UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
PZT2222A
NPN通用
扩音器
特点
*此装置是用于使用作为介质的功率放大器和开关
需要集电极电流高达500mA 。
1
SOT-223
NPN硅晶体管
订购信息
订购数量
无铅
PZT2222AL-AA3-R
无卤
PZT2222AG-AA3-R
包
SOT-223
引脚分配
1
2
3
B
C
E
填料
带盘
PZT2222AL-AA3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）无铅
（ 1 ）R ：带卷轴
（ 2 ） AA3 ： SOT- 223
（ 3 ）G ：无卤，L ：无铅
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版权所有 2012 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R207-001.D
PZT2222A
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
75
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
40
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
6
V
集电极电流
I
C
0.6
A
器件总功耗
P
C
1
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低负载应用进行咨询
周期操作。
热数据
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
结到环境
符号
θ
JA
评级
125
单位
° C / W
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
底座截止电流
基本特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
I
BL
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CE
=60V, V
EB （O FF ）
=3.0V
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
CB
=60V,I
E
=0, T
A
=150°C
V
EB
= 3.0V ，我
C
=0
V
CE
=60V, V
EB （O FF ）
=3.0V
I
C
= 0.1毫安，V
CE
=10V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
=10V
I
C
= 10毫安，V
CE
=10V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V ，T
A
=-55°C
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V （注）
I
C
= 150毫安，V
CE
= 1.0V （注）
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V （注）
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 100KHz的
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 100KHz的
I
C
= 20mA时， V
CB
= 20V ， F = 31.8MHz
I
C
= 100μA ，V
CE
= 10V ，R
S
=1.0k,
f=1.0kHz
民
75
40
6
10
0.01
10
10
20
35
50
75
35
100
50
40
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
μA
nA
nA
直流电流增益
h
FE
300
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
兆赫
pF
pF
pS
dB
集电极 - 发射极饱和电压
（注）
基射极饱和电压（注）
小信号特性
跃迁频率
输出电容
输入电容
集电极基时间常数
噪声系数
共发射高的实部
频率输入阻抗
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
敖包
C
IBO
r
B
'C
C
NF
0.6
300
8.0
25
150
4.0
60
R
E（ HJE ）
I
C
= 20mA时， V
CB
= 20V ， F = 300MHz的
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2 6
QW-R207-001.D
PZT2222A
NPN硅晶体管
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
开关特性
延迟时间
t
D
V
CC
=30V, V
BE （OFF）的
=0.5V,
上升时间
t
R
I
C
= 150毫安，我
B1
=15mA
贮存时间
t
S
V
CC
= 30V ，我
C
=150mA,
下降时间
t
F
I
B1
= I
B2
=15mA
注：脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
民
典型值
最大
10
25
225
60
单位
ns
ns
ns
ns
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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3 6
QW-R207-001.D
PZT2222A
测试电路
NPN硅晶体管
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4 6
QW-R207-001.D
PZT2222A
典型特征
NPN硅晶体管
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5 6
QW-R207-001.D
恩智浦半导体
产品数据表
NPN开关晶体管
特点
大电流（最大600 mA）的
低电压（最大40 V） 。
应用
开关和线性放大。
描述
NPN开关晶体管在SOT223塑料包装。
PNP补充： PZT2907A 。
1
4
PZT2222A
钉扎
针
1
2, 4
3
BASE
集热器
辐射源
描述
手册， halfpage
2, 4
3
1
顶视图
2
3
MAM287
Fig.1简化外形（ SOT223 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
75
40
6
600
800
200
1.15
+150
150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
W
°C
°C
°C
1999年04月14
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN开关晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
PZT2222A
价值
109
28
单位
K / W
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
= 60 V
I
E
= 0; V
CB
= 60 V ;牛逼
AMB
= 125
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 0.1毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V;
T
AMB
=
55 °C
I
C
= 150毫安; V
CE
= 1V ;注1
I
C
= 150毫安; V
CE
= 10 V ;注1
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10 V ;注1
V
CESAT
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
I
C
= 150毫安;我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安;我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 500 mV的; F = 1 MHz的
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 20V; F = 100 MHz的
I
CON
= 150毫安;我
BON
= 15毫安;
I
B关
=
15
毫安;牛逼
AMB
= 25
°C
35
50
75
35
50
100
40
0.6
300
分钟。
马克斯。
10
10
10
300
300
1
1.2
2
8
25
mV
V
V
V
pF
pF
兆赫
单位
nA
A
nA
（ 10％至90％的水平）的切换时间;
（见图2）
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
35
10
25
250
200
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1999年04月14
3
PZT2222A
公司Bauelemente
通用晶体管
NPN硅
切换时间等效测试电路
+30 V
+16 V
0
-2 V
1.0-100
μs,
占空比
≈
2.0%
1 kΩ
200
+16 V
0
＆ LT ; 2纳秒
C
S
* < 10 pF的
1.0-100
μs,
占空比
≈
2.0%
1k
1N914
-4 V
+30 V
200
-14 V
< 20纳秒
C
S
* < 10 pF的
范围上升时间< 4纳秒
*测试夹具的总并联电容，
连接器和示波器。
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
1000
700
500
的hFE ， DC电流增益
300
200
100
70
50
30
20
10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
T
J
= 125°C
25°C
-55°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
70
100
200
300
500 700 1.0 k
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
T
J
= 25°C
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.005
I
C
= 1.0毫安
10毫安
150毫安
500毫安
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
图4.集电极饱和区
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01君2002年修订版A
的说明书中的任何改变将不被通知个人
第2页4
PZT2222A
公司Bauelemente
通用晶体管
NPN硅
200
100
70
50
T， TIME （ NS ）
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
5.0 7.0
10
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 30 V
t
d
@ V
EB （O FF ）
= 2.0 V
t
d
@ V
EB （O FF ）
= 0
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
t′
s
= t
s
- 1/8 t
f
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
t
f
200 300
20 30
50 70 100
I
C
，集电极电流（毫安）
500
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
300
500
图5.开启时间
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
I
C
= 1.0毫安，R
S
= 150
Ω
500
μA,
R
S
= 200
Ω
100
μA,
R
S
= 2.0 kΩ
50
μA,
R
S
= 4.0 kΩ
10
图6.开启，关闭时间
NF ，噪声系数（dB ）
NF ，噪声系数（dB ）
R
S
=优化
R
S
=
来源
R
S
=
阻力
F = 1.0千赫
8.0
6.0
4.0
2.0
0
50
I
C
= 50
μA
100
μA
500
μA
1.0毫安
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50 100
100 200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻（欧姆）
图7.频率的影响
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
图8.源电阻的影响
500
V
CE
= 20 V
T
J
= 25°C
30
20
电容（pF）
C
eb
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向电压（伏）
C
cb
300
200
100
70
50
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
70 100
20 30
50
图9.的电容
图10.电流增益带宽积
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的说明书中的任何改变将不被通知个人
第3页4
PZT2222A
公司Bauelemente
通用晶体管
NPN硅
1.0
T
J
= 25°C
0.8
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
0.4
0.2
0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.1 0.2
50 100 200
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
I
C
，集电极电流（毫安）
500 1.0 k
系数（MV /
°
C)
1.0 V
+0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
0.1 0.2
0.5
R
QVB
对于V
BE
1.0 2.0
5.0 10 20
50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
500
R
QVC
对于V
CE （ SAT ）
图11. “开”电压
图12.温度系数
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的说明书中的任何改变将不被通知个人
第4页4
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
PN2222A
MMBT2222A
C
PZT2222A
C
E
C
B
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 1P
B
SOT-223
MMPQ2222
E2
B2
E3
B3
E4
B4
NMT2222
C2
E1
C1
E1
B1
SOIC-16
针＃ 1
C1
C2
C1
C3
C2
C4
C4
C3
B2
E2
SOT-6
马克： .1B
B1
NPN通用放大器
这个装置是用于使用作为介质的功率放大器和开关
需要集电极电流高达500 mA 。从亲源
塞斯19 。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
40
75
6.0
1.0
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
1997仙童半导体公司
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
NPN通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
CBO
I
EBO
I
BL
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基地截止电流
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CE
= 60 V, V
EB （O FF ）
= 3.0 V
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CB
= 60 V，I
E
= 0, T
A
= 150°C
V
EB
= 3.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 60 V, V
EB （O FF ）
= 3.0 V
40
75
6.0
10
0.01
10
10
20
V
V
V
nA
A
A
nA
nA
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V ，T
A
= -55°C
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10 V*
I
C
= 150毫安， V
CE
= 1.0 V*
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10 V*
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
35
50
75
35
100
50
40
300
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和
电压*
基射极饱和电压*
0.6
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
rb'C
C
NF
回复（H
ie
)
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
集电极基时间常数
噪声系数
共发射极的实部
高频输入阻抗
（ MMPQ2222和NMT2222除外）
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 20 V ， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 100千赫
V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0中，f = 100千赫
I
C
能力= 20 mA ，V
CB
= 20 V ， F = 31.8兆赫
I
C
= 100
A,
V
CE
= 10 V,
R
S
= 1.0千欧， F = 1.0千赫
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 20 V ， F = 300 MHz的
300
8.0
25
150
4.0
60
兆赫
pF
pF
pS
dB
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（ MMPQ2222和NMT2222除外）
V
CC
= 30 V, V
BE （OFF）的
= 0.5 V,
I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
SPICE模型
NPN （ IS = 14.34f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 74.03 BF = 255.9 NE = 1.307伊势= 14.34f IKF = 0.2847 XTB = 1.5 BR = 6.092 NC = 2的Isc = 0
IKR = 0 RC = 1 CJC = 7.306p建超= 0.3416 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 22.01p MJE = 0.377 VJE = 0.75 TR表示46.91n铁蛋白= 411.1p ITF = 0.6
VTF = 1.7 XTF = 3的Rb = 10 ）
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
NPN通用放大器
（续）
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
PN2222A
625
5.0
83.3
200
最大
*PZT2222A
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
符号
P
D
R
θJA
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
有效的4模
每个模具
最大
**MMBT2222A
350
2.8
357
MMPQ2222
1,000
8.0
125
240
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
**
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
典型特征
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
500
V
CE
= 5V
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.4
β
= 10
0.3
125 °C
25 °C
400
300
200
25 °C
125 °C
0.2
100
- 40 °C
0.1
- 40 °C
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
300
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
500
V
-
BE（上）
基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（V）的
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
β
= 10
基射极电压ON VS
集电极电流
1
V
CE
= 5V
0.8
- 40 °C
25 °C
0.8
- 40 °C
25 °C
0.6
0.6
125 °C
125 °C
0.4
0.4
1
I
C
10
100
- 集电极电流（毫安）
500
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
25
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
NPN通用放大器
（续）
典型特征
（续）
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
500
发射器转换和输出
电容VS反向偏置电压
20
电容（pF）
16
12
科特
100
10
1
0.1
V
CB
= 40V
F = 1 MHz的
8
4
OB
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度（
°
C)
150
0.1
1
10
反向偏置电压（V）的
100
开启和关闭时间
VS集电极电流
400
I
B1
= I
B2
=
320
V CC = 25 V
开关时间
VS集电极电流
400
I
B1
= I
B2
=
320
V CC = 25 V
I
c
10
I
c
10
时间（纳秒）
时间（纳秒）
240
160
80
T ON
吨关闭
240
160
80
0
10
tf
td
ts
tr
0
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗（ W）
0.75
SOT-223
TO-92
0.5
SOT-23
0.25
0
0
25
50
75
100
o
温度（℃）
125
150
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
NPN通用放大器
（续）
测试电路
30 V
200
16 V
1.0 K
0
≤
200ns
500
图1 ：饱和导通开关时间
- 15 V
6.0 V
1k
37
30 V
1.0 K
0
≤
200ns
50
图2 ：饱和关断开关时间
PZT2222 / PZT2222A
PZT2222 / PZT2222A
NPN
Suface山硅外延平面晶体管开关
SI- Epitaxie平面- Schalttransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗
Verlustleistung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。
Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
3.5
±0.2
NPN
1.3 W
SOT-223
0.04 g
版本2006-05-09
6.5
±0.2
3
±0.1
4
1.65
TYPE
CODE
1
0.7
2.3
2
3.25
3
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2/4 = C
3=E
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基伏。 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
ê开放
B开
c打开
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
合计
I
C
T
j
T
S
7
±0.3
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
PZT2222
30 V
60 V
5V
1.3 W
1
)
600毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
PZT2222A
40 V
75 V
6V
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极截止电流 - Kollektor - Reststrom
I
E
= 0, V
CB
= 50 V
I
E
= 0, V
CB
= 50 V ，T
j
= 150°C
发射极截止电流 - 发射极Reststrom
I
C
= 0, V
EB
= 3 V
集电极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
PZT2222
PZT2222A
PZT2222
PZT2222A
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
–
–
–
–
I
EBO
–
PZT2222
PZT2222A
PZT2222
PZT2222A
I
CBO
I
CBO
I
CBO
I
CBO
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–-
–
–
–
–
马克斯。
20 nA的
10 nA的
20 A
10 A
10 nA的
0.4 V
0.3 V
1.6 V
1.0 V
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis ≤ 2％
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
PZT2222 / PZT2222A
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
I
C
I
C
I
C
I
C
=
=
=
=
0.1毫安，
1毫安，
10毫安，
150毫安，
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
=
=
=
=
10
10
10
10
V
V
V
V
2
)
PZT2222
PZT2222A
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
f
T
C
CBO
C
EBO
t
d
I
CON
= 150毫安
I
BON
= 15毫安
- I
B关
= 15毫安
t
r
t
s
t
f
R
THA
R
THS
35
50
75
100
30
40
200兆赫
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
< 93 K / W
1
)
< 27 K / W
PZT2907 ， PZT2907A
–
–
–
300
–
–
–
8 pF的
30 pF的
10纳秒
25纳秒
225纳秒
60纳秒
PZT2222
PZT2222A
PZT2222
PZT2222A
V
BESAT
V
BESAT
V
BESAT
V
BESAT
–
–
–
–
–
–
–
–
1.3 V
1.2 V
2.6 V
2.0 V
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10 V
2
)
增益带宽积 - Transitfrequenz
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 20 V ， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
V
EB
= 0.5 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
切换时间 - Schaltzeiten
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到焊接点
Wrmewiderstand Sperrschicht - Ltpad
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis ≤ 2％
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
PN2222A
MMBT2222A
C
PZT2222A
C
E
E
C
TO-92
EBC
SOT-23
马克： 1P
B
SOT-223
B
NPN通用放大器
本设备是用于使用作为介质的功率放大器和开关
需要集电极电流高达500mA 。
从加工19采购。
绝对最大额定值*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
工作和存储结温范围
价值
40
75
6.0
1.0
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害
注意事项：
1 ）这些等级是基于对150度C的最高结温
2 ）这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
BV
（ BR ） CEO
BV
（ BR ） CBO
BV
（ BR ） EBO
I
CEX
I
CBO
I
EBO
I
BL
h
FE
参数
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 60V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
V
CB
= 60V ，我
E
= 0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0, T
a
= 125°C
V
EB
= 3.0V ，我
C
= 0
V
CE
= 60V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
I
C
= 0.1毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V ，T
a
= -55°C
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V *
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V *
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V *
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V
0.6
35
50
75
35
100
50
40
分钟。
40
75
6.0
10
0.01
10
10
20
马克斯。
单位
V
V
V
nA
A
A
A
A
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基地截止电流
直流电流增益
基本特征
300
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
2004仙童半导体公司
A1修订版2004年8月
电气特性
TA = 25° C除非另有说明
符号
参数
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
rb'C
c
NF
回复（H
ie
)
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
集电极基时间常数
噪声系数
共发射极的实部
高频输入阻抗
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（续）
测试条件
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 1MHz的
I
C
= 20mA时， V
CB
= 20V ， F = 31.8MHz
I
C
= 100μA ，V
CE
= 10V,
R
S
= 1.0kΩ ， F = 1.0kHz
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 300MHz的
分钟。
300
马克斯。
单位
兆赫
8.0
25
150
4.0
60
pF
pF
pS
dB
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
V
CC
= 30V, V
EB （O FF ）
= 0.5V,
I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
热特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
马克斯。
PN2222A
625
5.0
83.3
200
357
125
*MMBT2222A
350
2.8
**PZT2222A
1,000
8.0
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*设备安装在FR- 4 PCB板1.6 “
×
1.6”
×
0.06”.
**装置安装在FR- 4 PCB 36毫米
×
18mm
×
1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
SPICE模型
NPN （ IS = 14.34f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 74.03 BF = 255.9 NE = 1.307伊势= 14.34 IKF = 0.2847 XTB = 1.5 BR = 6.092短路电流Isc = 0
IKR = 0 RC = 1 CJC = 7.306p建超= 0.3416 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 22.01p MJE = 0.377 VJE = 0.75 TR表示46.91n铁蛋白= 411.1p ITF = 0.6
VTF = 1.7 XTF = 3的Rb = 10 ）
2004仙童半导体公司
A1修订版2004年8月
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
PZT2222A
NPN通用
扩音器
特点
*此装置是用于使用作为介质的功率放大器和开关
需要集电极电流高达500mA 。
NPN硅晶体管
1
SOT-223
*无铅电镀产品编号： PZT2222AL
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
PZT2222A-AA3-R
PZT2222AL-AA3-R
包
SOT-223
引脚分配
1
2
3
B
C
E
填料
带盘
PZT2222AL-AA3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ）R ：带卷轴
（ 2 ） AA3 ： SOT- 223
（ 3）L ：无铅电镀，空白：铅/锡
16www.unisonic.com.tw
2005 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R207-001,B
PZT2222A
参数
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25 ℃ ，除非另有规定）
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
75
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
40
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
6
V
集电极电流
I
C
0.6
A
器件总功耗
P
C
1
W
℃
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注1：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低负载应用进行咨询
周期操作。
热数据
（ TA = 25 ℃ ，除非另有说明）
参数
热阻，结到环境
符号
θ
JA
评级
125
单位
℃/W
电气特性
（ TA = 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
底座截止电流
基本特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
I
BL
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CE
=60V, V
EB （O FF ）
=3.0V
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
CB
=60V,I
E
= 0 ，TA = 150 ℃
V
EB
= 3.0V ，我
C
=0
V
CE
=60V, V
EB （O FF ）
=3.0V
I
C
= 0.1毫安，V
CE
=10V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
=10V
I
C
= 10毫安，V
CE
=10V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V ，TA = -55 ℃
I
C
= 150毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 150毫安，V
CE
=1.0V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 100KHz的
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 100KHz的
I
C
= 20mA时， V
CB
= 20V ， F = 31.8MHz
I
C
= 100μA ，V
CE
= 10V ，R
S
=1.0k,
f=1.0kHz
民
75
40
6
10
0.01
10
10
20
35
50
75
35
100
50
40
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
A
A
nA
nA
直流电流增益
h
FE
300
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
小信号特性
跃迁频率
输出电容
输入电容
集电极基时间常数
噪声系数
共发射高的实部
频率输入阻抗
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
科博
CIBO
rb'Cc
NF
0.6
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
pS
dB
300
8.0
25
150
4.0
60
回复（ HJE ）I
C
= 20mA时， V
CB
= 20V ， F = 300MHz的
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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2 6
QW-R207-001,B
PZT2222A
NPN硅晶体管
电气特性
（ TA = 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
开关特性
延迟时间
t
D
V
CC
=30V, V
BE （OFF）的
=0.5V,
上升时间
t
R
I
C
= 150毫安，我
B1
=15mA
贮存时间
t
S
V
CC
= 30V ，我
C
=150mA,
下降时间
t
F
I
B1
= I
B2
=15mA
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
民
典型值
最大
10
25
225
60
单位
ns
ns
ns
ns
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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3 6
QW-R207-001,B
PZT2222A
测试电路
30V
200Ω
NPN硅晶体管
-15V
1k
6.0V
37Ω
16V
0
≤220ns
30V
1.0KΩ
0
≤
220ns
1.0KΩ
50Ω
500Ω
图1.饱和导通开关时间
图2.饱和关断开关时间
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4 6
QW-R207-001,B
PZT2222A
典型特征
NPN硅晶体管
500
V
CE
=5V
直流电流增益，H
FE
集电极 - 发射极电压，V
CE （ SAT ）
(V)
直流电流增益
与集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
0.4
β=10
0.3
125℃
0.2
25℃
0.1
-40℃
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
500
400
300
200
100
125℃
25℃
-40℃
3 10 30 100 300
1
集电极电流，I
C
（MA ）
0
0.1 0.3
基射极电压上，V
BE（上）
(V)
基射极饱和电压
与集电极电流
基射极电压，V
BE （ SAT ）
(V)
基射极电压上
与集电极电流
1
V
CE
=5V
-40℃
25℃
0.6
125℃
0.4
0.2
0.1
1
β=10
-40℃
0.8
0.8
25℃
0.6
125℃
0.4
1
500
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
1
10
集电极电流，I
C
（MA ）
25
500
山口讲师电流，I
CBO
（ nA的）
集电极截止电流
- 环境温度
发射器转换和输出
电容与反向偏置电压
20
f=1MHz
100
10
1
0.1
25
50
75
100
125
150
电容（pF）
V
CB
=40V
16
12
8
4
0.1
C
ob
C
te
环境温度，T
A
(℃)
1
10
反向偏置电压（V）的
100
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5 6
QW-R207-001,B
PZT2222A
NPN硅平面外延型晶体管
集热器
2, 4
BASE
1
3
EM伊特尔
SOT-223
4
1.基地
2.COLLECTOR
3.EMITTER
4.COLLECTOR
1
2
3
绝对最大额定值（TA = 25℃ ）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
设备总Disspation牛逼
A
=25 C
结温
存储温度
符号
VCEO
VCBO
VEBO
集成电路（DC）的
PD
Tj
TSTG
价值
40
75
6.0
600
1.5
150
-65到+150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W
C
C
器件标识
PZT2222A=GT2222A
电气特性
特征
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10 μAdc ， IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = 10 μAdc ， IC = 0 ）
基射极截止电流（ VCE = 60 VDC ， VBE = -3.0Vdc ）
集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 60 VDC ， VBE = -3.0Vdc ）
发射基截止电流（ VEB = 3.0VDC ， IC = 0 ）
符号
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
IBEX
ICEX
IEBO
民
40
75
6.0
-
-
-
最大
-
-
-
20
10
100
单位
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
NADC
注： 1.Device安装在环氧树脂印刷线路板1.575英寸1.575英寸0.059英寸;安装焊盘的
集电极分钟。 0.93英寸。
2
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
PZT2222A
ELECTRICALCHARACTERISTICS
-
持续
harac teris抽动
(T
A
= 25°C除非另有说明）
S ymbol
民
最大
单位
开关特性（续）
集电极 - 基极Cutof当前F
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
C B
= 60 VDC ，我
E
= 0, T
A
= 125 C)
I
CBO
-
-
10
10
NADC
uAdc
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，T
A
= - 55 C)
(I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
基射极饱和电压
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
输入阻抗
5
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
小信号电流增益
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
5
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数（V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 100 uAdc ， F = 1.0千赫）
h
FE
35
50
70
35
100
50
40
-
-
V
BE （SAT）
0.6
-
2.0
0.25
-
-
h
fe
50
75
5.0
25
-
-
-
-
-
-
300
-
-
0.3
1.0
1.2
2.0
8.0
1.25
8.0x10
-4
4.0x10
-4
300
375
35
200
4.0
VDC
V
CE （ SAT ）
VDC
5h
ie
5
k
h
re
-
-
5h
oe
5
umhos
F
dB
DYNAMICCHARACTERISTICS
电流增益
-
带宽积
(I
C
= 20 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
f
T
C
c
C
e
300
-
-
-
8.0
25
兆赫
pF
pF
SWITCHINGTIMES
(T
A
= 25 C)
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 30伏直流电，我
C
= 150 MADC ，
I
B（上）
= 15 MADC ，V
（F ）的EB
= 0 .5Vdc ）
图1
(V
CC
= 30伏直流电，我
C
= 150 MADC ，
I
B（上）
= I
B（关闭）
= 15 MADC ）
ff)
图2
t
d
t
r
t
s
t
f
-
-
-
-
10
25
225
60
ns
ns
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
PZT2222A
V
i
90%
R1
V
i
R2
V
o
D.U.T.
V
CC
0
t
r
t
p
10%
图1输入波形和测试电路，用于确定延迟时间和上升时间
V
i
= - 0.5 V至9.9 V ，V
CC
= 30 V， R1 = 619
脉冲发生器：
脉冲持续时间
上升时间
占空比
t
p
t
r
d
＆ LT ;
-
＆ LT ;
-
=
200纳秒
2纳秒
0.02
, R2 = 200
.
示波器：
输入阻抗
输入CAPACIT
ANCE
上升时间
Z
i
C
i
t
r
> 100千
＆ LT ;
12 pF的
＆ LT ;
5纳秒
V
i
+16.2 V
V
CC
R2
D.U.T.
R3
Vo
示波器
R4
t
f
100毫秒
V
BB
R1
0
时间
V
i
D1
- 13.8 V
图2输入波形和测试电路，用于确定存储时间和下降时间
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
PZT2222A
SOT- 223外形尺寸
单位：mm
A
F
暗淡
MILLIMETERS
民
最大
4
S
1
2
3
B
D
L
G
C
H
M
K
J
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
6.30
3.30
1.50
0.60
2.90
2.20
0.020
0.24
1.50
0.85
0
6.70
6.70
3.70
1.75
0.89
3.20
2.40
0.100
0.35
2.00
1.05
10
7.30
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
PN2222A
MMBT2222A
C
PZT2222A
C
E
E
C
TO-92
EBC
SOT-23
马克： 1P
B
SOT-223
B
NPN通用放大器
本设备是用于使用作为介质的功率放大器和开关
需要集电极电流高达500mA 。
从加工19采购。
绝对最大额定值*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
工作和存储结温范围
价值
40
75
6.0
1.0
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害
注意事项：
1 ）这些等级是基于对150度C的最高结温
2 ）这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
BV
（ BR ） CEO
BV
（ BR ） CBO
BV
（ BR ） EBO
I
CEX
I
CBO
I
EBO
I
BL
h
FE
参数
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 60V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
V
CB
= 60V ，我
E
= 0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0, T
a
= 125°C
V
EB
= 3.0V ，我
C
= 0
V
CE
= 60V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
I
C
= 0.1毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V ，T
a
= -55°C
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V *
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V *
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V *
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V
0.6
35
50
75
35
100
50
40
分钟。
40
75
6.0
10
0.01
10
10
20
马克斯。
单位
V
V
V
nA
A
A
A
A
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基地截止电流
直流电流增益
基本特征
300
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
2004仙童半导体公司
A1修订版2004年8月
电气特性
TA = 25° C除非另有说明
符号
参数
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
rb'C
c
NF
回复（H
ie
)
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
集电极基时间常数
噪声系数
共发射极的实部
高频输入阻抗
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（续）
测试条件
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 1MHz的
I
C
= 20mA时， V
CB
= 20V ， F = 31.8MHz
I
C
= 100μA ，V
CE
= 10V,
R
S
= 1.0kΩ ， F = 1.0kHz
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 300MHz的
分钟。
300
马克斯。
单位
兆赫
8.0
25
150
4.0
60
pF
pF
pS
dB
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
V
CC
= 30V, V
EB （O FF ）
= 0.5V,
I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
热特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
马克斯。
PN2222A
625
5.0
83.3
200
357
125
*MMBT2222A
350
2.8
**PZT2222A
1,000
8.0
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*设备安装在FR- 4 PCB板1.6 “
×
1.6”
×
0.06”.
**装置安装在FR- 4 PCB 36毫米
×
18mm
×
1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
SPICE模型
NPN （ IS = 14.34f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 74.03 BF = 255.9 NE = 1.307伊势= 14.34 IKF = 0.2847 XTB = 1.5 BR = 6.092短路电流Isc = 0
IKR = 0 RC = 1 CJC = 7.306p建超= 0.3416 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 22.01p MJE = 0.377 VJE = 0.75 TR表示46.91n铁蛋白= 411.1p ITF = 0.6
VTF = 1.7 XTF = 3的Rb = 10 ）
2004仙童半导体公司
A1修订版2004年8月
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
PN2222A
MMBT2222A
C
PZT2222A
C
E
C
B
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 1P
B
SOT-223
MMPQ2222
E2
B2
E3
B3
E4
B4
NMT2222
C2
E1
C1
E1
B1
SOIC-16
针＃ 1
C1
C2
C1
C3
C2
C4
C4
C3
B2
E2
SOT-6
马克： .1B
B1
NPN通用放大器
这个装置是用于使用作为介质的功率放大器和开关
需要集电极电流高达500 mA 。从亲源
塞斯19 。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
40
75
6.0
1.0
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
1997仙童半导体公司
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
NPN通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
CBO
I
EBO
I
BL
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基地截止电流
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CE
= 60 V, V
EB （O FF ）
= 3.0 V
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CB
= 60 V，I
E
= 0, T
A
= 150°C
V
EB
= 3.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 60 V, V
EB （O FF ）
= 3.0 V
40
75
6.0
10
0.01
10
10
20
V
V
V
nA
A
A
nA
nA
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V ，T
A
= -55°C
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10 V*
I
C
= 150毫安， V
CE
= 1.0 V*
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10 V*
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
35
50
75
35
100
50
40
300
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和
电压*
基射极饱和电压*
0.6
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
rb'C
C
NF
回复（H
ie
)
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
集电极基时间常数
噪声系数
共发射极的实部
高频输入阻抗
（ MMPQ2222和NMT2222除外）
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 20 V ， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 100千赫
V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0中，f = 100千赫
I
C
能力= 20 mA ，V
CB
= 20 V ， F = 31.8兆赫
I
C
= 100
A,
V
CE
= 10 V,
R
S
= 1.0千欧， F = 1.0千赫
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 20 V ， F = 300 MHz的
300
8.0
25
150
4.0
60
兆赫
pF
pF
pS
dB
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（ MMPQ2222和NMT2222除外）
V
CC
= 30 V, V
BE （OFF）的
= 0.5 V,
I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
SPICE模型
NPN （ IS = 14.34f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 74.03 BF = 255.9 NE = 1.307伊势= 14.34f IKF = 0.2847 XTB = 1.5 BR = 6.092 NC = 2的Isc = 0
IKR = 0 RC = 1 CJC = 7.306p建超= 0.3416 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 22.01p MJE = 0.377 VJE = 0.75 TR表示46.91n铁蛋白= 411.1p ITF = 0.6
VTF = 1.7 XTF = 3的Rb = 10 ）
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
NPN通用放大器
（续）
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
PN2222A
625
5.0
83.3
200
最大
*PZT2222A
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
符号
P
D
R
θJA
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
有效的4模
每个模具
最大
**MMBT2222A
350
2.8
357
MMPQ2222
1,000
8.0
125
240
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
**
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
典型特征
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
500
V
CE
= 5V
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.4
β
= 10
0.3
125 °C
25 °C
400
300
200
25 °C
125 °C
0.2
100
- 40 °C
0.1
- 40 °C
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
300
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
500
V
-
BE（上）
基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（V）的
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
β
= 10
基射极电压ON VS
集电极电流
1
V
CE
= 5V
0.8
- 40 °C
25 °C
0.8
- 40 °C
25 °C
0.6
0.6
125 °C
125 °C
0.4
0.4
1
I
C
10
100
- 集电极电流（毫安）
500
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
25
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
NPN通用放大器
（续）
典型特征
（续）
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
500
发射器转换和输出
电容VS反向偏置电压
20
电容（pF）
16
12
科特
100
10
1
0.1
V
CB
= 40V
F = 1 MHz的
8
4
OB
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度（
°
C)
150
0.1
1
10
反向偏置电压（V）的
100
开启和关闭时间
VS集电极电流
400
I
B1
= I
B2
=
320
V CC = 25 V
开关时间
VS集电极电流
400
I
B1
= I
B2
=
320
V CC = 25 V
I
c
10
I
c
10
时间（纳秒）
时间（纳秒）
240
160
80
T ON
吨关闭
240
160
80
0
10
tf
td
ts
tr
0
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗（ W）
0.75
SOT-223
TO-92
0.5
SOT-23
0.25
0
0
25
50
75
100
o
温度（℃）
125
150
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
NPN通用放大器
（续）
测试电路
30 V
200
16 V
1.0 K
0
≤
200ns
500
图1 ：饱和导通开关时间
- 15 V
6.0 V
1k
37
30 V
1.0 K
0
≤
200ns
50
图2 ：饱和关断开关时间
QQ：2881677436 复制
