PUMX2
NPN /通用NPN双晶体管
版本01 - 2005年11月10日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN / NPN通用在小型SOT363双晶体管（ SC -88 ）表面
安装器件（SMD ）塑料封装。
1.2产品特点
s
简化网络连接的ES电路设计
s
减少了元件数量
s
减少取放成本
1.3应用
s
通用开关和放大器阳离子
1.4快速参考数据
表1：
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
V
CE
= 6 V ;我
C
= 1毫安
条件
开基
民
-
-
120
典型值
-
-
250
最大
50
150
560
单位
V
mA
每个晶体管
2.管脚信息
表2：
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
发射TR1
发射TR2
基地TR2
收藏家TR2
基地TR1
收藏家TR1
1
2
3
1
2
3
006aaa653
简化的轮廓
6
5
4
符号
6
TR1
5
4
TR2
飞利浦半导体
PUMX2
NPN /通用NPN双晶体管
3.订购信息
表3：
订购信息
包
名字
PUMX2
SC-88
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT363
类型编号
4.标记
表4：
PUMX2
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
标记代码
标识代码
[1]
Z1*
类型编号
5.极限值
表5：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
每个器件
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
[1]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
总功耗
储存温度
结温
环境温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
T
AMB
≤
25
°C
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
65
-
65
最大
60
50
7
150
200
100
180
300
+150
150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
每个晶体管
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
PUMX2_1
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
版本01 - 2005年11月10日
2第8
飞利浦半导体
PUMX2
NPN /通用NPN双晶体管
6.热特性
表6：
符号
R
号（j -a）的
每个器件
R
号（j -a）的
[1]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结到环境
条件
在自由空气
[1]
民
-
典型值
-
最大
694
单位
K / W
每个晶体管
在自由空气
[1]
-
-
417
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
7.特点
表7：
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基
截止电流
发射极 - 基
截止电流
直流电流增益
条件
V
CB
= 60 V ;我
E
= 0 A
V
CB
= 60 V ;我
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
= 7 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 6 V ;我
C
= 1毫安
民
-
-
-
120
-
100
-
典型值
-
-
-
250
-
-
-
最大
100
50
100
560
250
-
3
mV
兆赫
pF
单位
nA
A
nA
每个晶体管
I
EBO
h
FE
V
CESAT
f
T
C
c
集电极 - 发射极
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安
饱和电压
过渡
频率
集热器
电容
V
CE
= 12 V ;我
E
= 2毫安;
F = 100 MHz的
V
CB
= 12 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
PUMX2_1
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
版本01 - 2005年11月10日
3 8
飞利浦半导体
PUMX2
NPN /通用NPN双晶体管
8封装外形
2.2
1.8
6
5
4
0.45
0.15
1.1
0.8
2.2 1.35
2.0 1.15
销1
指数
1
0.65
1.3
尺寸（mm）
2
3
0.3
0.2
0.25
0.10
04-11-08
图1.封装外形SOT363 （ SC -88 ）
9.包装信息
表8：
包装方法
指示的-xxx是的12NC订货代码的最后三位数字。
[1]
类型编号
PUMX2
包
SOT363
描述
4毫米间距8毫米磁带和卷轴; T1
4毫米间距8毫米磁带和卷轴; T2
[1]
[2]
[3]
[2]
[3]
包装数量
3000
-115
-125
10000
-135
-165
如需进一步信息和包装方法的途径，请参阅
第16节。
T1 ：正常录音
T2 ：反向盘带
PUMX2_1
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
版本01 - 2005年11月10日
4 8
飞利浦半导体
PUMX2
NPN /通用NPN双晶体管
10.焊接
2.65
0.60
(2×)
2.35
0.40 0.90 2.10
(2×)
0.50
(4×)
锡膏
焊区
阻焊
占领区
0.50
(4×)
1.20
2.40
MSA432
尺寸（mm）
图2.重新溢流焊接足迹SOT363 （ SC -88 ）
5.25
4.50
0.30 1.00 4.00
焊区
阻焊
占领区
1.15
3.75
焊接过程中的运输方向
MSA426
尺寸（mm）
图3.波峰焊足迹SOT363 （ SC -88 ）
PUMX2_1
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
版本01 - 2005年11月10日
5 8
PUMX2
NPN /通用NPN双晶体管
牧师02 - 2009年11月17日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN / NPN通用在小型SOT363双晶体管（ SC -88 ）表面
安装器件（SMD ）塑料封装。
1.2产品特点
简化网络连接的ES电路设计
减少了元件数量
减少取放成本
1.3应用
通用开关和放大
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
V
CE
= 6 V ;我
C
= 1毫安
条件
开基
民
-
-
120
典型值
-
-
250
最大
50
150
560
单位
V
mA
每个晶体管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
发射TR1
发射TR2
基地TR2
收藏家TR2
基地TR1
收藏家TR1
1
2
3
1
2
3
006aaa653
简化的轮廓
6
5
4
符号
6
TR1
5
4
TR2
恩智浦半导体
PUMX2
NPN /通用NPN双晶体管
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PUMX2
SC-88
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT363
类型编号
4.标记
表4 。
PUMX2
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
标记代码
标识代码
[1]
Z1*
类型编号
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
每个器件
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
[1]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
总功耗
储存温度
结温
环境温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
T
AMB
≤
25
°C
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
65
-
65
最大
60
50
7
150
200
100
180
300
+150
150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
每个晶体管
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
PUMX2_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年11月17日
2第8
恩智浦半导体
PUMX2
NPN /通用NPN双晶体管
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
每个器件
R
号（j -a）的
[1]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结到环境
条件
在自由空气
[1]
民
-
典型值
-
最大
694
单位
K / W
每个晶体管
在自由空气
[1]
-
-
417
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
7.特点
表7中。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基
截止电流
发射极 - 基
截止电流
直流电流增益
条件
V
CB
= 60 V ;我
E
= 0 A
V
CB
= 60 V ;我
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
= 7 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 6 V ;我
C
= 1毫安
民
-
-
-
120
-
100
-
典型值
-
-
-
250
-
-
-
最大
100
50
100
560
250
-
3
mV
兆赫
pF
单位
nA
μA
nA
每个晶体管
I
EBO
h
FE
V
CESAT
f
T
C
c
集电极 - 发射极
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安
饱和电压
过渡
频率
集热器
电容
V
CE
= 12 V ;我
E
= 2毫安;
F = 100 MHz的
V
CB
= 12 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
PUMX2_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年11月17日
3 8
恩智浦半导体
PUMX2
NPN /通用NPN双晶体管
8封装外形
2.2
1.8
6
5
4
0.45
0.15
1.1
0.8
2.2 1.35
2.0 1.15
销1
指数
1
0.65
1.3
尺寸（mm）
2
3
0.3
0.2
0.25
0.10
06-03-16
图1 。
封装外形SOT363 （ SC -88 ）
9.包装信息
表8 。
包装方法
指示的-xxx是的12NC订货代码的最后三位数字。
[1]
类型编号
PUMX2
包
SOT363
描述
4毫米间距8毫米磁带和卷轴; T1
4毫米间距8毫米磁带和卷轴; T2
[1]
[2]
[3]
[2]
[3]
包装数量
3000
-115
-125
10000
-135
-165
如需进一步信息和包装方法的途径，请参阅
第13节。
T1 ：正常录音
T2 ：反向盘带
PUMX2_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年11月17日
4 8
QQ：2880707522 复制
