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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第356页 > PTMB50E6
QS043-402-（2/5）
ＩＧＢＴ
Ｍ½½½½½－ Ｓ½½ Ｐ½½½
□ 回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
ＰＴＭＢ５０Ｅ６
５０ Ａ，６００Ｖ
□ 外 ½ 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
94
5系标签
#250
ＰＴＭＢ５０Ｅ６Ｃ
93.00
4× 15.24= 60.96
16.02 15.24
12.62
17
83
4- 6.00
13
CL
2- 5.50
U
G2
E2
V
G4
E4
W
G6
E6
33
24
18
44
G2 E2
12系标签
#110
G4 E4
G6 E6
1
12
PＴMB50E6
15.5
18
18 15.75
5 13 5 13 5
2.50
CL
U
V
W
45.00
41.91
28.4
13
16
17
15
14
32
1
2
5
6
9
10
3.81
8.00
11.43
5× 11.43= 57.15
70.40
107.00
1.15× 1.00
8
7.00
104.20
PＴMB50E6C
□ 最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ
コレクタエミッタ間電圧
集电极 - 发射极电压
ゲ ー トエ ミ ッ タ 間 電 圧
栅极 - 发射极电压
コ レ ク タ 電 流
集电极电流
コ レ ク タ 損 失
集电极耗散功率
接
合
温
度
结温范围
保
存
温
度
存储温度范围
絶
縁
耐
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１½inute)
隔离电压
締 め 付 け ト ル ク
模组基地散热器
安装力矩
□ 電 気 的 特 性
ＤＣ
１½½
PＴMB50E6
ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｖ
ＣＥＳ
Ｖ
ＧＥＳ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＰ
Ｐ
Ｃ
Ｔ
½
Ｔ
½½½
Ｖ
ＩＳＯ
Ｆ
½½½
PＴMB50E6C
Dimension:［mm½
Ｉ½½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
６００
±２０
５０
１００
２５０
－４０½＋１５０
－４０½＋１２５
２,５００
２ ２ .４
（ ０ ）
2.00
3
4
7
8
11
12
6
LABEL
15.00
15.00
21
LABEL
21.00
13.00
11.00
32.00
4- 2.10
G1
E1
G3
E3
G5
E5
2- 5.5
G1 E1
G3E3
G5 E5
Ｕ½½½
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ
（ＲＭＳ）
Ｎ½
(kgf½cm)
：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
ＣＥＳ
Ｉ
ＧＥＳ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
Ｖ
ＧＥ（½½）
Ｃ
½½½
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
上升
开启
秋天
打开-O FF
时间
时间
时间
时间
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｖ
ＣＥ
= 600V, Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｖ
ＧＥ
= ±20V,Ｖ
ＣＥ
= 0V
Ｉ
Ｃ
= 50A,Ｖ
ＧＥ
= 15V
Ｖ
ＣＥ
= 5V,Ｉ
Ｃ
= 50毫安
Ｖ
ＣＥ
= 10V,Ｖ
ＧＥ
= 0V,½= 1MH
Ｚ
Ｖ
ＣＣ
=
Ｒ
Ｌ
=
Ｒ
Ｇ
=
Ｖ
ＧＥ
=
300V
6.0Ω
20Ω
±15V
Ｍ½½.
－
－
－
４.０
－
－
－
－
－
Ｔ½½.
－
－
２.１
－
2,500
０.１５
０.２５
０.１０
０.３５
Ｍ½½.
１.０
１.０
２.６
８.０
－
０.３０
０.４０
０.３５
０.７０
Ｕ½½½
½Ａ
μＡ
Ｖ
Ｖ
½Ｆ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
集电极 - 发射极截止电流
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
栅极 - 发射极漏电流
コレクタエミッタ間½和電圧
集电极 - 发射极饱和电压
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
栅极 - 发射极阈值电压
入
力
容
量
输入电容
スイッチング時間
开关时间
μ½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ
Ｉ½½½
順
電
流
正向电流
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
順
電
圧
峰值正向电压
逆 回 復 時 間
反向恢复时间
ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
Ｆ
Ｉ
ＦＭ
Ｓ½½½½½
Ｖ
Ｆ
½
½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
５０
1００
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｉ
Ｆ
= 50A,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｉ
Ｆ
= 50A,Ｖ
ＧＥ
= -10V
½i/½t= 100A/μs
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
１.９
０.１５
Ｍ½½.
２.４
０.２５
Ｕ½½½
Ａ
ＤＣ
１½½
Ｕ½½½
Ｖ
μ½
□ 熱 的 特 性 ：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
热阻抗
二极管
Ｓ½½½½½
RTH （J -C ）
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
结到外壳
（TC测定点チップ直下）
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
－
－
Ｍ½½.
０.５０
1.１０
Ｕ½½½
℃／Ｗ
00
日本インター株式会社
QS043-402-（3/5）
ＰＴＭＢ５０Ｅ６
ＰＴＭＢ５０Ｅ６Ｃ
Fig.1-
输出特性（典型）
100
Fig.2-
输出特性（典型）
T
C
=25°C
100
T
C
=125°C
V
GE
=20V
12V
V
GE
=20V
90
80
12V
11V
90
80
15V
15V
11V
集电极电流I
C
(A)
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
集电极电流I
C
(A)
70
60
50
40
30
20
10V
10V
9V
9V
8V
8V
10
5
0
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.3-
集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压（典型值）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Fig.4-
集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压（典型值）
T
C
=25°C
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T
C
=125°C
I
C
=25A
50A
100A
I
C
=25A
50A
100A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.5-
栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压（典型值）
400
350
Fig.6-
电容与集电极到发射极电压（典型值）
16
14
12
10
3000
10000
R
L
=6.0
T
C
=25°C
集电极到发射极电压V
CE
(V)
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25°C
资本投资者入境计划
门到发射极电压V
GE
(V)
300
250
200
150
100
50
0
电容C （PF ）
1000
卓越中心
V
CE
=300V
200V
100V
8
6
4
2
0
200
300
CRES
100
0
50
100
150
30
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
总栅极电荷Qg （ NC）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
00
日本インター株式会社
QS043-402-（4/5）
ＰＴＭＢ５０Ｅ６
ＰＴＭＢ５０Ｅ６Ｃ
Fig.7-
集电极电流与开关时间（典型）
1
Fig.8-
系列栅极阻抗与开关时间（典型）
10
5
0.8
开关时间t（微秒）
开关时间t（微秒）
t
关闭
V
CC
=300V
R
G
=20
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
阻性负载
2
1
0.5
V
CC
=300V
I
C
=50A
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
阻性负载
0.6
t
f
0.4
花花公子
0.2
0.1
0.05
吨
tr
(V
CE
)
tf
0.2
t
ON
t
R（ V
CE
)
0
0
20
40
60
80
0.02
10
30
100
300
集电极电流I
C
(A)
系列栅极阻抗
G
( )
Fig.9-
集电极电流与开关时间
10
10
Fig.10-
系列栅极阻抗与开关时间
V
CC
=300V
I
C
=50A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
感性负载
1
开关时间t（微秒）
开关时间t（微秒）
t
关闭
t
ON
t
f
t
R（ IC ）
V
CC
=300V
R
G
=20
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
感性负载
5
2
1
0.5
0.1
花花公子
吨
tf
tr
(I
C
)
0.2
0.1
0.05
0.01
0.001
0
20
40
60
80
0.02
10
30
100
300
集电极电流I
C
(A)
系列栅极阻抗
G
( )
Fig.11-
集电极电流和开关损耗
4
100
Fig.12-
系列栅极阻抗与开关损耗
V
CC
=300V
I
C
=50A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
感性负载
切换损失ê
SW
（兆焦耳/脉冲）
切换损失ê
SW
（兆焦耳/脉冲）
3
V
CC
=300V
R
G
=20
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
感性负载
E
关闭
30
E
ON
10
2
E
ON
E
RR
3
E
关闭
1
1
E
RR
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0.3
10
30
100
300
集电极电流I
C
(A)
系列栅极阻抗
G
( )
00
日本インター株式会社
QS043-402-（5/5）
ＰＴＭＢ５０Ｅ６
ＰＴＭＢ５０Ｅ６Ｃ
100
Fig.13-
续流二极管的正向特性
（典型值）
T
C
=25°C
T
C
=125°C
Fig.14-
反向恢复特性（典型）
1000
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr （ NS ）
500
80
TRR
200
100
50
I
F
=50A
T
C
=25°C
T
C
=125°C
正向电流I
F
(A)
60
40
20
10
5
I
RRM
20
0
0
1
2
3
4
2
0
50
100
150
200
250
300
正向电压
V
F
(V)
-di / DT （ A / μs）内
Fig.15-
反向偏置安全工作区
200
100
50
R
G
=20 , V
GE
= ± 15V ，T
C
<125°C
集电极电流I
C
(A)
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
200
400
600
800
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.16-
瞬态热阻抗
1x10
1
瞬态热阻抗Rth的
（J -C ）
（ ° C / W）
3
FRD
1
IGBT
3x10
-1
1x10
-1
3x10
-2
1x10
-2
T
C
=25°C
1次脉冲
3x10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
时间t （S ）
00
日本インター株式会社
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PRN10016N10R0JT
P2304UCMC
PE034024
P54FCT648LMB
PI6CVF857
PRC207330K/470M
PI74FCT2574CTR
PD070-HL1-300
P433
PMA-5455
P4C167-35PMB
PI4ULS3V16_07
PDU-1316-.5
P26TG-2412E41H35
PAL14X10AM
PIC18F4610-E/P
PZU4.7B2
P5-1R5-NP
PTE5015D1A
P2837-01
供货商
型号
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500
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