PZT772
PNP硅外延晶体管
P B
铅（Pb ） - 免费
BASE
1
3
辐射源
集热器
2, 4
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
4
1
2
3
SOT-223
绝对最大额定值（T
A
=25 C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流
设备总Disspation牛逼
A
=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
Tj
TSTG
价值
-40
-30
-5.0
-3.0
1.5
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
C
C
器件标识
PZT772 = 772
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -100μA ，我
E
=0
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -10mA ，我
B
=0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -10μA ，我
C
=0
集电极截止-O FF电流
V
CB
= -30V ，我
E
=0
射极切-O FF电流
V
EB
= -3V ，我
C
=0
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
民
-40
-30
最大
-
-
最大
-
-
单位
V
V
-5.0
-
-
-
-
-1.0
V
A
-
-
-1.0
A
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/4
07-Feb-07
PZT772
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
(1)
直流电流增益
V
CE
= -2V ，我
C
=-20mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-1A
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2A ，我
B
=-0.2A
基射极电压上
I
C
= -2A ，我
B
=-0.2A
跃迁频率
V
CE
= -20V ，我
C
= -20mA ， F = 100MHz的
输出电容
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
注1.Pulse测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比≤ 2 ％ 。
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
30
100
-
-
-
-
-
160
-0.3
-1.0
80
55
-
500
-0.5
-2.0
-
-
-
V
V
兆赫
pF
分类h及
FE2
秩
范围
Q
100-200
P
160-320
E
250-500
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/4
07-Feb-07
PZT772
典型特征
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/4
07-Feb-07
PZT772
SOT- 223外形尺寸
单位：mm
A
F
暗淡
MILLIMETERS
民
最大
4
S
1
2
3
B
D
L
G
C
H
M
K
J
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
6.30
3.30
1.50
0.60
2.90
2.20
0.020
0.24
1.50
0.85
0
6.70
6.70
3.70
1.75
0.89
3.20
2.40
0.100
0.35
2.00
1.05
10
7.30
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
4/4
07-Feb-07
QQ：2880707522 复制
