【IGBT模块电路六六包50A 600V外形绘图PTMB50A65 - 固定选项卡250号12 fas】,IC型号PTMB50A6,PTMB50A6 PDF资料,PTMB50A6经销商,ic,电子元器件-51电子网

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IGBT

模块

电路

六

六包50A 600V

外形绘图

PTMB50A6

5 - 固定选项卡250号

12 fasten-标签110号

外形尺寸（mm ）

大约重量：200g

最大完全评级

(Tc=25°C)

项

集电极 - 发射极电压

门 - 发射极电压

集电极电流

DC

1毫秒

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

CP

P

C

T

j

T

英镑

V

ISO

F

器

PTMB50A6

600

+/ - 20

50

100

250

-40到+150

-40到+125

2500

2

单位

V

V

A

W

°C

°C

V

N·m的

集电极耗散功率

结温范围

存储温度范围

隔离电压端基AC， 1分钟）

模组基地散热器

安装力矩

母线主接线端子

电气特性

(Tc=25°C)

特征

集电极 - 发射极截止电流

栅极 - 发射极漏电流

集电极 - 发射极饱和电压

栅极 - 发射极阈值电压

输入电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

符号

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

V

GE （日）

资本投资者入境计划

t

r

t

on

t

f

t

关闭

测试条件

V

CE

=600V,V

GE

=0V

V

GE

=+/- 20V,V

CE

=0V

I

C

=50A,V

GE

=15V

V

CE

=5V,I

C

=50mA

V

CE

=10V,V

GE

=0V,f=1MHz

V

CC

= 300V

R

L

= 6欧姆

R

G

= 15欧姆

V

GE

= +/- 15V

分钟。

-

-

-

4.0

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

2.1

-

5,000

0.15

0.25

0.2

0.45

马克斯。

1.0

1.0

2.6

8.0

-

0.3

0.4

0.35

0.7

单位

mA

A

V

V

pF

s

续流二极管额定值&特性

(Tc=25°C)

项

符号

额定值

正向电流

DC

1毫秒

I

F

I

FM

50

100

单位

A

典型值。

1.9

0.15

特征

峰值正向电压

反向恢复时间

符号

V

F

t

rr

测试条件

I

F

=50A,V

GE

=0V

I

F

=50A,V

GE

=-10V,di/dt=50A/

s

分钟。

-

-

马克斯。

2.4

0.25

单位

V

s

单位

° C / W

热特性

特征

热阻抗

IGBT

二极管

符号

R

日（J -C ）

测试条件

结到外壳

分钟。

-

-

典型值。

-

-

马克斯。

0.5

1.0

PTMB50A6

Fig.1-输出特性

（典型值）

100

T

C

=25℃

V

GE

=20V

12V

15V

16

Fig.2-集电极到发射极电压上

主场迎战门到发射极电压

（典型值）

T

C

=25℃

I

C

=20A

100A

集电极到发射极电压V

CE

(V)

14

80

10V

50A

12

10

8

6

4

2

0

集电极电流I

C

(A)

60

9V

40

20

8V

7V

0

0

2

4

6

8

10

0

4

8

12

16

20

集电极到发射极电压V

CE

(V)

门到发射极电压V

GE

(V)

Fig.3-集电极到发射极电压上

主场迎战门到发射极电压

（典型值）

16

Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压

（典型值）

400

350

16

T

C

=125℃

I

C

=20A

100A

集电极到发射极电压V

CE

(V)

14

R

L

=5Ω

T

C

=25℃

14

集电极到发射极电压V

CE

(V)

50A

12

10

8

6

4

2

0

门到发射极电压V

GE

(V)

300

250

200

12

10

8

V

CE

=300V

150

6

200V

100

50

0

100V

4

2

0

0

4

8

12

16

20

0

50

100

150

200

门到发射极电压V

GE

(V)

总栅极电荷Qg

（ NC ）

Fig.5-电容与集电极到发射极电压

（典型值）

20000

10000

5000

1

Fig.6-集电极电流与开关时间

（典型值）

0.9

0.8

资本投资者入境计划

卓越中心

CRES

V

GE

=0V

f=1MH

Z

T

C

=25℃

V

CC

=300V

R

G

=15Ω

V

GE

=±15V

T

C

=25℃

开关时间t

(μs)

电容C

（PF ）

2000

1000

500

200

100

50

20

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

花花公子

吨

tf

tr

0

20

40

60

80

100

0.2

0.5

1

2

5

10

20

50

100

200

0

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

(A)

PTMB50A6

Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间

（典型值）

5

续流二极管的Fig.8-正向特性

（典型值）

100

2

V

CC

=300V

I

C

=50A

V

G

=±15V

T

C

=25℃

T

C

=25℃

90

80

T

C

=125℃

开关时间t

(μs)

正向电流I

F

(A)

花花公子

吨

tr

70

60

50

40

30

20

1

0.5

tf

0.2

0.1

10

0.05

2

5

10

20

50

100

200

500

0

0

1

2

3

4

系列栅极阻抗

G

(Ω)

正向电压V

F

(V)

Fig.9-反向恢复特性

（典型值）

500

Fig.10-反向偏置安全工作区

（典型值）

500

200

100

峰值反向恢复电流I

RRM

(A)

反向恢复时间trr

（纳秒）

I

F

=50A

T

C

=25℃

TRR

200

100

50

R

G

=15Ω

V

GE

=±15V

T

C

≦125℃

集电极电流I

C

(A)

I

RRM

0

100

200

300

400

50

20

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

20

10

5

2

0.05

0

200

400

600

800

-di / dt的

（ A / μs）内

集电极到发射极电压V

CE

(V)

Fig.11-瞬态热阻抗

2

(℃/W)

1

5x10

-1

FRD

IGBT

（J -C ）

2x10

-1

瞬态热阻抗Rth的

1x10

-1

5x10

-2

2x10

-2

1x10

-2

5x10

-3

T

C

=25℃

2x10

-3

1x10

-3 -5

10

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

1次脉冲

1

10

1

时间T

(s)

IGBT

模块

电路

六

六包50A 600V

外形绘图

PTMB50A6

5 - 固定选项卡250号

12 fasten-标签110号

外形尺寸（mm ）

大约重量：200g

最大完全评级

(Tc=25°C)

项

集电极 - 发射极电压

门 - 发射极电压

集电极电流

DC

1毫秒

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

CP

P

C

T

j

T

英镑

V

ISO

F

器

PTMB50A6

600

+/ - 20

50

100

250

-40到+150

-40到+125

2500

2

单位

V

V

A

W

°C

°C

V

N·m的

集电极耗散功率

结温范围

存储温度范围

隔离电压端基AC， 1分钟）

模组基地散热器

安装力矩

母线主接线端子

电气特性

(Tc=25°C)

特征

集电极 - 发射极截止电流

栅极 - 发射极漏电流

集电极 - 发射极饱和电压

栅极 - 发射极阈值电压

输入电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

符号

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

V

GE （日）

资本投资者入境计划

t

r

t

on

t

f

t

关闭

测试条件

V

CE

=600V,V

GE

=0V

V

GE

=+/- 20V,V

CE

=0V

I

C

=50A,V

GE

=15V

V

CE

=5V,I

C

=50mA

V

CE

=10V,V

GE

=0V,f=1MHz

V

CC

= 300V

R

L

= 6欧姆

R

G

= 15欧姆

V

GE

= +/- 15V

分钟。

-

-

-

4.0

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

2.1

-

5,000

0.15

0.25

0.2

0.45

马克斯。

1.0

1.0

2.6

8.0

-

0.3

0.4

0.35

0.7

单位

mA

A

V

V

pF

s

续流二极管额定值&特性

(Tc=25°C)

项

符号

额定值

正向电流

DC

1毫秒

I

F

I

FM

50

100

单位

A

典型值。

1.9

0.15

特征

峰值正向电压

反向恢复时间

符号

V

F

t

rr

测试条件

I

F

=50A,V

GE

=0V

I

F

=50A,V

GE

=-10V,di/dt=50A/

s

分钟。

-

-

马克斯。

2.4

0.25

单位

V

s

单位

° C / W

热特性

特征

热阻抗

IGBT

二极管

符号

R

日（J -C ）

测试条件

结到外壳

分钟。

-

-

典型值。

-

-

马克斯。

0.5

1.0

PTMB50A6

Fig.1-输出特性

（典型值）

100

T

C

=25℃

V

GE

=20V

12V

15V

16

Fig.2-集电极到发射极电压上

主场迎战门到发射极电压

（典型值）

T

C

=25℃

I

C

=20A

100A

集电极到发射极电压V

CE

(V)

14

80

10V

50A

12

10

8

6

4

2

0

集电极电流I

C

(A)

60

9V

40

20

8V

7V

0

0

2

4

6

8

10

0

4

8

12

16

20

集电极到发射极电压V

CE

(V)

门到发射极电压V

GE

(V)

Fig.3-集电极到发射极电压上

主场迎战门到发射极电压

（典型值）

16

Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压

（典型值）

400

350

16

T

C

=125℃

I

C

=20A

100A

集电极到发射极电压V

CE

(V)

14

R

L

=5Ω

T

C

=25℃

14

集电极到发射极电压V

CE

(V)

50A

12

10

8

6

4

2

0

门到发射极电压V

GE

(V)

300

250

200

12

10

8

V

CE

=300V

150

6

200V

100

50

0

100V

4

2

0

0

4

8

12

16

20

0

50

100

150

200

门到发射极电压V

GE

(V)

总栅极电荷Qg

（ NC ）

Fig.5-电容与集电极到发射极电压

（典型值）

20000

10000

5000

1

Fig.6-集电极电流与开关时间

（典型值）

0.9

0.8

资本投资者入境计划

卓越中心

CRES

V

GE

=0V

f=1MH

Z

T

C

=25℃

V

CC

=300V

R

G

=15Ω

V

GE

=±15V

T

C

=25℃

开关时间t

(μs)

电容C

（PF ）

2000

1000

500

200

100

50

20

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

花花公子

吨

tf

tr

0

20

40

60

80

100

0.2

0.5

1

2

5

10

20

50

100

200

0

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

(A)

PTMB50A6

Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间

（典型值）

5

续流二极管的Fig.8-正向特性

（典型值）

100

2

V

CC

=300V

I

C

=50A

V

G

=±15V

T

C

=25℃

T

C

=25℃

90

80

T

C

=125℃

开关时间t

(μs)

正向电流I

F

(A)

花花公子

吨

tr

70

60

50

40

30

20

1

0.5

tf

0.2

0.1

10

0.05

2

5

10

20

50

100

200

500

0

0

1

2

3

4

系列栅极阻抗

G

(Ω)

正向电压V

F

(V)

Fig.9-反向恢复特性

（典型值）

500

Fig.10-反向偏置安全工作区

（典型值）

500

200

100

峰值反向恢复电流I

RRM

(A)

反向恢复时间trr

（纳秒）

I

F

=50A

T

C

=25℃

TRR

200

100

50

R

G

=15Ω

V

GE

=±15V

T

C

≦125℃

集电极电流I

C

(A)

I

RRM

0

100

200

300

400

50

20

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

20

10

5

2

0.05

0

200

400

600

800

-di / dt的

（ A / μs）内

集电极到发射极电压V

CE

(V)

Fig.11-瞬态热阻抗

2

(℃/W)

1

5x10

-1

FRD

IGBT

（J -C ）

2x10

-1

瞬态热阻抗Rth的

1x10

-1

5x10

-2

2x10

-2

1x10

-2

5x10

-3

T

C

=25℃

2x10

-3

1x10

-3 -5

10

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

1次脉冲

1

10

1

时间T

(s)

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NEW

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