【分立半导体数据表书， halfpageM3D109PXTA14NPN达林顿晶体管产品speci fi】,IC型号PXTA14,PXTA14 PDF资料,PXTA14经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D109

PXTA14

NPN达林顿晶体管

产品speci fi cation

取代1997年的数据4月23日

1999年04月14

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN达林顿晶体管

特点

大电流（最大500 mA）的

低电压（最大30伏）。

应用

高输入阻抗前置放大器。

描述

NPN达林顿晶体管在SOT89塑料包装。

PNP补充： PXTA64 。

记号

类型编号

PXTA14

标识代码

p1N

手册， halfpage

PXTA14

钉扎

针

辐射源

集热器

BASE

描述

TR1

TR2

MAM300

底部视图

Fig.1简化外形（ SOT89 ）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

CBO

CES

EBO

合计

英镑

AMB

记

1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米

对于其他安装条件，请参阅

“散热考虑在总则部分对相关的SOT89

手册“ 。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

基极电流（DC）的

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

AMB

≤

°C;

注1

条件

发射极开路

= 0

集电极开路

分钟。

马克斯。

500

200

1.3

+150

150

+150

°C

单位

1999年04月14

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN达林顿晶体管

热特性

符号

日J-一

第j个-S

记

参数

从结点到环境的热阻

从结热阻到焊点

条件

注1

价值

PXTA14

单位

K / W

1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米

对于其他安装条件，请参阅

“散热考虑在总则部分对相关的SOT89

手册“ 。

特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

CES

EBO

CESAT

BESAT

BEON

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

= 0; V

= 30 V

= 0; V

= 30 V

= 0; V

= 10 V

= 10毫安; V

= 5 V ; （见图2）

= 100毫安; V

= 5 V ; （见图2）

集电极 - 发射极饱和电压I

= 100毫安;我

- 0.1毫安

基射极饱和电压

基极 - 发射极导通电压

跃迁频率

= 100毫安;我

- 0.1毫安

= 100毫安; V

= 5 V

= 30毫安; V

= 5 V ; F = 100 MHz的

10000

20000

125

分钟。

马克斯。

100

1.5

兆赫

单位

1999年04月14

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN达林顿晶体管

PXTA14

手册，全页宽

80000

的hFE

MGD837

60000

40000

20000

IC （MA ）

= 2 V.

图2直流电流增益;典型值。

1999年04月14

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN达林顿晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装;收集垫为良好的传热; 3引线

PXTA14

SOT89

规模

4 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

1.6

1.4

0.48

0.35

0.53

0.40

1.8

1.4

0.44

0.37

4.6

4.4

2.6

2.4

3.0

1.5

4.25

3.75

分钟。

0.8

0.13

概要

VERSION

SOT89

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年04月14

分立半导体

数据表

dbook ， halfpage

M3D109

PXTA14

NPN达林顿晶体管

产品数据表

取代1999年的数据04月14日

2004年12月9日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN达林顿晶体管

特点

大电流（最大500 mA）的

低电压（最大30伏）。

应用

高输入阻抗前置放大器。

描述

NPN达林顿晶体管在SOT89塑料包装。

PNP补充： PXTA64 。

记号

类型编号

PXTA14

记

1. * = P ：香港制造。

* = T：在马来西亚进行。

* = W ：中国制造。

订购信息

包

类型编号

名字

PXTA14

SC-62

描述

塑料表面贴装封装;收集垫好热

转让; 3引线

标识代码

(1)

*1N

PXTA14

钉扎

针

辐射源

集热器

BASE

描述

TR1

TR2

sym087

Fig.1简化外形（ SOT89 ）和符号。

VERSION

SOT89

2004年12月9日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN达林顿晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

CBO

CES

EBO

合计

英镑

AMB

记

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

基极电流（DC）的

总功耗

储存温度

结温

环境温度

AMB

≤

°C;

注1

条件

发射极开路

= 0 V

集电极开路

分钟。

PXTA14

马克斯。

500

200

1.3

+150

150

+150

单位

°C

1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米

对于其他安装条件，请参阅

“散热考虑在总则部分对相关的SOT89

手册“ 。

热特性

符号

号（j -a）的

日（ J- S）

记

1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米

对于其他安装条件，请参阅

“散热考虑在总则部分对相关的SOT89

手册“ 。

特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

CES

EBO

CESAT

BESAT

BEON

参数

集电极 - 基极截止电流

集电极 - 发射极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

= 0 ; V

= 30 V

= 0 V; V

= 30 V

= 0 ; V

= 10 V

= 10毫安; V

= 5 V ; （见图2）

= 100毫安; V

= 5 V ; （见图2）

集电极 - 发射极饱和电压I

= 100毫安;我

- 0.1毫安

基射极饱和电压

基极 - 发射极导通电压

跃迁频率

= 100毫安;我

- 0.1毫安

= 100毫安; V

= 5 V

= 30毫安; V

= 5 V ; F = 100 MHz的

10 000

20 000

125

分钟。

马克斯。

100

1.5

兆赫

单位

参数

从结点到环境的热阻

从结热阻到焊点

条件

注1

价值

单位

K / W

2004年12月9日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN达林顿晶体管

PXTA14

手册，全页宽

80000

的hFE

MGD837

60000

40000

20000

IC （MA ）

= 2 V.

图2直流电流增益;典型值。

2004年12月9日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN达林顿晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装;收集垫为良好的传热; 3引线

PXTA14

SOT89

规模

4 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

1.6

1.4

bp1

0.48

0.35

bp2

0.53

0.40

bp3

1.8

1.4

0.44

0.23

4.6

4.4

2.6

2.4

3.0

1.5

4.25

3.75

1.2

0.8

0.13

概要

VERSION

SOT89

参考文献：

IEC

JEDEC

TO-243

JEITA

SC-62

欧洲

投影

发行日期

04-08-03

06-03-16

2004年12月9日