飞利浦半导体
PIMZ2 ; PUMZ2
NPN / PNP通用双晶体管
5.极限值
表6：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
SOT457
SOT363
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
总功耗
SOT457
SOT363
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板。
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
最大
60
50
7
150
200
100
200
180
+150
150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
-
-
65
-
65
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
-
-
300
300
mW
mW
6.热特性
表7：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT457
SOT363
每个器件
R
号（j -a）的
从热阻
结到环境
SOT457
SOT363
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板。
条件
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
民
典型值
最大
单位
每个晶体管
-
-
-
-
625
694
K / W
K / W
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
-
-
-
-
417
417
K / W
K / W
9397 750 13966
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据表
牧师05 - 2004年11月24日
3 9
飞利浦半导体
PIMZ2 ; PUMZ2
NPN / PNP通用双晶体管
7.特点
表8：
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
f
T
C
c
V
CESAT
f
T
C
c
条件
民
-
-
-
120
-
-
-
-
100
-
典型值
-
-
-
250
-
190
2.3
-
-
-
最大
100
50
100
560
500
-
5
250
-
3
mV
兆赫
pF
mV
兆赫
pF
单位
nA
A
nA
每个晶体管;对于PNP晶体管，负极性;除非另有规定编
集电极 - 基极截止电流V
CB
= 60 V ;我
E
= 0 A
V
CB
= 60 V ;我
E
= 0 ;吨
j
= 150
°C
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压
跃迁频率
集电极电容
集电极 - 发射极饱和
电压
跃迁频率
集电极电容
V
EB
= 7 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 6 V ;我
C
= 1毫安
I
C
=
50
毫安;我
B
=
5
mA
I
E
=
2
毫安; V
CE
=
12
V ; F = 100 MHz的
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
=
12
V ; F = 1 MHz的
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安
I
E
= 2毫安; V
CE
= 12 V ; F = 100 MHz的
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
= 12 V ; F = 1 MHz的
TR1 （ PNP ）
TR2 （ NPN ）
9397 750 13966
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据表
牧师05 - 2004年11月24日
4 9
恩智浦半导体
PIMZ2 ; PUMZ2
NPN / PNP通用双晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
SOT457
SOT363
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
总功耗
SOT457
SOT363
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板。
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
最大
60
50
7
150
200
100
200
180
+150
150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
-
-
65
-
65
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
-
-
300
300
mW
mW
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT457
SOT363
每个器件
R
号（j -a）的
从热阻
结到环境
SOT457
SOT363
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板。
条件
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
民
典型值
最大
单位
每个晶体管
-
-
-
-
625
694
K / W
K / W
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
-
-
-
-
417
417
K / W
K / W
PIMZ2_PUMZ2_6
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2009年11月17日
3 9
恩智浦半导体
PIMZ2 ; PUMZ2
NPN / PNP通用双晶体管
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
f
T
C
c
V
CESAT
f
T
C
c
条件
民
-
-
-
120
-
-
-
-
100
-
典型值
-
-
-
250
-
190
2.3
-
-
-
最大
100
50
100
560
500
-
5
250
-
3
mV
兆赫
pF
mV
兆赫
pF
单位
nA
μA
nA
每个晶体管;对于PNP晶体管，负极性;除非另有规定编
集电极 - 基极截止电流V
CB
= 60 V ;我
E
= 0 A
V
CB
= 60 V ;我
E
= 0 ;吨
j
= 150
°C
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压
跃迁频率
集电极电容
集电极 - 发射极饱和
电压
跃迁频率
集电极电容
V
EB
= 7 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 6 V ;我
C
= 1毫安
I
C
=
50
毫安;我
B
=
5
mA
I
E
=
2
毫安; V
CE
=
12
V ; F = 100 MHz的
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
=
12
V ; F = 1 MHz的
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安
I
E
= 2毫安; V
CE
= 12 V ; F = 100 MHz的
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
= 12 V ; F = 1 MHz的
TR1 （ PNP ）
TR2 （ NPN ）
PIMZ2_PUMZ2_6
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2009年11月17日
4 9
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