晶闸管模块
(非隔离
型)
PWB100A
PWB100A
是晶闸管模块适合于低电压,3相recifier应用程序。
26.5max
(每个设备)
●
高浪涌电流3500 A( 60赫兹)
●
施工方便
●
非隔离。安装底座为共阳极端子
(应用程序)
焊接电源
各种直流电源
●
I
T( AV )
100A
93.5max
80
K3
3
(13)
K2
2
K1
1
K2 G2
2-
φ6.5
K1 G1
G3 K3
16.5
23
23
3-M5
6-110TAB
K3
3
K2
2
K1 K2
1
G2
G3 K3
A
K1 G1
30max
(21)
单位:
A
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
V
DRM
符号
(
I
牛逼AV)
(
I
牛逼RMS )
项
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
重复峰值断态电压
项
平均通态电流
均方根通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压(正向)
峰值栅极电压(反向)
通态电流临界上升率
工作结温
储存温度
MOUNTING
力矩
块
MOUNTING
(M6)
Terminal(M5)
评级
PWB100A30
300
360
300
条件
单相半波, 180 °
传导,TC : 114 ℃
单相半波, 180 °
传导,TC : 114 ℃
1
周期,
/
2
PWB100A40
400
480
400
评级
100
157
3200
/
3500
51000
10
1
3
10
5
单位
V
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A
/
μs
℃
℃
N½½
(㎏f½B)
g
I
TSM
I
2
t
P
GM
(AV)
P
G
为50Hz / 60Hz的,峰值,非重复性
I
FGM
V
FGM
V
RGM
的di / dt
Tj
TSTG
I
G
=200mA,
Tj=25℃,
D
=
1 2
V
DRM
,
G
/
dt=1A
/
V
/
dI
μs
50
30
to
+150
30
to
+125
推荐值2.5-3.9 ( 25-40 )
推荐值1.5-2.5 ( 15-25 )
4.7(48)
2.7(28)
170
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
/V
GT
V
GD
TGT
dv / dt的
I
H
项
重复峰值断态电流,最大。
重复峰值反向电流,最大。
峰值通态电压,最大。
门极触发电流/电压,最大。
非触发门电压。分钟。
开启时间,最大
断态电压,最小的临界上升率。
保持电流,典型值。
条件
在V
DRM
单相半波, TJ = 150 ℃
在V
DRM
单相半波, TJ = 150 ℃
通态电流310A , TJ = 25 ℃研究所。测量
Tj=25℃,I
T
=1A,V
D
=6V
Tj=150℃,V
D
=
1 2
V
DRM
/
I
T
=100A,
G
=200mA,
I
Tj=25℃,
D
=
1 2
V
DRM
,
G
/
dt=1A
/
V
/
dI
μs
TJ = 150 ℃ ,V
D
=
2 3
V
DRM
,指数波。
/
Tj=25℃
结到
案例(
1 3
模块)
/
评级
15
15
1.20
150
/
2
0.25
10
50
70
0.3
单位
mA
mA
V
mA
/
V
V
μs
V
/
μs
mA
℃
/
W
RTH J- C)热阻抗,最大。
(
三社电机
50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH ( 516 ) 625-1313传真( 516 ) 625-8845电邮: semi@sanrex.com
瞬态热阻抗
θ
(℃/W)
J-
浪涌通态电流
(A)
;;
;;
2
PWB100A
GATE特性
5
2
导通电压最大值
1
1
0
峰值正向栅极电压10V )
(
栅极电压
(V)
5
峰门Currennt 3A)
(
Av
er
ag
eG
2
0
吃
Pe
宝AK摹
我们一
( TE
r 1
0W
通态电流
(A)
1
3
0
)
5
2
Po
1
0
25℃
we
(
r
1W
)
1
2
0
5
150℃
–30℃
5
2
1
最大栅极电压,不会terigger任何单位
1
1
0
1
0
1
1
0
2
5
1
2
0
2
5
1
3
0
2
5
2
0
0.
5
1
15
.
2
25
.
3
栅电流
(MA )
通态电压
(V)
特区
允许外壳温度
(℃)
20
5
20
0
通态平均电流与功率耗散
(单相半波)
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
9
0
平均通态电流与最大允许
外壳温度
(单相半波)
每一个元素
2
360
。
功耗
(W)
θ
=180゜
10
5
θ
=120゜
θ
=90゜
θ
=60゜
=导通角
:
10
0
5
0
θ
=30゜
每一个元素
2
360
。
θ
=30゜
θ
=90゜
θ
=180゜
θ
=30゜
特区
特区
:导通角
θ
=60゜
θ
=120゜
0
0
5
0
10
0
10
5
20
0
20
5
0
2 4 6 8 10 10 10 10 10 20 20
0 0 0 0 0 2 4 6 8 0 2
平均通态电流
(A)
平均通态电流
(A)
30
50
30
00
浪涌通态电流额定值
(不重复)
每一个元素
Tj=25℃
05
.
04
.
03
.
瞬态热阻抗
每elememt
20
50
结到外壳
60Hz
20
00
02
.
10
50
01
.
0
1
2
5
1
0
2
0
5
0
10
0
0
1
ー3
2
0
5 1
ー2
2
0
时间
(周期)
时间
t
秒)
(
5 1
ー1
2
0
5 1
0
2
0
5 1
1
0
晶闸管模块
(非隔离
型)
PWB100A
PWB100A
是晶闸管模块适合于低电压,3相recifier应用程序。
26.5max
(每个设备)
●
高浪涌电流3500 A( 60赫兹)
●
施工方便
●
非隔离。安装底座为共阳极端子
(应用程序)
焊接电源
各种直流电源
●
I
T( AV )
100A
93.5max
80
K3
3
(13)
K2
2
K1
1
K2 G2
2-
φ6.5
K1 G1
G3 K3
16.5
23
23
3-M5
6-110TAB
K3
3
K2
2
K1 K2
1
G2
G3 K3
A
K1 G1
30max
(21)
单位:
A
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
V
DRM
符号
(
I
牛逼AV)
(
I
牛逼RMS )
项
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
重复峰值断态电压
项
平均通态电流
均方根通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压(正向)
峰值栅极电压(反向)
通态电流临界上升率
工作结温
储存温度
MOUNTING
力矩
块
MOUNTING
(M6)
Terminal(M5)
评级
PWB100A30
300
360
300
条件
单相半波, 180 °
传导,TC : 114 ℃
单相半波, 180 °
传导,TC : 114 ℃
1
周期,
/
2
PWB100A40
400
480
400
评级
100
157
3200
/
3500
51000
10
1
3
10
5
单位
V
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A
/
μs
℃
℃
N½½
(㎏f½B)
g
I
TSM
I
2
t
P
GM
(AV)
P
G
为50Hz / 60Hz的,峰值,非重复性
I
FGM
V
FGM
V
RGM
的di / dt
Tj
TSTG
I
G
=200mA,
Tj=25℃,
D
=
1 2
V
DRM
,
G
/
dt=1A
/
V
/
dI
μs
50
30
to
+150
30
to
+125
推荐值2.5-3.9 ( 25-40 )
推荐值1.5-2.5 ( 15-25 )
4.7(48)
2.7(28)
170
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
/V
GT
V
GD
TGT
dv / dt的
I
H
项
重复峰值断态电流,最大。
重复峰值反向电流,最大。
峰值通态电压,最大。
门极触发电流/电压,最大。
非触发门电压。分钟。
开启时间,最大
断态电压,最小的临界上升率。
保持电流,典型值。
条件
在V
DRM
单相半波, TJ = 150 ℃
在V
DRM
单相半波, TJ = 150 ℃
通态电流310A , TJ = 25 ℃研究所。测量
Tj=25℃,I
T
=1A,V
D
=6V
Tj=150℃,V
D
=
1 2
V
DRM
/
I
T
=100A,
G
=200mA,
I
Tj=25℃,
D
=
1 2
V
DRM
,
G
/
dt=1A
/
V
/
dI
μs
TJ = 150 ℃ ,V
D
=
2 3
V
DRM
,指数波。
/
Tj=25℃
结到
案例(
1 3
模块)
/
评级
15
15
1.20
150
/
2
0.25
10
50
70
0.3
单位
mA
mA
V
mA
/
V
V
μs
V
/
μs
mA
℃
/
W
RTH J- C)热阻抗,最大。
(
三社电机
50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH ( 516 ) 625-1313传真( 516 ) 625-8845电邮: semi@sanrex.com
瞬态热阻抗
θ
(℃/W)
J-
浪涌通态电流
(A)
;;
;;
2
PWB100A
GATE特性
5
2
导通电压最大值
1
1
0
峰值正向栅极电压10V )
(
栅极电压
(V)
5
峰门Currennt 3A)
(
Av
er
ag
eG
2
0
吃
Pe
宝AK摹
我们一
( TE
r 1
0W
通态电流
(A)
1
3
0
)
5
2
Po
1
0
25℃
we
(
r
1W
)
1
2
0
5
150℃
–30℃
5
2
1
最大栅极电压,不会terigger任何单位
1
1
0
1
0
1
1
0
2
5
1
2
0
2
5
1
3
0
2
5
2
0
0.
5
1
15
.
2
25
.
3
栅电流
(MA )
通态电压
(V)
特区
允许外壳温度
(℃)
20
5
20
0
通态平均电流与功率耗散
(单相半波)
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
9
0
平均通态电流与最大允许
外壳温度
(单相半波)
每一个元素
2
360
。
功耗
(W)
θ
=180゜
10
5
θ
=120゜
θ
=90゜
θ
=60゜
=导通角
:
10
0
5
0
θ
=30゜
每一个元素
2
360
。
θ
=30゜
θ
=90゜
θ
=180゜
θ
=30゜
特区
特区
:导通角
θ
=60゜
θ
=120゜
0
0
5
0
10
0
10
5
20
0
20
5
0
2 4 6 8 10 10 10 10 10 20 20
0 0 0 0 0 2 4 6 8 0 2
平均通态电流
(A)
平均通态电流
(A)
30
50
30
00
浪涌通态电流额定值
(不重复)
每一个元素
Tj=25℃
05
.
04
.
03
.
瞬态热阻抗
每elememt
20
50
结到外壳
60Hz
20
00
02
.
10
50
01
.
0
1
2
5
1
0
2
0
5
0
10
0
0
1
ー3
2
0
5 1
ー2
2
0
时间
(周期)
时间
t
秒)
(
5 1
ー1
2
0
5 1
0
2
0
5 1
1
0