【PX3511A ， PX3511B数据表2007年2月26日FN6462.0先进的同步整流降压有保护】,IC型号PX3511BDDG-RA,PX3511BDDG-RA PDF资料,PX3511BDDG-RA经销商,ic,电子元器件-51电子网

PX3511A ， PX3511B

数据表

2007年2月26日

FN6462.0

先进的同步整流降压

有保护功能的MOSFET驱动器

该PX3511A和PX3511B是高频MOSFET

司机专门设计用于驱动上下功率

N沟道MOSFET的同步整流降压

转换器拓扑结构。这些驱动结合

ISL6595数字多相降压PWM控制器和

N沟道MOSFET构成一个完整的核心电压

先进的微处理器稳压器解决方案。

该PX3511A驱动上部栅极至12V，而下

门可以独立驱动的范围内从5V到

12V 。该PX3511B驱动通过上下两个门

范围5V至12V的。该驱动电压提供了灵活性

要优化涉及权衡的应用

与栅极电荷和导通损耗。

自适应零贯通保护集成到

防止两个从导通的上部和下部的MOSFET

同时并尽量减少死区时间。这些

产品中添加过电压保护功能的操作

前VCC超过它的导通阈值，在该

相节点被连接到低压侧的栅极

MOSFET （ LGATE ）。该转换器的输出电压是

然后通过低边MOSFET的阈值时，限制其

提供一些保护以微处理器如果上

MOSFET （S ）在初始启动短路。

这些驱动程序还具有三态PWM输入其中，

与Intersil的多相PWM控制器一起工作，

防止了不利的瞬间对输出电压时的

输出被关闭。这个特性消除了肖特基

二极管，用于在一些系统中，用于保护负载

从相反的输出电压事件。

特点

双MOSFET驱动器的同步整流桥

可调节栅极电压（ 5V至12V ），以实现最佳效率

36V内部自举肖特基二极管

自举电容防过度充电

支持高开关频率（高达2MHz ）

- 沉3A电流能力

- 快速的上升/下降时间和低传输延迟

三态PWM输入输出级关闭

三态PWM输入滞后的应用随着

电源排序要求

预POR过压保护

VCC欠压保护

可扩展底层的铜箔板以增强散热

下沉

双列扁平无引线（ DFN ）封装

- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板

效率和稀释剂的个人资料

无铅加退火有（符合RoHS ）

应用

核心稳压器和英特尔微处理器AMD

高电流DC / DC转换器

高频和高效率VRM和VRD

相关文献

技术简介TB363 “准则处理和

处理湿度敏感表面贴装器件

（ SMD的） “

技术简介TB417的动力传动系设计，布局

指引和反馈补偿设计

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或1-888-468-3774

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

PX3511A ， PX3511B

订购信息

产品型号

PX3511ADAG （注）

PX3511ADAG - R 3 （注）

PX3511ADDG

PX3511ADDG-RA

PX3511BDAG （注）

PX3511BDAG - R 3 （注）

PX3511BDDG

PX3511BDDG-RA

最热

PX3511 ADAG

11AD

PX351 BDAG

PX3511 BDAG

11BD

TEMP 。范围（° C）

0至+85

包

8 Ld的SOIC （无铅）

8 Ld的SOIC （无铅），磁带和卷轴

10 Ld的3×3 DFN

10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴

8 Ld的SOIC （无铅）

8 Ld的SOIC （无铅），磁带和卷轴

10 Ld的3×3 DFN

10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴

PKG 。 DWG 。＃

M8.15

L10.3x3

M8.15

L10.3x3

注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板

终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品MSL

分类，可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。

引脚配置

PX3511ACB ， PX3511BCB

（ 8 LD SOIC ）

顶视图

UGATE

BOOT

PWM

GND

相

PVCC

VCC

LGATE

PX3511ACR ， PX3511BCR

（ 10 LD的3x3 DFN ）

顶视图

CRD L

UGATE

BAT

相

BOOT

USB

N / C

PPR

PW M

NTC或

GND

OVP

或En

PVCC

ICDL

GND

N / C

VCC

USBP

IUSB

LGATE

框图

PX3511A和PX3511B

UVCC

VCC

+5V

10K

PWM

POR /

控制

逻辑

LGATE

PRE- POR过压保护

特点

BOOT

UGATE

相

（ LVCC ）

PVCC

UVCC = VCC FOR PX3511A

UVCC = PVCC FOR PX3511B

拍摄开启

通过

保护

GND

PAD

FOR DFN -DEVICES ，在底部垫

该程序包必须焊接到电路的地。

FN6462.0

2007年2月26日

典型应用 - 4通道转换器使用ISL6595和PX3511A栅极驱动器

+12V

PX3511

+5V

1 UGATE

2 BOOT

3 PWM

4 GND

第8阶段

7 PVCC

VCC 6

LGATE 5

+3.3V

VDD

V12_SEN

GND

PX3511

1 UGATE

2 BOOT

3 PWM

4 GND

第8阶段

7 PVCC

VCC 6

ISL6595

VID4

VID3

VID2

VID1

从μP

VID0

VID5

LL0

LL1

OUTEN

OUT1

OUT2

ISEN1

OUT3

OUT4

ISEN2

OUT5

OUT6

ISEN3

OUT7

OUT8

PX3511A ， PX3511B

LGATE 5

VOUT

PX3511

1 UGATE

2 BOOT

3 PWM

4 GND

第8阶段

7 PVCC

VCC 6

LGATE 5

RTN

以微处理器

VCC_PWRGD

ISEN4

OUT9

RESET_N

OUT10

ISEN5

PX3511

1 UGATE

2 BOOT

3 PWM

4 GND

第8阶段

7 PVCC

VCC 6

LGATE 5

故障

输出

FAULT1

FAULT2

OUT11

OUT12

ISEN6

SDA

I2C I / F

公共汽车

SCL

SADDR

FN6462.0

2007年2月26日

TEMP_SEN

RTHERM

CAL_CUR_EN

CAL_CUR_SEN

VSENP

VSENN

PX3511A ， PX3511B

绝对最大额定值

电源电压（ VCC）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .15V

电源电压（ PVCC ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 VCC + 0.3V

BOOT电压（V

BOOT

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V

输入电压（V

PWM

）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3V至7V

UGATE 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

相

- 0.3V

到V

BOOT

+ 0.3V

相

- 3.5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V

BOOT

+ 0.3V

LGATE 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3V

到V

PVCC

+ 0.3V

GND - 5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V

PVCC

+ 0.3V

相。。。。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3V

至15V

PVCC

= 12V)

GND - 8V （ <400ns ， 20μJ ）至30V （ <200ns ， VBOOT - GND<36V ）

ESD额定值

人体模型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 I类JEDEC STD

热信息

热阻

（ ° C / W）

SOIC封装（注1 ）。。。。。。。。。。。。

100

不适用

DFN封装（注2，注3 ）。。。。。。。。。。

最高结温（塑料封装）。。。。。。。 + 150°C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 - 65 ° C至+ 150°C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。 + 300℃

（ SOIC - 只会提示）

推荐工作条件

环境温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0 ° C至+ 85°C

最大工作结温。。。。。。。。。。。。。 + 125°C

电源电压VCC 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 12V

±10%

电源电压范围， PVCC 。。。。。。。。。。。。。。。。 5V至12V

±10%

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意事项：

测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。

测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看

技术简介TB379 。

的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。

电气规格

参数

VCC电源电流

偏置电源电流

推荐工作条件，除非另有说明。

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

VCC

PX3511A中，f

PWM

= 300kHz的，V

VCC

= 12V

PX3511B ，女

PWM

= 300kHz的，V

VCC

= 12V

4.5

10.5

7.5

8.5

VCC

PX3511A中，f

PWM

= 1MHz时， V

VCC

= 12V

PX3511B ，女

PWM

= 1MHz时， V

VCC

= 12V

门驱动偏置电流

PVCC

PX3511A中，f

PWM

= 300kHz的，V

PVCC

= 12V

PX3511B ，女

PWM

= 300kHz的，V

PVCC

= 12V

PVCC

（注4 ）

上电复位和启用

VCC上升阈值

VCC下降阈值

PWM输入（参见第6页的时序图）

输入电流

PWM

PX3511A中，f

PWM

= 1MHz时， V

PVCC

= 12V

PX3511B ，女

PWM

= 1MHz时， V

PVCC

= 12V

9.35

7.35

9.8

7.6

10.0

8.0

PWM

= 3.3V

PWM

= 0V

1.23

505

-460

1.70

1.30

1.18

0.76

2.36

1.82

PWM上限阈值（注4 ）

PWM下降阈值（注4 ）

典型的三态关闭窗口

三态门下限阈值下降

三态下闸上升阈值

三态门上阈值上升

VCC = 12V

FN6462.0

2007年2月26日

PX3511A ， PX3511B

电气规格

参数

三态门上下降阈值

关闭释抑时间

UGATE上升时间

LGATE上升时间

UGATE下降时间（注4 ）

LGATE下降时间（注4 ）

UGATE导通传播延迟（注4 ）

LGATE导通传播延迟（注4 ）

UGATE关断传播延迟（注4 ）

LGATE关断传播延迟（注4 ）

LG / UG三态传输延迟（注4 ）

产量

上驱动源电流（注4 ）

上驱动源阻抗

上驱动吸收电流（注4 ）

上驱动吸收阻抗

降低驱动源电流（注4 ）

降低驱动源阻抗

较低的驱动器吸收电流（注4 ）

下驱动水槽阻抗

注意：

4.通过设计保证。不是100 ％生产测试。

U_SOURCE

PVCC

= 12V， 3nF的负载

U_SOURCE

150毫安源电流

U_SINK

L_SOURCE

PVCC

= 12V， 3nF的负载

150毫安灌电流

PVCC

= 12V， 3nF的负载

1.4

0.9

0.85

0.60

1.25

2.0

1.65

1.3

0.94

3.0

2.2

1.35

tSSHD

PDHU

PDHL

PDLU

PDLL

PDTS

PVCC

= 12V， 3nF的负载，10％至90％的

PVCC

= 12V， 3nF的负载，10％至90％的

PVCC

= 12V， 3nF的负载，90％至10％的

PVCC

= 12V， 3nF的负载，90％至10％的

PVCC

= 12V ， 3nF的负载，自适应

PVCC

= 12V ， 3nF的负载，自适应

PVCC

= 12V， 3nF的负载

PVCC

= 12V， 3nF的负载

PVCC

= 12V， 3nF的负载

推荐工作条件，除非另有说明。

（续）

符号

测试条件

VCC = 12V

民

典型值

1.96

245

最大

单位

L_SOURCE

150毫安源电流

L_SINK

PVCC

= 12V， 3nF的负载

150毫安灌电流

功能引脚说明

封装引脚＃

SOIC

DFN

针

符号

UGATE

BOOT

功能

上栅极驱动输出。连接到高侧功率N沟道MOSFET栅极。

浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。连接该引脚和之间的自举电容

PHASE引脚。自举电容器提供打开上部MOSFET的电荷。看到内部自举

在说明的指导，选择电容值器件部分。

无连接。

PWM信号是控制输入的驱动程序。 PWM信号可以在操作过程中输入三个不同的国家，看看

根据描述的三态PWM输入部分的进一步细节。该引脚连接到的PWM输出

控制器。

偏置和参考地。所有的信号都参考这个节点。它也是驾驶者的动力接地回路。

更低的栅极驱动器输出。连接到所述低侧功率N沟道MOSFET的栅极。

该引脚连接到+ 12V的偏置电源。此引脚与GND放置一个高品质低ESR的陶瓷电容。

该引脚提供电源给在PX3511B上下两个栅极驱动器;只有在PX3511A较低的栅极驱动。

它的工作范围为+ 5V至12V 。此引脚与GND放置一个高品质低ESR的陶瓷电容。

该引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的漏极。该引脚提供

返回路径的上部栅极驱动器。

通过散热增强型连接来连接该端口的电源地平面（ GND ）。

3,8

N / C

PWM

GND

LGATE

VCC

PVCC

相

PAD

FN6462.0

2007年2月26日