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硅NPN开关晶体管
PZT 2222
PZT 2222一
q
高直流电流增益:0.1 mA至500毫安
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型:压电陶瓷2907 ( PNP )
PZT 2907 A( PNP )
TYPE
PZT 2222
PZT 2222一
记号
ZT 2222
ZT 2222一
订购代码
(磁带和卷轴)
Q62702-Z2026
Q62702-Z2027
引脚配置
1
2
3
4
B
C
E
C
1)
SOT-223
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗,
T
S
=
110 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
87
27
符号
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
PZT 2222
PZT 2222一
30
60
5
40
75
6
600
1.5
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
W
C
K / W
1)
2)
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
PZT 2222
PZT 2222一
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0
PZT 2222
PZT 2222一
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10
A,
I
B
= 0
PZT 2222
PZT 2222一
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A,
I
E
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 50 V,
I
E
= 0
V
CB
= 50 V,
I
E
= 0,
T
A
= 150 C
发射基截止电流
V
EB
= 3 V,
I
C
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 30 V,
– V
BE
= 0.5 V
发射基截止电流
V
CE
= 30 V,
– V
BE
= 0.5 V
直流电流增益
1)
I
C
= 0.1毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 150毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 10 V
PZT 2222
PZT 2222一
I
CB0
PZT 2222
PZT 2222一
PZT 2222
PZT 2222一
I
EB0
I
CEV
I
EBV
h
FE
35
50
75
100
30
40
300
20
10
20
10
10
50
50
nA
nA
A
A
nA
V
(BR)CE0
30
40
V
(BR)CB0
60
75
V
(BR)EB0
5
6
V
典型值。
马克斯。
单位
PZT 2222
PZT 2222一
1)
脉冲测试条件:
t
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
2
PZT 2222
PZT 2222一
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 150毫安,
I
B
= 15毫安
PZT 2222
PZT 2222一
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
PZT 2222
PZT 2222一
基射极饱和电压
1)
I
C
= 150毫安,
I
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
PZT 2222
PZT 2222一
PZT 2222
PZT 2222一
V
CESAT
V
BESAT
1.3
1.2
2.6
2.0
0.4
0.3
1.6
1.0
V
典型值。
马克斯。
单位
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 20 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
输入电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安,
I
B1
= 15毫安
延迟时间
上升时间
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安,
I
B1
=
I
B2
= 15毫安
贮存时间
下降时间
(见图表)
f
T
C
敖包
C
IBO
200
8
30
兆赫
pF
t
d
t
r
t
英镑
t
f
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
1)
脉冲测试条件:
t
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
3
PZT 2222
PZT 2222一
输入波形和测试电路,用于确定延迟,上升和开启时间
开启时间时,切换到
I
CON
= 150毫安;
I
BON
= 15毫安
输入波形和测试电路,用于确定存储,秋,关断时间
关断时间时,切换到
I
CON
= 150毫安;
I
BON
= 15 mA至截止带 -
I
B关
= 15毫安
脉冲发生器:
占空比
脉冲持续时间
上升时间
输出阻抗
D
=2%
t
p
= 200纳秒
t
r
2纳秒
Z
o
= 50
示波器:
上升时间
输出阻抗
t
r
5纳秒
Z
i
= 10 M
半导体集团
4
PZT 2222
PZT 2222一
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 20 V,
f
= 100兆赫
饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
,
V
CESAT
)
h
FE
= 10
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 10 V
半导体集团
5
PZT2222 / PZT2222A
PZT2222 / PZT2222A
NPN
Suface山硅外延平面晶体管开关
SI- Epitaxie平面- Schalttransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗
Verlustleistung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。
Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
3.5
±0.2
NPN
1.3 W
SOT-223
0.04 g
版本2006-05-09
6.5
±0.2
3
±0.1
4
1.65
TYPE
CODE
1
0.7
2.3
2
3.25
3
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2/4 = C
3=E
最大额定值(T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基伏。 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom ( DC )
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
ê开放
B开
c打开
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
合计
I
C
T
j
T
S
7
±0.3
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
PZT2222
30 V
60 V
5V
1.3 W
1
)
600毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
PZT2222A
40 V
75 V
6V
特性(T
j
= 25°C)
分钟。
集电极截止电流 - Kollektor - Reststrom
I
E
= 0, V
CB
= 50 V
I
E
= 0, V
CB
= 50 V ,T
j
= 150°C
发射极截止电流 - 发射极Reststrom
I
C
= 0, V
EB
= 3 V
集电极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
PZT2222
PZT2222A
PZT2222
PZT2222A
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
I
EBO
PZT2222
PZT2222A
PZT2222
PZT2222A
I
CBO
I
CBO
I
CBO
I
CBO
Kennwerte (T
j
= 25°C)
典型值。
–-
马克斯。
20 nA的
10 nA的
20 A
10 A
10 nA的
0.4 V
0.3 V
1.6 V
1.0 V
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒,占空比≤ 2 % - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒, Schaltverhltnis ≤ 2%
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
PZT2222 / PZT2222A
特性(T
j
= 25°C)
分钟。
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
I
C
I
C
I
C
I
C
=
=
=
=
0.1毫安,
1毫安,
10毫安,
150毫安,
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
=
=
=
=
10
10
10
10
V
V
V
V
2
)
PZT2222
PZT2222A
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
f
T
C
CBO
C
EBO
t
d
I
CON
= 150毫安
I
BON
= 15毫安
- I
B关
= 15毫安
t
r
t
s
t
f
R
THA
R
THS
35
50
75
100
30
40
200兆赫
< 93 K / W
1
)
< 27 K / W
PZT2907 , PZT2907A
300
8 pF的
30 pF的
10纳秒
25纳秒
225纳秒
60纳秒
PZT2222
PZT2222A
PZT2222
PZT2222A
V
BESAT
V
BESAT
V
BESAT
V
BESAT
1.3 V
1.2 V
2.6 V
2.0 V
Kennwerte (T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
I
C
= 500毫安, V
CE
= 10 V
2
)
增益带宽积 - Transitfrequenz
I
C
能力= 20 mA ,V
CE
= 20 V , F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
V
CB
= 10 V,I
E
= i
e
= 0中,f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
V
EB
= 0.5 V,I
C
= i
c
= 0中,f = 1 MHz的
切换时间 - Schaltzeiten
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到焊接点
Wrmewiderstand Sperrschicht - Ltpad
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒,占空比≤ 2 % - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒, Schaltverhltnis ≤ 2%
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
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操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PZT2222
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
PZT2222
NXP/PHI
24+
2800
SOT-223
全新原装正品,热卖价优
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
PZT2222
PHILIPS/飞利浦
22+
32570
SOT223
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-82121176
联系人:吴小姐/朱先生
地址:罗湖区泥岗东路1116号红岗花园2栋一单元502室
PZT2222
NXP/PHI
23/24+
2800
SOT-223
原厂原装
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
PZT2222
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8760
贴◆插
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电话:0755-23306107
联系人:业务员
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园4栋
PZT2222
NXP/PHI
21+
12500
SOT-223
原装正品现货
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
PZT2222
NXP/PHI
21+22+
12600
SOT-223
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
PZT2222
NXP/PHI
16+09+
2800
SOT-223
原装正品,支持实单
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电话:0755-83361530
联系人:朱小姐
地址:深圳褔田区华强北上步工业区201栋303A
PZT2222
NXP/PHI
16+09+
2800
SOT-223
专业元器件20年 只做原装
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
PZT2222
NXP/恩智浦
24+
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