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PY264
8K
X
8重新编程的PROM
特点
EPROM技术重新编程
高速
- 35/45/55 NS (商业)
- 35/45/55 NS (军事)
低功耗工作:
- 660毫瓦商业
- 770毫瓦军事
单5V ± 10 %电源
对于重编程窗口的设备
充分TTL兼容输入和输出
标准引脚( JEDEC批准) :
- 24引脚600密耳窗CERDIP
- 24引脚600密耳无窗塑料DIP
描述
该PY264是8Kx8 CMOS PROM 。该装置是
其中,当暴露在窗口封装
UV光,在PROM中存储的内容被擦除,并且
可重新编程。 EPROM技术采用的是
的存储单元进行编程。在EPROM重新
张塌塌米一个12.5V进行编程。设备测试
保证设备的性能满足了DC和
客户程序后, AC的技术指标。
从设备执行读操作,
CS
是低的。
通过所建立的地址的存储器内容
地址引脚(A
0
到A
12
)将成为可用的
输出(O
0
与O
7
).
该PY264是24引脚600密耳陶瓷DIP封装提供
(窗)和塑料DIP封装(无窗) 。
功能框图
引脚配置
DIP ( P8 , WD2 )
注:在窗口
只有WD2包
文档#
EPROM102
转或
1
修订后的2007年7月
PY264
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
(高达7.0V )
编程电压
价值
-0.5到+7
-0.5到
V
CC
+0.5
13
单位
V
符号
T
A
T
BIAS
V
V
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
工作温度
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-55到+125
-55到+125
-65到+150
1.0
50
单位
°C
°C
°C
W
mA
V
TERM
V
PP
推荐工作条件
GRADE
(2)
广告
军事
环境温度
0 ° C至70℃
-55 ° C至+ 125°C
GND
0V
0V
VCC
5.0V ±10%
5.0V ±10%
电容
(4)
(V
CC
= 5.0V ,T
A
= 25 ° C,F = 1.0MHz的)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
10
10
pF
pF
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
IH
V
IL
V
HC
V
LC
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
V
PP
I
PP
V
国际水文计划
V
ILP
参数
输入高电压
输入低电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输出低电压( TTL负载)
输出高电压( TTL负载)
输入漏电流
输出漏电流
编程电压
编程电源电流
输入高电压编程
输入低电压编程
4.75
0.4
I
OL
= 16毫安,V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安,V
CC
=最小值。
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大,
CE
= V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
COM
米尔
测试条件
PY264
最大
2.0
–0.5
(3)
V
CC
–0.2
–0.5
(3)
V
CC
0.8
V
CC
+0.5
0.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
2.4
–10
–10
–40
12
+10
+10
+40
13
50
A
A
A
V
mA
V
V
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流*
温度范围
广告
军事
–35
100
120
–45
100
120
–55
100
120
单位
mA
mA
文档#
EPROM102
转或
第2页8
PY264
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 5V ±10 % ,全温度范围)
(2)
符号
t
AA
t
HZCS1
t
ACS1
t
HZCS2
t
ACS2
t
PU
t
PD
参数
地址到输出有效
片选信号无效,以高Z
片选有效到输出有效
片选信号无效,以高Z
片选有效到输出有效
片选活动,以加电
芯片看中无效掉电
-35
最小最大
35
20
20
35
35
0
35
-45
最小最大
45
30
30
45
45
0
45
-55
最小最大
55
35
35
55
55
0
55
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期的时序波形
注意事项:
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入, V
IL
IL
不超过-3.0V更负,
-100mA ,分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样,而不是100 %测试。
文档#
EPROM102
转或
第3页8
PY264
设备擦除
如果装置进行以下的光的波长
4000埃,设备擦除开始。这是
因此,建议使用一种不透明的标签在
窗口中的事件的设备将被暴露在照明
许久。紫外线剂量擦除需要
波长2537埃为最低剂量
25 WSEC /厘米
2
。如果使用的12毫瓦紫外线灯/厘米
2
中,
估计的曝光时间为35分钟。设备
在应该定位于1英寸的灯的
擦除过程。永久性的损害可发生于
设备,如果暴露在UV光下的长时间
时间。
读取模式
读出所寻址的内容是正常的操作
模式编程设备。信号是在正常
TTL电平。寻址被施加到13个地址引脚
CS
为LOW 。在这些条件下,被寻址的
位置内容被呈现给输出管脚。
模式选择
引脚功能
模式
输出禁用
节目
禁止程序
程序校验
BLANK CHECK
读取或输出禁用
节目
A
12
NA
A
12
A
12
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
A
11
VPP
A
11
A
11
VPP
VPP
VPP
VPP
A
10
LATCH
A
10
A
10
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
A
9
P GM
A
9
A
9
V
ILP
V
国际水文计划
V
国际水文计划
V
国际水文计划
A
8
V风云
A
8
A
8
V
国际水文计划
V
国际水文计划
V
ILP
V
ILP
CS
CS
V
IL
V
IH
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
O
7
-O
0
D
7
-D
0
O
7
-O
0
高Z
D
7
-D
0
高Z
O
7
-O
0
O
7
-O
0
编程引脚分配
文档#
EPROM102
转或
第4页8
PY264
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入时序参考电平
输出时序参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
图1.输出负载
*包括范围和测试夹具。
注意:
由于PY264的超高速度,必须注意,当
测试此设备;不适当的设置可能会导致正常运作
部分被拒绝的错误。长高的电感导致的原因
图2.戴维南等效
一定要避免使V电源反弹
CC
层和接地层
直接到接触手指。一个0.01μF高频电容
V之间也需要
CC
和地面。
文档#
EPROM102
转或
第5页8
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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