分立半导体
数据表
PZ1418B30U ; PZ1721B25U ;
PZ2024B20U
NPN微波功率晶体管
产品speci fi cation
取代1992年6月的数据
在分离式半导体文件， SC15
1997年2月19日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
特点
叉指结构提供了高效率的发射器
扩散发射极镇流电阻，提供出色的
电流共享和承受高VSWR
镀金实现非常稳定的特性
和优良的一生
多单元的几何形状给人消散良好的平衡
功率和低热阻
内部输入和输出prematching确保良好的
稳定和易于使用的宽带。
应用
CW下的公共基类-B宽带放大器
条件在军事和专业应用。
PZ1418B30U ; PZ1721B25U ;
PZ2024B20U
钉扎 - SOT443A
针
1
2
3
集热器
辐射源
底座连接到FL法兰
描述
手册， halfpage
1
c
b
3
e
2
描述
顶视图
MAM314
NPN硅平面外延微波功率晶体管
一个SOT443A金属陶瓷法兰封装基地
连接到所述凸缘。
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
RF性能可达到吨
mb
= 25
°C
在一个公共基类-B宽带放大器呃。
类型编号
PZ1418B30U
PZ1721B25U
PZ2024B20U
f
（千兆赫）
1.4到1.8
1.7至2.1
2至2.4
V
CC
(V)
28
28
28
P
L
(W)
≥27
≥25
≥20
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的板坯不被损坏。
所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
G
p
（ dB）的
≥7.3
≥7
≥6
η
C
(%)
≥38
≥35
≥35
Z
i
; Z
L
()
参见图6和图7
参见图11和图12
见图16和17
1997年2月19日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
储存温度
工作结温
焊接温度
T
mb
≤
75
°C
PZ1418B30U ; PZ1721B25U ;
PZ2024B20U
条件
发射极开路
开基
R
BE
= 0
集电极开路
分钟。
马克斯。
40
15
35
3
4
45
+200
200
235
V
V
V
V
A
W
单位
65
°C
°C
°C
手册，
50
MGD970
P合计
(W)
40
30
20
10
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
Fig.2
功率降额曲线的函数
安装基座的温度。
1997年2月19日
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
热特性
符号
R
日J- MB
R
日MB -H
记
参数
结点的热阻在安装基
从安装基热阻到散热器
PZ1418B30U ; PZ1721B25U ;
PZ2024B20U
条件
T
j
= 75
°C
T
j
= 75
°C;
注1
马克斯。
2.2
0.2
单位
K / W
K / W
1.请参阅“安装
在SC15手册的通用部分“的建议。
特征
T
mb
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
CES
I
EBO
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
条件
V
CB
= 40 V ;我
E
= 0
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0
V
CE
= 35 V ;
BE
= 0
V
EB
= 1.5 V ;我
C
= 0
10
5
50
200
马克斯。
单位
mA
mA
mA
A
应用信息
PZ1418B30U
微波性能达至T
mb
= 25
°C
在一个公共基类B的宽带放大器呃。
TYPE
数
PZ1418B30U
f
（千兆赫）
1.4到1.8
V
CC
(V)
28
P
L
(W)
≥27
（典型值） 。 35
G
p
（ dB）的
≥7.3
（典型值） 。 8.4
η
C
(%)
≥38
（典型值） 。 45
Z
i
; Z
L
()
参见图6和图7
手册，全页宽
输入
50
,,,,,
,,,,, ,,,,,
,,
,,,,, ,,,,,
,,,,, ,,,,,
,,,,,
2
4
5
5
2
5.5
2
12
21
4
0.65
0.65
6.5
100 pF的
（ ATC）的
8.5
产量
50
MGK064
尺寸（mm） 。
基材： Epsilam印刷电路板。
厚度： 0.635毫米。
介电常数：
ε
r
= 10.
图3宽带测试电路板1.4 1.8 GHz的操作（ PZ1418B30U ） 。
1997年2月19日
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
PZ1418B30U ; PZ1721B25U ;
PZ2024B20U
手册， halfpage
(1)
(2)
(3)
40
MGD984
手册， halfpage
40
MGL066
PL
(W)
PL
(W)
30
PL
η
C
(%)
20
η
C
50
40
VSWR
0
0
2
4
圆周率（W）的
6
1.4
1.5
1.6
1.7
VSWR
2
1
1.8
1.9
F（千兆赫）
B类操作; V
CC
= 28 V ;牛逼
mb
= 25
°C.
（ 1 ） 1.4 GHz的。
（2） 1.6千兆赫。
（3） 1.8千兆赫。
B类操作; V
CC
= 28 V ;牛逼
mb
= 25
°C;
P
i
= 5 W.
Fig.5
Fig.4
负载功率作为输入功率的函数;
典型值PZ1418B30U 。
负载功率，效率和VSWR为
频率的函数;典型的价值
为PZ1418B30U 。
1997年2月19日
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