摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过PZTA42T1 / D
高压晶体管
表面贴装
NPN硅
集热2,4
BASE
1
辐射源3
PZTA42T1
摩托罗拉的首选设备
SOT- 223封装
NPN硅
高压
晶体管
表面贴装
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极 - 基极电压（发射极开路）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流（ DC ）
总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）
存储温度范围
结温
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
TSTG
TJ
价值
300
300
6.0
500
1.5
- 65 + 150
150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
瓦
°C
°C
1
2
3
4
CASE 318E -04 ，风格1
TO-261AA
器件标识
P1D
热特性
特征
热阻，结到环境（ 1 ）
符号
R
θJA
最大
83.3
单位
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 2 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 100
μAdc ，
IC = 0）
集电极 - 基极截止电流
（ VCB = 200伏， IE = 0 ）
发射基截止电流
（ VBE = 6.0伏， IC = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
300
300
6.0
—
—
—
—
—
0.1
0.1
VDC
VDC
VDC
μAdc
μAdc
1.装置安装在玻璃环氧印刷电路板1.575英寸X 1.575英寸X 0.059英寸;安装垫的集电极分钟0.93平方英寸。
2.脉冲测试条件， TP = 300
s, δ
= 0.02.
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
热复合是贝格斯公司的商标。
REV 3
摩托罗拉小信号
摩托罗拉公司1998年
晶体管， FET和二极管设备数据
1
PZTA42T1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
基本特征
直流电流增益
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 30 MADC ， VCE = 10 V直流）
的hFE
25
40
40
—
—
—
—
动态特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 10 MADC ， VCE = 20伏， F = 100兆赫）
反馈电容
（ VCB = 20伏直流电， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 20 MADC ， IB = 2.0 MADC ）
基射极饱和电压
（ IC = 20 MADC ， IB = 2.0 MADC ）
fT
CRE
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
50
—
—
—
—
3.0
0.5
0.9
兆赫
pF
VDC
VDC
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
PZTA42T1
120
100
的hFE ， DC电流增益
80
60
40
–55°C
20
0
0.1
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
10
100
25°C
TJ = + 125°C
VCE = 10 VDC
图1.直流电流增益
100
CEB @ 1MHz的
C，电容（pF ）
F T ，电流增益 - 带宽（MHz ）
80
70
60
50
40
30
20
10
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
IC ，集电极电流（毫安）
TJ = 25°C
VCE = 20 V
F = 20MHz的
50 70 100
10
1.0
建行@ 1MHz的
0.1
0.1
1.0
10
100
VR ，反向电压（伏）
1000
图2.电容
图3.电流增益 - 带宽
1.4
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
VCE （SAT） @ 25 ° C， IC / IB = 10
VCE （SAT） @ 125°C ， IC / IB = 10
VCE （SAT） @ -55°C ， IC / IB = 10
VBE （星期六） @ 25 ° C， IC / IB = 10
VBE （星期六） @ 125°C ， IC / IB = 10
VBE （星期六） @ -55°C ， IC / IB = 10
VBE （ ON） @ 25°C ， VCE = 10 V
VBE （上） @ 125°C ， VCE = 10 V
VBE （ ON） @ -55°C ， VCE = 10 V
1.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
图4. “开”电压
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
PZTA42T1
对于采用SOT- 223表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.15
3.8
0.079
2.0
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.091
2.3
0.079
2.0
0.059
1.5
0.059
1.5
0.091
2.3
0.248
6.3
0.059
1.5
英寸
mm
SOT-223
SOT- 223功耗
采用SOT -223的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
由TJ （最大值）的最大额定结温
死，R
θJA
从器件结的热阻
环境，以及工作温度TA 。使用
所提供的数据手册SOT- 223封装的价值观，
PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
消耗几乎可以用这种方法增加了一倍，面积为
在印刷电路板，它可以战胜溶于
采用表面贴装目的的技术。为R的曲线图
θJA
对收集垫区示于图1 。
160
RJ-A ，热阻，结
到环境（ C / W ）
板材料= 0.0625 “
G- 10 / FR - 4 ; 2盎司纯铜
0.8瓦
TA = 25°C
140
°
120
1.25瓦*
1.5瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况下为1.5瓦。
PD = 150 °C - 25 ° C = 1.5瓦特
83.3°C/W
为SOT- 223封装的83.3 ° C / W假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现为1.5瓦的功耗。有
其他的替代品，从实现更高的功率耗散
采用SOT - 223封装。之一是增加的面积
收集垫。通过增加收集垫的区域中，所述
功率消耗可以增加。虽然动力
100
*安装的DPAK足迹
0.2
0.4
0.6
A，面积（平方英寸）
0.8
1.0
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
θ
80
0.0
图5.热电阻与集电极
为SOT- 223封装焊盘面积（典型值）
另一种替代方法是使用陶瓷基板或
铝核心板，如热复合 。利用
板的材料，例如热复合，铝芯
板，所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过PZTA42T1 / D
高压晶体管
表面贴装
NPN硅
集热2,4
BASE
1
辐射源3
PZTA42T1
摩托罗拉的首选设备
SOT- 223封装
NPN硅
高压
晶体管
表面贴装
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极 - 基极电压（发射极开路）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流（ DC ）
总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）
存储温度范围
结温
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
TSTG
TJ
价值
300
300
6.0
500
1.5
- 65 + 150
150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
瓦
°C
°C
1
2
3
4
CASE 318E -04 ，风格1
TO-261AA
器件标识
P1D
热特性
特征
热阻，
Junction-to-Ambient(1)
符号
R
θJA
最大
83.3
单位
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 2 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 100
μAdc ，
IC = 0）
集电极 - 基极截止电流
（ VCB = 200伏， IE = 0 ）
发射基截止电流
（ VBE = 6.0伏， IC = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
300
300
6.0
—
—
—
—
—
0.1
0.1
VDC
VDC
VDC
μAdc
μAdc
1.装置安装在玻璃环氧印刷电路板1.575英寸X 1.575英寸X 0.059英寸;安装垫的集电极分钟0.93平方英寸。
2.脉冲测试条件， TP = 300
s, δ
= 0.02.
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 2
摩托罗拉小信号
摩托罗拉公司1996年
晶体管， FET和二极管设备数据
1
PZTA42T1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
基本特征
直流电流增益
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 30 MADC ， VCE = 10 V直流）
的hFE
25
40
40
—
—
—
—
动态特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 10 MADC ， VCE = 20伏， F = 100兆赫）
反馈电容
（ VCB = 20伏直流电， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 20 MADC ， IB = 2.0 MADC ）
基射极饱和电压
（ IC = 20 MADC ， IB = 2.0 MADC ）
fT
CRE
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
50
—
—
—
—
3.0
0.5
0.9
兆赫
pF
VDC
VDC
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
PZTA42T1
对于采用SOT- 223表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.15
3.8
0.079
2.0
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.091
2.3
0.079
2.0
0.059
1.5
0.059
1.5
0.091
2.3
0.248
6.3
0.059
1.5
英寸
mm
SOT-223
SOT- 223功耗
采用SOT -223的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
由TJ （最大值）的最大额定结温
死，R
θJA
从器件结的热阻
环境，以及工作温度TA 。使用
所提供的数据手册SOT- 223封装的价值观，
PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
消耗几乎可以用这种方法增加了一倍，面积为
在印刷电路板，它可以战胜溶于
采用表面贴装目的的技术。为R的曲线图
θJA
对收集垫区示于图1 。
160
RJ-A ，热阻，结
到环境（ C / W ）
板材料= 0.0625 “
G- 10 / FR - 4 ; 2盎司纯铜
0.8瓦
TA = 25°C
140
°
120
1.25瓦*
1.5瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况下为1.5瓦。
PD = 150 °C - 25 ° C = 1.5瓦特
83.3°C/W
为SOT- 223封装的83.3 ° C / W假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现为1.5瓦的功耗。有
其他的替代品，从实现更高的功率耗散
采用SOT - 223封装。之一是增加的面积
收集垫。通过增加收集垫的区域中，所述
功率消耗可以增加。虽然动力
100
*安装的DPAK足迹
0.2
0.4
0.6
A，面积（平方英寸）
0.8
1.0
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
θ
80
0.0
图1.热敏电阻与集电极
为SOT- 223封装焊盘面积（典型值）
另一种替代方法是使用陶瓷基板或
铝核心板，如热复合 。利用
板的材料，例如热复合，铝芯
板，所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
3
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