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PTV12020W/L
SLTS231A - 2004年11月 - 修订2005年2月
16 -A ， 12 -V输入非隔离宽输出调节SIP模块
特点
高达16 A输出电流
12 V输入电压
宽输出电压调节
（ 1.2 V至5.5 V ） / （ 0.8 V至1.8 V ）
效率高达93 ％
开/关禁止
输出电压检测
预偏置启动
欠压锁定
的Auto-Track 排序
输出过电流保护（非闩锁，
自动复位）
过热保护
工作温度： -40 ° C至85°C
安规认证： UL / CUL 60950 ，
EN60950 VDE （待定）
POLA Alliance兼容
应用
多电压数字系统
高端计算
联网
12 -V中间总线架构
描述
该PTV12020系列非隔离电源模块是一类新的完整的dc / dc转换的一部分
稳压器模块德州仪器（TI） 。这些稳压器结合了高性能，双面，
表面安装施工，使设计人员能够灵活地提供动力的最复杂的多处理器的数字
使用过的现成零件目录系统。
该PTV12020系列中产生一个12针，单列直插式引脚（SIP ）封装。在SIP足迹最小化电路板
空间，并提供了空间敏感的应用替代的封装选项。从12V输入总线的工作，
该系列提供降压转换到一个宽范围的输出电压，在输出电流高达16A的。该
在W-后缀部分的输出电压可以被设置为任何值超过1.2伏至5.5伏的L后缀份的范围内
具有0.8 V至1.8 V的输出电压通过一个单一的外部电阻器来设定的调整范围。
该系列包括的Auto-Track 。的Auto-Track 简化了电源电压定序任务的动力
系统通过实现多个功能模块的输出电压准确地跟踪对方，或任何外部电压
在上电和断电。
其他操作特性包括一个开/关禁止，并启动到现有的输出电压或能力
预偏置。为改善负载调节，输出电压检测提供。一个非锁定过流跳闸
过温关断保护免受负载故障。
目标应用包括，纳入行业复杂的多电压，多处理器系统
高速DSP，微处理器，及巴士司机。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
POLA ，自动跟踪是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004-2005 ，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
标准应用
轨道
9
轨道
V
I
5, 6
V
I
PTV12020x
7
SENSE
V
O
3, 4
V
O
V
OSENSE
禁止GND GND
V
oadj
12
10, 11
1, 2
8
C1*
560
mF
（必选）
抑制
GND
*
见
#
R
SET
is
C2*
22
mF
陶瓷的
（必选）
R
SET
#
1%
0.05 W
（必选）
C3*
330
mF
（可选）
L
O
A
D
GND
电容器建议应用信息部分。
调整输出电压高于其最低值要求。请参阅价值的应用信息部分。
订购信息
PTV12020 （基本型）
输出电压
1.2 V - 5.5 V （可调）
0.8 V - 1.8 V （可调）
(1)
产品型号
PTV12020WAH
PTV12020LAH
描述
垂直T / H
垂直T / H
包
(1)
EVC
EVC
参见尺寸和PCB布局的应用包图。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
单位
V
（ TRACK ）
T
A
T
英镑
V
（禁止）
(1)
(2)
TRACK输入
工作温度范围
焊接温度
储存温度
抑制（引脚12）输入电压
在V
I
范围
5秒
0.3 V到V
I
+0.3 V
-40 ° C至85°C
260°C
(2)
-40_C到125_C
-0.3 V至7 V
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
本品不能与表面贴装回流焊工艺兼容。
包装规格
PTV12020x （后缀AH ）
重量
FL可燃性
机械冲击
机械振动
(1)
资质限制。
符合UL 94 V-0
每MIL - STD- 883D ，方法2002.3 ， 1毫秒，半正弦波，安装
MIL-STD- 883D ，方法2007.2 ， 20赫兹 - 2000赫兹
500 Gs的
10 GS
(1)
(1)
5.5克
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电气特性
在25 ℃的自由空气的温度，V操作
I
= 12 V, V
O
= 3.3 V ， C1 = 560 μF ， C2 = 22 μF ， C3 = 0 μF ，我
O
= I
O
最大（除非
另有说明）
参数
I
O
V
I
输出电流
输入电压范围
设定点电压容差
温度变化
V
O
线路调整
负载调整率
总输出变化
调整范围
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; 85°C
在V
I
范围
在我
O
范围
包括设定点，线，负载， -40°C
≤
T
A
≤
85°C
在V
I
范围
R
SET
= 280
,
V
O
= 5 V
R
SET
= 2.0千欧，V
O
= 3.3 V
η
效率
I
O
= I
O
最大
R
SET
= 4.32千欧，V
O
= 2.5 V
R
SET
= 11.5 kΩ的，V
O
= 1.8 V
R
SET
= 24.3 kΩ的，V
O
= 1.5 V
R
SET
=开建。 ，V
O
= 1.2 V
输出电压纹波（峰峰值）
I
O
（ TRIP ）
过流阈值
20 - MHz带宽
复位，随后自动恢复
1-A /μs的加载步骤， 50100％我
O
最大， C3 = 330 μF
瞬态响应
恢复时间
V
o
过冲/下冲
轨道控制（引脚9 ）
I
IL
输入低电平电流
控制摆率限制
V
I
增加
V
I
减少
V
IH
输入高电压
禁止控制（引脚12）
V
IL
输入低电压
I
IL
输入低电平电流
I
I
（ STBY ）
S
输入待机电流
开关频率
外部输入电容
在V
I
我
O
范围
Nonceramic （C1）的
陶瓷（C2）的
电容值
等效串联电阻（ nonceramic ）
MTBF
可靠性
按照Telcordia SR- 332 ， 50 ％的压力，T
A
= 40℃，地面良性
Nonceramic
陶瓷的
4
参考GND
连接到GND
8.8
2
–0.2
–0.24
10
250
560
22
(4)
(4)
测试条件
自然对流气流
在我
O
负载范围
PTV12020W
民
0
10.8
±0.5%
±5
±10
±3
1.2
93%
91%
89%
86%
84%
81%
1
1.5
30
(2)
典型值
最大
16
±2%
(1)
单位
A
V
13.2
(2)
mV
mV
%V
o
V
5.5
V
O
≤
2.5 V
V
O
＆ GT ; 2.5 V
%V
O
A
70
100
–0.13
1
9.5
9
开放
(3)
s
mV
mA
V / ms的
V
连接到GND
C3
≤
C 3 （最大）
UVLO
欠压锁定
10.4
0.6
V
mA
mA
抑制（引脚12）到GND ，田径（ 9脚）开
325
400
千赫
F
0
0
(7)
330
(5)
6,600
(6)
外部输出电容（ C3）的
300
F
m
10
6
HRS
4.9
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
安全工作区（SOA ）见热降额曲线，或向厂家咨询适当的降额。
设定点的电压容差的影响R的耐受性和稳定性
SET
。规定的限制，如果R被无条件地满足
SET
有
公差为1％ ，以100ppm / ℃或更好的温度稳定性。
此控制端子被上拉至一个内部电源电压。以避免对模块损坏的风险，
别
施加外部电压
大于7伏。如果这个输入被保持开路，则模块工作时的输入功率被施加。一个小的低漏电（ <100 NA）
MOSFET被推荐的控制。欲了解更多信息，请参阅相关的应用笔记。
一个22 μF的高频陶瓷电容和560 μF电解电容输入所需的正常运行。电解
电容的额定值必须的最小纹波电流额定值。请参考应用信息的输入电容进一步指导
选择。
不需要用于基本操作的外部输出电容器。加入330 μF分布电容的负载来提高的
瞬态响应。
这是计算的最大值。最小的ESR限制通常导致较低的值。咨询申请信息
进一步的指导。
这是典型的ESR为所有的电解（ nonceramic ）输出电容。使用MAX- ESR值时，使用7毫欧的最低
来计算。
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电气特性
在25 ℃的自由空气的温度，V操作
I
= 12 V, V
O
= 1.8 V ， C1 = 560 μF ， C2 = 22 μF ， C3 = 0 μF ，我
O
= I
O
最大（除非
另有说明）
参数
I
O
V
I
输出电流
输入电压范围
设定点电压容差
温度变化
V
O
线路调整
负载调整率
总输出变化
调整范围
-40°C <T
A
＆ LT ; 85°C
在V
I
范围
在我
O
范围
包括设定点，线，负载， -40°C
≤
T
A
≤
85°C
在V
I
范围
R
SET
= 130
,
V
O
= 1.8 V
R
SET
= 3.57千欧，V
O
= 1.5 V
η
效率
I
O
= I
O
最大
R
SET
= 12.1 kΩ的，V
O
= 1.2 V
R
SET
= 32.4 kΩ的，V
O
= 1 V
R
SET
=开建。 ，V
O
= 0.8 V
输出电压纹波（峰峰值）
I
O
（ TRIP ）
过流阈值
20 - MHz带宽
复位，随后自动恢复
1-A /μs的加载步骤， 50100％我
O
最大， C3 = 330 μF
瞬态响应
恢复时间
V
o
过冲/下冲
轨道控制（引脚9 ）
I
IL
输入低电平电流
控制摆率限制
V
IH
输入高电压
禁止控制（引脚12）
V
IL
输入低电压
I
IL
输入低电平电流
I
I
（ STBY ）
UVLO
S
输入待机电流
欠压锁定
开关频率
外部输入电容
V
I
增加
V
I
减少
在V
I
我
O
范围
Nonceramic （C1）的
陶瓷（C2）的
电容值
等效串联电阻（ nonceramic ）
MTBF
可靠性
按照Telcordia SR- 332 ， 50 ％的压力，T
A
= 40℃，地面良性
Nonceramic
陶瓷的
4
8.8
200
560
22
(4)
(4)
测试条件
自然对流气流
在我
O
负载范围
PTV12020L
民
0
10.8
±0.5%
±10
±12
±3
0.8
87%
85%
83%
80%
77%
2
30
(2)
典型值
最大
16
±2%
(1)
单位
A
V
13.2
(2)
mV
mV
%V
o
V
1.8
%V
O
A
70
100
–0.13
1
2
–0.2
–0.24
10
9.5
9
250
300
10.4
开放
(3)
s
mV
mA
V / ms的
V
mA
mA
V
千赫
F
连接到GND
C3
≤
C 3 （最大）
参考GND
连接到GND
0.6
抑制（引脚12）到GND ，田径（ 9脚）开
0
0
(7)
330
(5)
6,600
(6)
外部输出电容（ C3）的
300
F
m
10
6
HRS
4.9
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
安全工作区（SOA ）见热降额曲线，或向厂家咨询适当的降额。
设定点的电压容差的影响R的耐受性和稳定性
SET
。规定的限制，如果R被无条件地满足
SET
有
公差为1％ ，以100ppm / ℃或更好的温度稳定性。
此控制端子被上拉至一个内部电源电压。以避免对模块损坏的风险，
别
施加外部电压
大于7伏。如果这个输入被保持开路，则模块工作时的输入功率被施加。一个小的低漏电（ <100 NA）
MOSFET被推荐的控制。欲了解更多信息，请参阅相关的应用笔记。
一个22 μF的高频陶瓷电容和560 μF电解电容输入所需的正常运行。电解
电容的额定值必须的最小纹波电流额定值。请参考应用信息的输入电容指导
选择。
不需要用于基本操作的外部输出电容器。加入330 μF分布电容的负载来提高的
瞬态响应。
这是计算的最大值。最小的ESR限制通常导致较低的值。咨询申请的情报
进一步的指导。
这是典型的ESR为所有的电解（ nonceramic ）输出电容。使用MAX- ESR值时，使用7毫欧的最低
来计算。
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SLTS231A - 2004年11月 - 修订2005年2月
PTV12020W特征数据; 1.2 V至5.5 V
效率
vs
输出电流
100
150
V
O
= 5 V
V - 输出电压纹波 - 毫伏PP
V
O
= 3.3 V
输出电压纹波
vs
输出电流
90
效率 - ％
120
80
V
O
= 2.5 V
V
O
= 1.8 V
V
O
= 1.5 V
90
V
O
= 3.3 V
60
V
O
= 5 V
V
O
= 1.8 V
V
O
= 1.5 V
V
O
= 2.5 V
V
O
= 1.2 V
70
60
V
O
= 1.2 V
30
50
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
I
O
- 输出电流 - 一个
4
6
8
10 12
I
O
- 输出电流 - 一个
14
16
图1 。
功耗
vs
输出电流
6
5
PD - 功耗 - W
V
O
= 2.5 V
4
V
O
= 3.3 V
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
I
O
- 输出电流 - 一个
V
O
= 1.2 V
V
O
= 5 V
温度降额 -
5
C
90
80
气流
70
图2中。
温度降额
vs
输出电流
400 LFM
60
50
40
V
O
= 3.3 V
30
20
0
2
4
6
8
10 12
I
O
- 输出电流 - 一个
14
16
200 LFM
100 LFM
纳特CONV
网络连接gure 3 。
温度降额
vs
输出电流
90
80
温度降额 -
5
C
气流
70
400 LFM
60
50
40
30
20
0
2
4
6
8
10 12
I
O
- 输出电流 - 一个
14
16
V
O
= 5 V
200 LFM
100 LFM
纳特CONV
图4中。
图5中。
5
QQ：2880707522 复制
