ON Semiconductort
PNP硅
外延晶体管
这PNP硅外延晶体管设计用于线性使用
和切换应用程序。该设备被容纳在SOT -223
该软件包是专为中等功率表面贴装
应用程序。
NPN补是PZT2222AT1
采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接
SOT- 223封装可以确保水平安装，从而提高了
的热传导，并允许焊点的目视检查。
焊接消除过程中所形成的引线吸收热应力
损坏模具的可能性。
基地1
采用12毫米磁带和卷轴
使用PZT2907AT1责令7英寸/ 1000单元卷轴。
使用PZT2907AT3订购13英寸/ 4000单元卷轴。
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
(1)
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
T
J
, T
英镑
PZT2907AT1
安森美半导体首选设备
SOT- 223封装
PNP硅
晶体管
表面贴装
集热器
2,4
1
2
3
4
3
辐射源
CASE 318E -04 ，风格1
TO-261AA
价值
–60
–60
–5.0
–600
1.5
12
-65到150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
瓦
毫瓦/°C的
°C
热特性
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
从案例无铅焊接温度的， 0.0625 “
在焊接洗澡时间
R
θJA
T
L
83.3
260
10
° C / W
°C
美国证券交易委员会
器件标识
P2F
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= –10
μAdc ，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= –10
μAdc ，
I
C
= 0)
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= -50伏直流，我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= -30伏直流，V
BE
= 0.5伏）
基射极截止电流（V
CE
= -30伏直流，V
BE
= -0.5 V直流）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CEX
I
BEX
–60
–60
–5.0
—
—
—
°—°
—
°—°
°—°
—
—
—
—
—
–10
–50
–50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
NADC
1.装置安装在玻璃环氧印刷电路板1.575英寸X 1.575英寸X 0.059英寸;安装焊盘的集电极引线分钟。 0.93平方英寸
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年3月 - 修订版5
出版订单号：
PZT2907AT1/D
PZT2907AT1
典型电气特性
T
J
= 125°C
hFE参数，电流增益
T
J
= 25°C
100
T
J
= -55°C
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
1000
1000
100
V
CE
= -20 V
T
J
= 25°C
10
-1.0
-10
-100
I
C
，集电极电流（毫安）
-1000
10
-0.1
-1.0
-10
-100
I
C
，集电极电流（毫安）
-1000
图3.直流电流增益
图4.电流增益带宽积
-1.0
T
J
= 25°C
-0.8
电压（伏）
-0.6
-0.4
-0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
-0.1 -0.2 -0.5 -1.0 -2.0 -5.0 -10 -20 -50 -100 -200
I
C
，集电极电流（毫安）
-500
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
电容（pF）
V
BE（上）
@ V
CE
= -10 V
30
20
C
eb
10
7.0
5.0
3.0
2.0
-0.1
-0.2 -0.3 -0.5 -0.7 -1.0 -2.0 -3.0 -5.0 -7.0 -10 -20 -30
反向电压（伏）
C
cb
图5.为“ON”电压
图6的电容
http://onsemi.com
3
PZT2907AT1
对于采用SOT- 223表面贴装封装信息
功耗
该方程对于周围温度T
A
为25℃ ，一个也可以
采用SOT -223的功耗的功能
计算在此所述装置的功率耗散
焊盘尺寸。这些可以从最小焊盘尺寸变化
情况下为1.5瓦。
焊接到给定的最大功率的焊盘尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
150°C – 25°C
P
D
=
= 1.5瓦特
被T确定
J（下最大）
时，最大额定结
83.3°C/W
在模具中，R的温度
θJA
从热敏电阻
器件的结点至环境;和操作温度，
为SOT- 223封装的83.3 ° C / W假设
T
A
。使用提供的数据表中的值
的965平方推荐收集垫的区域。在玻璃密
SOT- 223封装，P
D
可以如下计算。
环氧树脂印刷电路板来实现的功率耗散
1.5瓦特。如果空间是十分宝贵的，一个比较现实的做法
T
J（下最大）
– T
A
是在一P至使用该设备
D
833使用毫瓦的足迹
P
D
=
R
θJA
如图所示。使用的基板材料，如热复合，一
该方程的值被发现的最大
可以使用实现了1.6瓦的电力消耗
评级表上的数据表。这些值代入
同样足迹。
安装须知
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，故障内完成焊接
很短的时间，可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
法，差别应该最多10℃ 。
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.15
3.8
0.079
2.0
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
冷却过程中
*进行焊接装置无需预热可引起
过度的热冲击和应力，这可能导致
损坏设备。
推荐的最低足迹表面安装应用程序
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.091
2.3
0.079
2.0
0.059
1.5
0.059
1.5
0.091
2.3
0.248
6.3
0.059
1.5
英寸
mm
http://onsemi.com
4
PZT2907AT1 ， SPZT2907AT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=
10
MADC ，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
=
10
MADC ，
I
C
= 0)
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
=
50伏直流电，我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
=
30伏直流电，V
BE
= 0.5伏）
基极发射极截止电流
(V
CE
=
30伏直流电，V
BE
=
0.5伏）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CEX
I
BEX
60
60
5.0
10
50
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
NADC
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
=
0.1 MADC ，V
CE
=
10
VDC ）
(I
C
=
1.0
MADC ，V
CE
=
10
VDC ）
(I
C
=
10
MADC ，V
CE
=
10
VDC ）
(I
C
=
150
MADC ，V
CE
=
10
VDC ）
(I
C
=
500 MADC ，V
CE
=
10
VDC ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
=
150
MADC ，我
B
=
15
MADC ）
(I
C
=
500 MADC ，我
B
=
50
MADC ）
基射极饱和电压
(I
C
=
150
MADC ，我
B
=
15
MADC ）
(I
C
=
500 MADC ，我
B
=
50 MADC ）
h
FE
75
100
100
100
50
300
0.4
1.6
1.3
2.6
V
CE （ SAT ）
VDC
V
BE （ SAT ）
VDC
动态特性
电流增益
带宽积
(I
C
=
50 MADC ，V
CE
=
20伏直流电， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
=
10
VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
=
2.0伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
f
T
C
c
C
e
200
8.0
30
兆赫
pF
pF
开关时间
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
=
6.0伏，我
C
=
150
MADC ，
I
B1
= I
B2
=
15
MADC ）
(V
CC
=
30伏直流电，我
C
=
150
MADC ，
I
B1
=
15
MADC ）
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
45
10
40
100
80
30
ns
ns
2.脉冲测试：脉冲宽度
300
女士，
占空比
2.0%.
http://onsemi.com
2
PZT2907AT1 ， SPZT2907AT1G
- 30 V
输入
Z
o
= 50
W
PRF = 150赫兹
上升时间
2.0纳秒
0
- 16 V
200纳秒
50
输入
Z
o
= 50
W
PRF = 150赫兹
上升时间
2.0纳秒
0
- 30 V
50
200纳秒
1N916
+15 V
- 6.0 V
200
1.0 k
37
1.0 k
到示波器
上升时间
5.0纳秒
1.0 k
到示波器
上升时间
5.0纳秒
图1.延迟和上升
时间测试电路
图2.存储和秋季
时间测试电路
典型电气特性
1000
T
J
= 125C
hFE参数，电流增益
T
J
= 25C
100
T
J
= - 55C
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
1000
100
V
CE
= - 20 V
T
J
= 25C
10
-1.0
-10
-100
I
C
，集电极电流（毫安）
-1000
10
- 0.1
-1.0
-10
-100
I
C
，集电极电流（毫安）
-1000
图3.直流电流增益
图4.电流增益带宽积
-1.0
T
J
= 25C
- 0.8
电压（伏）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
电容（pF）
30
20
C
eb
10
7.0
5.0
C
cb
- 0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= -10 V
- 0.4
- 0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
- 0.1 - 0.2 - 0.5 -1.0 - 2.0 - 5.0 -10 - 20 - 50 -100 - 200
I
C
，集电极电流（毫安）
- 500
3.0
2.0
- 0.1
- 0.2 - 0.3 - 0.5 - 0.7 -1.0 - 2.0 - 3.0 - 5.0 - 7.0 -10 - 20 - 30
反向电压（伏）
图5.为“ON”电压
图6的电容
http://onsemi.com
3
PZT2907AT1 ， SPZT2907AT1G
包装尺寸
SOT- 223 （ TO- 261 ）
CASE 318E -04
ISSUE
注意事项：
1.尺寸和公差符合ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
A1
b
b1
c
D
E
e
e1
L
L1
H
E
民
1.50
0.02
0.60
2.90
0.24
6.30
3.30
2.20
0.85
0.20
1.50
6.70
0
MILLIMETERS
喃
最大
1.63
1.75
0.06
0.10
0.75
0.89
3.06
3.20
0.29
0.35
6.50
6.70
3.50
3.70
2.30
2.40
0.94
1.05
1.75
2.00
7.00
7.30
10
民
0.060
0.001
0.024
0.115
0.009
0.249
0.130
0.087
0.033
0.008
0.060
0.264
0
英寸
喃
0.064
0.002
0.030
0.121
0.012
0.256
0.138
0.091
0.037
0.069
0.276
最大
0.068
0.004
0.035
0.126
0.014
0.263
0.145
0.094
0.041
0.078
0.287
10
D
b1
4
H
E
E
1
2
3
e1
b
e
A
q
L
L1
C
q
0.08 (0003)
A1
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
焊接足迹*
3.8
0.15
2.0
0.079
2.3
0.091
2.3
0.091
6.3
0.248
2.0
0.079
1.5
0.059
mm
英寸
SCALE 6 ： 1
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5817-1050
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
4
PZT2907AT1/D
QQ：2880707522 复制
