PYX28C64
8K ×8的EEPROM
特点
的200 ，250， 300和350 ns访问时报
单5V ± 10 ％电源
简单的字节和页式写
低功耗CMOS ：
- 60毫安工作电流
- 200 μA待机电流
快速写周期时间
软件数据保护
充分TTL兼容输入和输出
耐力： 10,000或100,000次
数据保存： 100年
提供以下套餐：
- 32引脚陶瓷LCC （ 450× 550密耳）
- 28引脚600密耳陶瓷DIP
描述
该PYX28C64是采用浮动5伏8Kx8 EEPROM
栅CMOS技术。该设备支持64字节
页面写操作。该PYX28C64特点
数据
和
翻转位轮询以及一个系统软件方案
用于指示提前完成写周期的。该
器件还包括用户可选的软件数据保护
化。耐力是10,000或100,000次及数据
保留100年。该器件采用32引脚
LCC封装，以及28引脚600密耳宽陶瓷
DIP封装。
销刀豆网络gurations
功能框图
DIP （ C5-1 ）
1519B
LCC （ L6 ）
文档＃
EEPROM101
版本B
修订后的2007年7月
1
PYX28C64
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达6.25V ）
工作温度
价值
-0.3 6.25
-0.5到
+6.25
-55到+125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
V
°C
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-55到+125
-65到+150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
(2)
军事
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
GND
0V
V
CC
5.0V ± 10%
电容
(4)
V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
10
10
pF
pF
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
IH
V
IL
V
HC
V
LC
V
OL
V
OH
I
LI
参数
输入高电压
输入低电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输出低电压
（ TTL负载）
输出高电压
（ TTL负载）
输入漏电流
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CE
= V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
CE
≥
V
IH
,
OE
= V
IL
,
V
CC
=最大，
F =最大值，输出打开
CE
≥
V
HC
,
V
CC
=最大，
F = 0时，输出打开
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
CE
=
OE
=
V
IL
,
WE
= V
IH
,
所有的I / O =打开，
输入= V
CC
= 5.5V
___
3
mA
–10
+10
A
2.4
–10
+10
测试条件
P5C164
民
2.0
–0.5
(3)
V
CC
–0.2
–0.5
(3)
最大
V
CC
+0.3
0.8
V
CC
+0.5
0.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
A
I
LO
输出漏电流
I
SB
备用电源
电流（ TTL电平输入）
备用电源
当前
（ CMOS输入电平）
I
SB1
___
250
A
I
CC
电源电流
___
60
mA
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
文档＃
EEPROM101
版本B
第11 2
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