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分立半导体

数据表

dbook ， halfpage

MBD128

PUMZ1

NPN / PNP通用

晶体管

产品数据表

取代2002年5月6日的数据

2004年10月15日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN / PNP通用晶体管

特点

低电流（最大100 mA时）

低电压（最大40 V）

减少了部件和boardspace的数目。

应用

通用的开关和放大。

手册， halfpage

PUMZ1

钉扎

针

1, 4

2, 5

3, 6

辐射源

BASE

集热器

描述

TR1 ; TR2

TR2 ; TR1

描述

两个独立运行的NPN / PNP晶体管的

SC- 88 ; SOT363塑料包装。

TR2

TR1

顶视图

MAM341

记号

类型编号

PUMZ1

记

1. * = - ：香港制造。

* = T：在马来西亚进行。

* = W ：中国制造。

订购信息

标识代码

(1)

F *

Fig.1简化外形（ SC - 88）和符号。

包

类型编号

名字

PUMZ1

描述

塑料表面贴装封装; 6引线

VERSION

SOT363

2004年10月15日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN / PNP通用晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

参数

条件

AMB

≤

°C

AMB

≤

°C;

注1

分钟。

马克斯。

PUMZ1

单位

每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

AMB

每个器件

合计

记

1.装置安装在一FR4印刷电路板。

热特性

符号

每个器件

号（j -a）的

记

1.装置安装在一FR4印刷电路板。

从结点到环境的热阻

注1

416

K / W

参数

条件

价值

单位

总功耗

300

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

发射极开路

开基

集电极开路

100

200

+150

150

+150

°C

2004年10月15日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN / PNP通用晶体管

特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

参数

条件

120

= 2毫安; V

= 12 V ; F = 100 MHz的100

分钟。

PUMZ1

马克斯。

单位

每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性

CBO

EBO

CESAT

集电极 - 基极截止电流

发射极 - 基极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

集电极电容

TR1

TR2

记

1.脉冲测试：吨

≤

300

μs; δ ≤

0.02.

跃迁频率

= 0 ; V

= 30 V

= 0 ; V

= 30 V ;牛逼

= 150

°C

= 0 ; V

= 4 V

= 1毫安; V

= 6 V

= 50毫安;我

= 5毫安;注1

= i

= 0 ; V

= 12 V ; F = 1 MHz的

1.5

2.2

兆赫

100

200

μA

2004年10月15日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN / PNP通用晶体管

包装外形

PUMZ1

塑料表面贴装封装; 6引线

SOT363

销1

指数

细节X

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

1.1

0.8

最大

0.1

0.30

0.20

0.25

0.10

2.2

1.8

1.35

1.15

1.3

0.65

2.2

2.0

0.45

0.15

0.25

0.15

0.2

0.1

概要

VERSION

SOT363

参考文献：

IEC

JEDEC

JEITA

SC-88

欧洲

投影

发行日期

04-11-08

06-03-16

2004年10月15日

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

PUMZ1

初步

NPN / PNP硅晶体管

NPN / PNP通用

晶体管

描述

在UTC

PUMZ1

是一个NPN / PNP晶体管，在专门用于

开关和放大应用的通用。因此，两个

NPN / PNP晶体管采用SOT -363独立运作

封装。

特点

*低电流：100mA （最大值）

*低电压： 40V （ MAX 。）

*组件，并Boardspace需要较少数量

*无卤

符号

订购信息

订购数量

PUMZ1G-AL6-R

包

SOT-363

填料

带盘

记号

www.unisonic.com.tw

2010 Unisonic技术有限公司

1 4

QW-R218-011.a

PUMZ1

引脚配置

初步

NPN / PNP硅晶体管

引脚说明

PIN号

1,4

2,5

3,6

引脚名称

辐射源

BASE

集热器

描述

TR2 ; TR1

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

2 4

QW-R218-011.a

PUMZ1

初步

NPN / PNP硅晶体管

绝对最大额定值

参数

符号

评级

单位

每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性

集电极 - 基极电压

CBO

集电极 - 发射极电压

首席执行官

发射极 - 基极电压

EBO

集电极电流（ DC ）

100

峰值集电极电流

200

峰值电流基地

200

≤

25°C

200

总功耗

≤

25 ° C（注2 ）

300

结温

150

°C

储存温度

英镑

-65 ~ +150

°C

工作环境温度

OPR

-65 ~ +150

°C

注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。

绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。

2.设备安装在一FR4印刷电路板。

热数据

参数

符号

结到环境

注：设备安装在一FR4印刷电路板。

评级

416

单位

K / W

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

符号

测试条件

每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性

= 30V ，我

收集截止电流

CBO

= 30V ，我

=0, T

=150°C

发射极截止电流

EBO

= 4V ，我

直流电流增益

= 6V ，我

=1mA

集电极 - 发射极饱和电压（注）V

CE （ SAT ）

= 50mA时我

=5mA

TR1

集电极电容

= 0; V

= 12V ; F = 1MHz的

TR2

跃迁频率

= 12V，我

= 2毫安中，f = 100MHz的

注1.脉冲测试：吨

≤

300

μs; δ ≤

0.02.

民

典型值

最大单位

100

120

200

1.5

2.2

100

μA

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

3 4

QW-R218-011.a

PUMZ1

初步

NPN / PNP硅晶体管

UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则

超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或

其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含

在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用

这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现

本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的

可靠，可恕不另行通知。

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

4 4

QW-R218-011.a

分立半导体

数据表

手册， halfpage

MBD128

PUMZ1

NPN / PNP通用

晶体管

初步speci fi cation

取代1997年的数据7月9日

1999年04月14

飞利浦半导体

初步speci fi cation

NPN / PNP通用晶体管

特点

低电流（最大100 mA时）

低电压（最大40 V）

减少了部件和boardspace的数目。

应用

通用的开关和放大。

手册， halfpage

PUMZ1

钉扎

针

1, 4

2, 5

3, 6

辐射源

BASE

集热器

描述

TR2 ; TR1

描述

两个独立运行的NPN / PNP晶体管的

SC- 88塑料封装。

TR2

TR1

顶视图

MAM341

记号

类型编号

PUMZ1

标识代码

保税区

Fig.1简化外形（ SC - 88）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

参数

条件

AMB

≤

°C

AMB

≤

°C;

注1

分钟。

马克斯。

单位

每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

AMB

每个器件

合计

记

1.装置安装在一FR4印刷电路板。

总功耗

300

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

发射极开路

开基

集电极开路

100

200

+150

150

+150

°C

1999年04月14

飞利浦半导体

初步speci fi cation

NPN / PNP通用晶体管

热特性

符号

每个器件

日J-一

记

1.装置安装在一FR4印刷电路板。

特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

参数

条件

120

= 2毫安; V

= 12 V ; F = 100 MHz的100

分钟。

从结点到环境的热阻

注1

416

参数

条件

价值

PUMZ1

单位

K / W

马克斯。

单位

每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性

CBO

EBO

CESAT

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

集电极电容

TR1

TR2

记

1.脉冲测试：吨

≤

300

s; δ ≤

0.02.

跃迁频率

= 0; V

= 30 V

= 0; V

= 30 V ;牛逼

= 150

°C

= 0; V

= 4 V

= 1毫安; V

= 6 V

= 50毫安;我

= 5毫安;注1

= i

= 0; V

= 12 V ; F = 1 MHz的

1.5

2.2

兆赫

100

200

1999年04月14

飞利浦半导体

初步speci fi cation

NPN / PNP通用晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 6引线

PUMZ1

SOT363

销1

指数

细节X

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

1.1

0.8

最大

0.1

0.30

0.20

0.25

0.10

2.2

1.8

1.35

1.15

1.3

0.65

2.2

2.0

0.45

0.15

0.25

0.15

0.2

0.1

概要

VERSION

SOT363

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

SC-88

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年04月14

飞利浦半导体

初步speci fi cation

NPN / PNP通用晶体管

释义

数据表状态

客观的特定网络阳离子

初步speci fi cation

产品speci fi cation

极限值

PUMZ1

此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。

此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。

此数据表包含网络最终产品规范阳离子。

给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。强调以上一个或

更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营

该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的

是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。

应用信息

其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。

生命支持应用

这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障

产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户

在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏

不当使用或销售。

1999年04月14