
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 2V
B
SOT-223
PNP达林顿晶体管
该器件是专为需要极高的应用
电流增益电流为800毫安。从工艺61采购。
绝对最大额定值*
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
30
30
10
1.2
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
MPSA64
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBTA64
350
2.8
357
**PZTA64
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
**
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
1997仙童半导体公司
A64 ，版本A
MPSA64 / MMBTA64 / PZTA64
PNP达林顿晶体管
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CES
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 100
A,
I
B
= 0
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
EB
= 10 V，I
C
= 0
30
100
100
V
nA
nA
基本特征*
h
FE
V
CE（
SAT
)
V
BE （
on
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100毫安，我
B
- 0.1毫安
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V
10,000
20,000
1.5
2.0
V
V
小信号特性
f
T
电流增益 - 带宽积
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V,
F = 100 MHz的
125
兆赫
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
典型特征
50
40
30
20
10
0
0.01
- 40 °C
V
CESAT
- 集电极发射极电压（V ）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益（ K）
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
V
CE
= 5V
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
1.6
β
= 1000
1.2
- 40 C
125 °C
0.8
25 °C
125 C
25 °C
0.4
0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
1
0
0.001
0.01
0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
1
MPSA64 / MMBTA64 / PZTA64
PNP达林顿晶体管
（续）
典型特征
（续）
V
BEON
- 基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
2
β
= 1000
- 40 C
25 °C
125 C
基极发射极电压ON VS
集电极电流
2
1.6
1.2
125 C
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.001
- 40 C
25 °C
0.8
0.4
0
0.001
V
CE
= 5V
0.01
0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
1
0.01
0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
1
集电极截止电流
- 环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
100
V
10
电容（pF）
CB
输入和输出电容
VS反向偏置电压
16
F = 1.0 MHz的
12
= 15V
1
8
C
ib
4
C
ob
0.1
0.01
25
50
75
100
T
A
- 环境温度（ C）
125
0
0.1
1
10
反向电压（ V）
100
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗（ W）
0.75
SOT-223
TO-92
0.5
SOT-23
0.25
0
0
25
50
75
100
o
温度（℃）
125
150
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP达林顿晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
V
BE
= 0
集电极开路
条件
发射极开路
65
65
分钟。
PZTA64
马克斯。
30
30
10
500
800
200
1.25
+150
150
+150
V
V
V
单位
mA
mA
mA
W
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“对于在SOT223 SC04手册的通用部分散热方面的考虑” 。
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“对于在SOT223 SC04手册的通用部分散热方面的考虑” 。
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
价值
100
19
单位
K / W
K / W
1997年6月20日
3
QQ：2880707522 复制
