MPSA56 / MMBTA56 / PZTA56
分立功率&信号
技术
MPSA56
MMBTA56
C
PZTA56
C
E
C
BE
E
C
B
TO-92
SOT-23
马克： 2G
B
SOT-223
PNP通用放大器
这个装置是专为通用放大器应用
集电极电流为300毫安。从工艺73采购。
绝对最大额定值*
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
80
80
4.0
500
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θ
JA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25
°
C
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
MPSA56
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBTA56
350
2.8
357
**PZTA56
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/
°
C
°
C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
**
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
1997仙童半导体公司
MPSA56 / MMBTA56 / PZTA56
PNP通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
首席执行官
I
CBO
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 100
A,
I
C
= 0
V
CE
= 60 V，I
B
= 0
V
CB
= 80 V，I
E
= 0
80
80
4.0
0.1
0.1
V
V
V
A
A
基本特征
h
FE
V
CE（
SAT
)
V
BE （
on
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100毫安，我
B
= 10毫安
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0 V
100
100
0.25
1.2
V
V
小信号特性
f
T
电流增益 - 带宽积
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0 V,
F = 100 MHz的
50
兆赫
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
SPICE模型
PNP （ IS = 12.27p XTI = 3 =例如1.11 VAF = 100 BF = 91.63 NE = 1.531伊势= 12.27p IKF = 1.009 XTB = 1.5 BR = 1.287 NC = 2
ISC = 0 Ikr的= 0 RC = 0.6 CJC = 48.28p建超= 0.5615 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 106.7p MJE = 0.5168 VJE = 0.75 Tr的= 496.3n铁蛋白= 865.8p
ITF = 0.2 VTF = 2 XTF = 0.8的Rb = 10 ）
典型特征
300
250
200
150
100
50
0.001
I
C
25 °C
V
CESAT
- 集电极发射极电压（V ）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
V
CE
= 1V
125 °C
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.8
β
= 10
0.6
0.4
25 °C
- 40 C
0.2
- 40 C
125 °C
0.01
0.1
- 集电极电流（ A）
P 3
0
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
MPSA56 / MMBTA56 / PZTA56
PNP通用放大器
（续）
典型特征
（续）
1.2
V
BEON
- 基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
β
= 10
基极发射极电压ON VS
集电极电流
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
V
CE
= 1V
25 °C
125 °C
- 40 C
1
- 40 C
0.8
25 °C
125 °C
0.6
0.4
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
P 3
1000
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
P 3
1000
10
V
CB
= 60Vz
1
V
CE
- 集电极 - 发射极电压（ V）
集电极截止电流
- 环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
集电极饱和区
10
8
T A = 25°C
6
0.1
I
C
=
4
1毫安
10毫安
百毫安
0.01
2
0.001
25
50
75
100
T
A
- 环境温度（ ℃）
125
0
3000
5000
10000
20000
30000
50000
I
B
- 基极电流（ UA）
F = 1.0 MHz的
100
f
T
- 增益带宽积（兆赫）
输入和输出电容
VS反向电压
增益带宽积
VS集电极电流
V
CE
= 5V
40
电容（pF）
30
C
ib
20
C
ob
10
0
1
10
20
3
50
100
0.1
1
10
100
V
CE
- 集电极电压（ V）
I
C
-
集电极电流（毫安）
P
MPSA56 / MMBTA56 / PZTA56
PNP通用放大器
（续）
典型特征
（续）
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗（ W）
0.75
SOT-223
TO-92
0.5
SOT-23
0.25
0
0
25
50
75
100
o
温度（℃）
125
150
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
PZTA56
马克斯。
80
80
5
500
1
200
1.2
+150
150
+150
单位
V
V
V
mA
A
mA
W
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“对于在SOT223 SC04手册的通用部分散热方面的考虑” 。
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“对于在SOT223 SC04手册的通用部分散热方面的考虑” 。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
BE
f
T
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
=
80
V
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
1
V
I
C
=
100
毫安; V
CE
=
1
V
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
100
毫安;我
B
=
10
mA
基射极电压
跃迁频率
I
C
=
100
毫安; V
CE
=
1
V
I
C
=
100
毫安; V
CE
=
1
V ; F = 100 MHz的
100
100
50
分钟。
马克斯。
50
50
250
1.2
mV
V
兆赫
单位
nA
nA
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
价值
103
22
单位
K / W
K / W
1997年4月1日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
PZTA56
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1997年4月1日
5
MPSA56 / MMBTA56 / PZTA56
MPSA56
MMBTA56
C
PZTA56
C
E
C
B
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 2G
B
SOT-223
PNP通用放大器
这个装置是专为通用放大器应用
集电极电流为300毫安。从工艺73采购。
绝对最大额定值*
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
80
80
4.0
500
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
3)
所有的电压（V）和电流（A）中是负的极性为PNP晶体管。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
MPSA56
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBTA56
350
2.8
357
**PZTA56
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
**
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
1997仙童半导体公司
MPSA56 / MMBTA56 / PZTA56
PNP通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
首席执行官
I
CBO
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 100
A,
I
C
= 0
V
CE
= 60 V，I
B
= 0
V
CB
= 80 V，I
E
= 0
80
80
4.0
0.1
0.1
V
V
V
A
A
基本特征
h
FE
V
CE（
SAT
)
V
BE （
on
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100毫安，我
B
= 10毫安
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0 V
100
100
0.25
1.2
V
V
小信号特性
f
T
电流增益 - 带宽积
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0 V,
F = 100 MHz的
50
兆赫
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
注意：
所有的电压（V）和电流（A）中是负的极性为PNP晶体管。
SPICE模型
PNP （ IS = 12.27p XTI = 3 =例如1.11 VAF = 100 BF = 91.63 NE = 1.531伊势= 12.27p IKF = 1.009 XTB = 1.5 BR = 1.287 NC = 2的Isc = 0
IKR = 0 RC = 0.6 CJC = 48.28p建超= 0.5615 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 106.7p MJE = 0.5168 VJE = 0.75 Tr的= 496.3n铁蛋白= 865.8p ITF = 0.2
VTF = 2 XTF = 0.8的Rb = 10 ）
典型特征
V
CESAT
- 集电极EMITTE 电压（ V）
TYP ICAL脉冲CURRE NT GAIN
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
300
250
200
150
25 °C
125 °C
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.8
β
= 10
0.6
V
CE
= 1V
0.4
25 °C
100
50
- 40 °C
0.2
- 40 °C
125 °C
FE
-
h
0.001
0.01
0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
0
10
100
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
MPSA56 / MMBTA56 / PZTA56
PNP通用放大器
（续）
典型特征
（续）
V
BE （ON）的
- BAS ê发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基本EM ITTE 电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1.2
β
= 10
基极发射极电压ON VS
收集或电流
1.2
V
CE
= 1V
1
- 40 °C
1
- 40 °C
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
25 °C
125 °C
0.8
25 °C
125 °C
0.6
0.4
10
100
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
1000
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
10
V
CB
= 60V
1
电容（pF）
100
输入和输出电容
VS反向电压
F = 1.0 MHz的
C
ib
0.1
0.01
C
ob
0.001
25
50
75
100
T
A
- 环境温度（ C）
125
0.1
1
10
100
V
CE
- 集电极电压（ V）
V
CE
- 集电极 - 发射极电压（ V）
集电极饱和区
10
f
T
- 增益带宽积（兆赫）
增益带宽积
VS集电极电流
350
300
250
200
150
100
50
0
1
10
100
8
T A = 25°C
V
CE
= 5V
6
I
C
=
4
1毫安
10毫安
百毫安
2
0
3000
5000
10000
20000
30000
50000
I
B
- 基极电流（ UA）
I
C
- 集电极电流（毫安）
MPSA56 / MMBTA56 / PZTA56
PNP通用放大器
（续）
典型特征
（续）
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗（ W）
0.75
SOT-223
TO-92
0.5
SOT-23
0.25
0
0
25
50
75
100
温度（
o
C)
125
150
TO- 92卷带数据
TO-92封装
CON组fi guration ：
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT ：
CBVK741B019
HTB ： B
数量：
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID ：
PN2222N
产品规格：
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
FSCINT
LABEL
（ FSCINT ）
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT ： CBVK741B019
FSID ： PN222N
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
数量： 2000
产品规格：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
（ TO- 92 ）批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直： PKG 92 ，
94 （ NON PROELECTRON
系列）， 96
TO- 92标准
直： PKG 94
（ PROELECTRON系列
BCXXX ， BFXXX ， BSRXXX ）
97, 98
LEADCLIP
维
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
L34Z
NO LEADCLIP
2.0 K /盒
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
定制
LABEL
FSCINT标签
最高1万台
每间箱
性病选项
2001仙童半导体公司
2001年3月，修订版B1
MPSA56 / MMBTA56 / PZTA56 PNP通用放大器器
2006年2月
MPSA56/MMBTA56/PZTA56
PNP通用放大器器
描述
这个装置是专为通用放大器器
应用集电极电流300mA的电流。来源
从流程73
绝对最大额定值*
T
A
= 25
°
C除非另有规定ED 。
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
工作和存储结温范围
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
价值
-80
-80
-4.0
-500
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°
C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1，这些评级是基于150 ° C的最高结温。
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
3.所有的电压（V）和电流（A）中是负的极性为PNP晶体管。
热特性
T
A
= 25_C除非另有说明。
最大
特征
器件总功耗，
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
P
D
R
θ
JC
R
θ
JA
MPSA56
625
5.0
83.3
200
*MMBTA56
350
2.8
357
**PZTA56
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
**安装在FR- 4 PCB 36毫米X 18毫米X 1.5毫米设备;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
套餐
MPSA56
C
MMBTA56
C
PZTA56
E
C
B
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 2G
B
SOT-223
2006仙童半导体公司
1
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MPSA56 / MMBTA56 / PZTA56 PNP通用放大器器
电气特性
T
A
= 25
°
C除非另有规定ED 。
参数
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
基本特征
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
小信号特性
电流增益 - 带宽积
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
首席执行官
I
CBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
测试条件
I
C
= -1.0mA ，我
B
= 0
I
C
= -100μA ，我
E
= 0
I
E
= -100μA ，我
C
= 0
V
CE
= -60V ，我
B
= 0
V
CB
= -80V ，我
E
= 0
I
C
= -10mA ，V
CE
= -1.0V
I
C
= -100mA ，V
CE
= -1.0V
I
C
= -100mA ，我
B
= -10mA
I
C
= -100mA ，V
CE
= -1.0V
I
C
= -100mA ，V
CE
= -1.0V,
F = 100MHz的
分钟。
-80
-80
-4.0
马克斯。
单位
V
V
V
-0.1
-0.1
100
100
-0.2
-1.2
50
A
A
V
V
兆赫
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
注意：
所有的电压（V）和电流（A）中是负的极性为PNP晶体管。
SPICE模型
PNP
（ IS = 12.27p XTI = 3 =例如1.11 VAF = 100 BF = 91.63 NE = 1.531伊势= 12.27p IKF = 1.009 XTB = 1.5 BR = 1.287 NC = 2的Isc = 0 Ikr的= 0 RC = 0.6
CJC = 48.28p建超= 0.5615 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 106.7p MJE = 0.5168 VJE = 0.75 Tr的= 496.3n铁蛋白= 865.8p ITF = 0.2 VTF = 2 XTF = 0.8的Rb = 10 ）
2
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典型特征
V
CESAT
- 集电极EMITTE 电压（ V）
TYP ICAL脉冲CURRE NT GAIN
典型的脉冲电流增益
VS收藏家柯伦
300
250
200
150
25°C
125°C
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
-0.8
β
= 10
-0.6
V
CE
= -1V
-0.4
25°C
100
- 40°C
-0.2
- 40°C
125°C
50
-0.001
-0.01
-0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
-1
FE
-
h
0
-1
-100
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
-1.2
V
BE （ON）的
- BAS ê发射极电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
V
BESAT
- 基本EM ITTE 电压（ V）
β
= 10
基极发射极电压ON VS
收集或电流
-1.2
V
CE
= -1V
-1
- 40
°C
-1
- 40
°C
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-0.1
25
°C
125
°C
-0.8
25
°C
125
°C
-0.6
-0.4
-10
-100
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
-1000
-1
-10
-100
I
C
- 集电极电流（毫安）
-1000
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
-10
V
CB
= -60V
-1
100
输入和输出电容
VS反向电压
F = 1.0 MHz的
电容（pF）
C
ib
-0.1
-0.01
C
ob
-0.001
25
50
75
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
125
-0.1
-1
-10
V
CE
- 集电极电压（ V）
-100
3
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典型特征
（续）
V
CE
- 集电极 - 发射极电压（ V）
集电极饱和区
-10
f
T
- 增益带宽积（兆赫）
增益带宽积
VS集电极电流
350
-8
TA = 25°C
V
CE
= -5V
300
250
200
150
100
50
0
-1
-10
-100
-6
I=
-4
-1mA
-10mA
-100mA
-2
0
-3000
-5000
-10000
-20000
-30000 -50000
I
B
- 基本电流（ μA ）
I
C
- 集电极电流（毫安）
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗（ W）
0.75
SOT-223
TO-92
0.5
SOT-23
0.25
0
0
25
50
75
100
温度（
o
C)
125
150
4
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TO- 92卷带数据
TO-92封装
CON组fi guration ：
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT ：
CBVK741B019
HTB ： B
数量：
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID ：
PN2222N
产品规格：
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
FSCINT
LABEL
（ FSCINT ）
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT ： CBVK741B019
FSID ： PN222N
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
数量： 2000
产品规格：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
（ TO- 92 ）批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直： PKG 92 ，
94 （ NON PROELECTRON
系列）， 96
TO- 92标准
直： PKG 94
（ PROELECTRON系列
BCXXX ， BFXXX ， BSRXXX ）
97, 98
LEADCLIP
维
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
L34Z
NO LEADCLIP
2.0 K /盒
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
定制
LABEL
FSCINT标签
最高1万台
每间箱
性病选项
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