3.3 / 5/12输入电压单路输出
DC- DC转换器
非隔离DDR / QDR存储器总线终端模块
新产品
1
V
TT
总线终端输出（输出系统V
REF
)
10 A输出电流
3.3伏， 5伏或12伏直流输入电压
DDR和QDR兼容
开/关锁（用于V
TT
待机）
欠压锁定
工作温度范围： -40°C至+85°C
效率高达91％以上
输出过流保护（非锁定，自动复位）
点的负载-联盟（ POLA ）兼容
提供符合RoHS标准
PTHxx060Y
该PTHxx060Y是一个新的系列非隔离DC-DC转换器，专
总线终端的DDR和QDR存储器应用。无论是从操作
3.3伏， 5伏或12伏直流输入，模块产生VTT输出时将输出或
沉达的电流10 A准确地跟踪他们的VREF输入。 VTT的是所要求的总线
端接电源电压和VREF为参考电压为所述存储器和芯片组
总线接收器比较。 VREF通常被设置为一半VDDQ输入电源电压。
该PTHxx060Y系列采用了主动切换同步整流器输出
提供先进的降压开关转换状态。该产品是尺寸小
和是一个理想的选择，其中的空间，性能和高效率是期望的。
所有规格都是典型的标称输入，V
REF
= 1.25 V ，满载25℃
除非另有说明。
in
, C
o1
和C
o2
=典型值
输出规格
输出电流
（见注1 ）
跟踪范围为V
REF
跟踪耐受V
REF
(V
TT
- V
REF
)
（线路，负载
和温度）
纹波和噪声
负载瞬态响应
（见注4 ）
输出电容：
非陶瓷的值
（见注4和5）
陶瓷值
（见注4 ）
（见注6 ）
输入特定网络阳离子
输入电流
输入电压范围
空载
PTH03060Y
PTH05060Y
PTH12060Y
10毫安
2.95-3.65伏
4.5-5.5伏
10.8-13.2伏
环境特定网络阳离子
热性能
（见注2 ）
MSL （ “Z”后缀只）
保护
过流阈值
（自动复位）
所有型号
工作环境，
温度
非工作
20 MHz带宽
（以上ΔV
REF
范围）
±10 A
0.55-1.8 V
-10 mV至10 mV的
输入规范续。
输入电容
（见注3 ）
远程开/关
一般特定网络阳离子
效率
（IO = 8 A）
20 mV的峰峰值
绝缘电压
开关频率
PTH03060Y
PTH05060Y
PTH12060Y
PTH03060Y
PTH05060Y
PTH12060Y
2年质保
特定网络阳离子
PTH03060Y和PTH05060Y
PTH12060Y
330 F
560 F
正逻辑
86 ％ （典型值） 。
86 ％ （典型值） 。
83 ％ （典型值） 。
非隔离
550-650千赫
550-650千赫
200-300千赫
EN60950
UL/cUL60950
UL94V-0
30 μs的建立时间
过冲/下冲25 mV的典型。
PTH03060Y 470 μF （典型值） ， 5500
PTH05060Y 470 μF （典型值） ， 5500
PTH12060Y 940 μF （典型值） ， 5500
PTH03060Y 200 μF （典型值） ， 300
PTH05060Y 200 μF （典型值） ， 300
PTH12060Y 400 μF （典型值） ， 600
ESR（非陶瓷）
μF最大。
μF最大。
μF最大。
μF最大。
μF最大。
μF最大。
4MΩ分钟
审批和
标准
材料可燃性FL
尺寸
重量
MTBF
符合Telcordia SR- 332
（长x宽x高）
25.27 X 15.75 X 9.00毫米
0.995 X 0.620 X 0.354中
3.7克（0.13盎司）
6000000小时
-40 ° C至+85°C
-40 ° C至+125°C
LEVEL 3
欠压锁定：
PTH03060Y
PTH05060Y
PTH12060Y
VIN增加2.45 V （典型值） ， 2.80 V最大。
VIN下降2.20 V分钟， 2.40 V （典型值） 。
VIN
VIN
VIN
VIN
增加4.30 V （典型值） ， 4.45 V最大。
下降3.40 V分钟， 3.70 V （典型值） 。
增加
9.5 V （典型值） ， 10.4 V最大。
减少
8.80 V分， 9.0 V （典型值） 。
JEDEC J- STD- 020C
20 A （典型值） 。
文件名： pthxx060y.pdf版本（ 02 ） ： 2005年12月19日
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DC- DC转换器
非隔离DDR / QDR存储器总线终端模块
新产品
2
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产量
动力
（ MAX 。 ）
18 W
18 W
18 W
产量
当前
（分）
0A
0A
0A
产量
当前
（ MAX 。 ）
±10 A
±10 A
±10 A
PTHxx060Y
VTT
范围
0.55-1.8伏
0.55-1.8伏
0.55-1.8伏
输入
电压
2.95-3.65伏
4.50-5.50伏
10.8-13.2伏
效率
（典型值）。
86%
86%
83%
模型
数
(8,9)
PTH03060Y
PTH05060Y
PTH12060Y
与选项编号系统
PTH05060YAST
封装选项
没有后缀=盘
T =卷带式
(7)
安装选项
(8)
D =横向通孔（雾锡）
H =横向通孔（锡/铅）
S =表面贴装（ 63/37锡/铅
引脚焊锡材料）
Z =表面贴装（ 96.5 / 3.0 / 0.5锡/银/铜
引脚焊锡材料）
管脚选项
A =通孔标准。引脚长度（ 0.140 “ ）
A =表面贴装锡/铅焊料球
输出电压编码
Y = DDR模块
产品系列
负载联盟点
兼容
输入电压
03 = 3.3 V, 05 = 5 V
和12 = 12伏
输出电流
06 = 10 A
包装机械
始终为0
笔记
1
评级是有条件的模块被焊接到4层PCB板
1盎司铜。看到SOA曲线或联系厂家进行适当的
降额。
这种控制引脚具有内部上拉至输入电压Vin 。如果它是左
开路模块将操作时的输入功率被施加。一个小
低漏电（ <100 NA）的MOSFET ，建议控制。欲了解更多
信息，请参阅应用笔记179 。
输入电容是必需的正常运行。该电容必须
堪称为最小纹波为500 mA RMS （1000毫安12V输入）的
电流。欲了解更多信息，请参考应用笔记179上
电容的选择。
外部输出电容值典型值保证了VTT
满足内存指定的瞬态性能要求
总线终端。较小的电容值可以是可能的，当
在输出电流下测得的峰值变化比3 A.坚持少
测试条件为15 A / μs的负载阶跃， -1.5 A到+1.5 A.
5
6
这是计算的最大值。最小ESR的限制往往会
导致较低的值。请参考应用笔记179的更多细节。
这是了典型的ESR为所有电解质（非陶瓷）输出
电容。使用7米
由于采用最小到最大- ESR值时，
计算。
磁带和卷轴包装仅适用于表面安装的版本。
如需订购无铅（符合RoHS标准）表面贴装部件更换
安装选项' S'与' Z' ，例如PTHxx060YAZ 。如需订购无铅（ RoHS指令
兼容）通孔零件更换安装选项' H'与' D' ，
例如PTHxx060YAD 。
注意：有些型号不支持的所有选项。请联系您
当地的腾讯代表或使用在线型号搜索工具
http://www.artesyn.com/powergroup/products.htm找到一个合适的
替代方案。
2
7
8
3
9
4
国际安全标准认证
UL / CUL CAN / CSA - C22.2 60950号
文件号E174104
TV产品服务（ EN60950 ），证书编号B 04 06 38572 044
CB报告及证书，以IEC60950 ，证书号US / 8292 / UL
文件名： pthxx060y.pdf版本（ 02 ） ： 2005年12月19日
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PTHxx060Y
12
14
输出电流（A ）
输出电流（A ）
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
纳特CONV
100 LFM
200 LFM
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
纳特CONV
100 LFM
200 LFM
环境温度（ ℃）
图1 - 安全工作区
VIN = 5.0 V ，V
REF
= 1.25 V ， IOUT = 10 A（见注一）
环境温度（ ℃）
图2 - 安全工作区
VIN = 12 V ，V
REF
= 1.25 V ， IOUT = 10 A（见注一）
VIN
100
90
效率（％）
V
DDQ
1k
1%
1k
1%
10 9
1
8
7
V
REF
V
tt
PTHxx060Y
（ TOP VIEW ）
2
3 4
5
6
80
70
60
50
0
2
4
6
8
10
VIN
3.3V
5.0V
12.0V
Co
n
HF-陶瓷
C
in
（必选）
+
Co
1
低ESR
（必选）
V
tt
终止岛
+
Co
2
陶瓷的
（可选）
待机
GND
Q
1
BSS138
（可选）
SSTL-2
数据/
地址/
公共汽车
输出电流（A ）
图3 - 效率与负载电流
V
REF
= 1.25 V （见注B）
图4 - 标准应用
笔记
A
SOA的曲线表示的条件，在该内部部件
不到腾讯的降额准则。
B
特征数据已经制定从实际测试产品
25 ℃。该数据被认为是典型的数据转换器。
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4
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PTHxx060Y
0.995 (25.27)
0.125 (3.18)
0.125 (3.18)
0.060
(1.52)
1
0.375
(9.52)
10
9
8
0.250
(6.35)
7
0.140
(3.55)
0.060
(1.52)
0.040 (1.02)
5位。
0.620
0.500 (15.75)
(12.70)
0.070 (1.78)
（防区肩）
2
3
4
顶视图
5
6
最低的组件
0.010分。 （0.25）
底侧隙
引脚连接
PIN号
功能
地
VIN
抑制*
N / C
VO感
V
TT
地
V
REF
N / C
N / C
主板
0.354 (9.00)
马克斯。
SIDE VIEW
1
2
3
4
5
6
7
8
9
尺寸以英寸（毫米）
公差（除非另有说明）
2个地方
±0.030
(±0.76)
3个地方
±0.010
(±0.25)
图5 - 镀通孔机械制图
0.995 (25.27)
0.125 (3.18)
0.125 (3.18)
0.375
(9.52)
1
10
9
8
*回流焊后
客户板
10
0.060
(1.52)
0.354 (9.00)
最大*
0.060
(1.52)
0.250
(6.35)
7
*表示负逻辑：
打开=正常运行
地面=功能活跃
0.500 0.620
(12.70) (15.75)
锡球
0.040 (1.02)
10个名额
最低的组件
0.010分。 （0.25）
底侧隙
2
3
4
5
6
SIDE VIEW
主板
顶视图
尺寸以英寸（毫米）
公差（除非另有说明）
2个地方
±0.030
(±0.76)
3个地方
±0.010
(±0.25)
图6 - 表面贴装机械制图
数据腾讯技术 2005年
对包含在此数据表中的信息和规范被认为是正确的，在出版时。不过，腾讯科技接受对所产生的后果不承担任何责任
从印刷错误或不准确。信息和包含或描述的规格可能会以任何方式在任何时间更改，恕不另行通知。任何专利的任何权利
伴随着销售任何此类产品（ S）或信息所包含。
请访问我们的网站的下列项目：
应用说明
www.artesyn.com
文件名：
PTH03060Y
PTH05060Y ， PTH12060Y
www.ti.com
SLTS222A - 2004年3月 - 修订2005年10月
10非隔离DDR / QDR
存储器总线终端模块
特点
V
TT
总线终端输出
（输出跟踪系统V
REF
)
10 A输出电流
3.3 V ， 5 V或12 V输入电压
DDR和QDR兼容
开/关锁（用于V
TT
待机）
欠压锁定
工作温度： -40 ° C至85°C
效率高达91％以上
输出过电流保护（非锁定，
自动复位）
57 W /中
3
功率密度
安全机构认证：
UL / cUL60950 ， EN60950 ， VDE
点的负载联盟（ POLA ）兼容
公称尺寸
1英寸X 0.62中
（ 25.4毫米× 15,75毫米）
描述
该PTHxx060Y是一系列德州仪器准备使用的开关稳压器模块设计
专为总线终端的DDR和QDR存储器应用。无论是从3.3 V ， 5 V或12 V工作
输入，所述模块产生为V
TT
输出将输出的电流或吸入高达10 A准确地跟踪其
V
REF
输入。 V
TT
是所需的总线终端的电源电压，而V
REF
为基准电压为所述存储器
和芯片组总线接收器比较。 V
REF
通常被设置为一半的V
DDQ
电源电压。
无论是PTHxx060Y系列采用了主动切换同步整流输出，提供先进设备，最先进的
降压开关转换。该产品的体积小（ 1
×
在0.62 ） ，并且是一个理想的选择在哪里
空间，性能，和高效率的需要，以及一个准备使用的模块的便利性。
操作功能包括开/关机禁止和输出过电流保护（源模式） 。开/关
抑制功能使得V
TT
总线被关闭，以节省电源在操作的待机模式。为了确保紧
负载调节，输出遥感也被提供。封装选项包括通孔和表面
安装配置。
标准应用
V
IN
V
DDQ
1k
1%
1
10
9
8
7
V
REF
V
TT
Co
n
HF-陶瓷
1k
1%
PTHxx060Y
（ TOP VIEW ）
2
3
C
IN
（必选）
Co
1
低ESR
（必选）
Co
2
陶瓷的
（可选）
4
5
V
TT
终止岛
6
SSTL2
公共汽车
待机
GND
Q
1
BSS138
（可选）
C
IN
=所需的电容; 330μF （ 3.3
±
5 V输入） ， 560
F
（12V输入） 。
Co
1
=所需的低ESR的电容Electrolyitic ; 470
F
(3.3
±
5 V输入） ， 940
F
（12V输入） 。
Co
2
=陶瓷电容的最佳响应3 A（ + 1.5 A ）负载瞬态; 200
F
(3.3
±
5 V输入） ， 400
F
（12V输入） 。
Co
n
=分布式高频陶瓷去耦电容V
TT
公交车;作为推荐DDR存储器应用。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
POLA是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004-2005 ，德州仪器
PTH03060Y
PTH05060Y ， PTH12060Y
SLTS222A - 2004年3月 - 修订2005年10月
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订购信息
PTHXX060Y （基本型号）
输入电压
产品型号
(1)
描述
卧式T / H
标准SMD
可选SMD
卧式T / H
标准SMD
可选SMD
卧式T / H
标准SMD
可选SMD
铅 - 免费
RoHS指令
是的
No
是的
是的
No
是的
是的
No
是的
(3)
(4)
(3)
(3)
(4)
(3)
(3)
(4)
(3)
包装机械
(2)
PTH03060YAH
3.3 V
PTH03060YAS
PTH03060YAZ
PTH05060YAH
5V
PTH05060YAS
PTH05060YAZ
PTH12060YAH
12 V
PTH12060YAS
PTH12060YAZ
(1)
(2)
(3)
(4)
EUW
EUY
EUY
EUW
EUY
EUY
EUW
EUY
EUY
添加
T
结束零件号的磁带和卷轴只SMD封装。
参考尺寸和PCB布局的应用程序包的参考图。
铅（Pb ） - 免费
选项指定锡/银引脚焊接材料。
标准
选项指定63/37 ，锡/铅端子焊接材料。
环境和绝对最大额定值
电压是相对于GND
单位
V
REF
T
A
T
WAVE
T
回流
T
s
控制输入电压
工作温度
范围
波峰焊温度
焊锡溢流温度
储存温度
机械冲击
机械振动
重量
FL可燃性
(1)
(2)
符合UL 94V -O
每MIL - STD- 883D ，方法2002.3 1毫秒，半正弦波，安装
MIL-STD- 883D ，方法2007.2 20-2000赫兹
在V
IN
范围
模块体或销钉的表面温度
（5秒）
模块体或销钉的表面温度
PTHXX060YAH
PTHXX060YAS
PTHXX060YAZ
0.3 V到V
in
+03 V
-40 ° C至85°C
(1)
260°C
235°C
260°C
(2)
(2)
(2)
-40_C到125_C
500 G
20 G
3.7克
对于低于0°C的操作，外部电容器必须具有稳定的特性，使用低ESR的钽电容， OS-CON ，或陶瓷
电容。
在包版本的焊接，不提高内部组件峰值温度模块，销或上述规定的
最大。
2
PTH03060Y
PTH05060Y ， PTH12060Y
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SLTS222A - 2004年3月 - 修订2005年10月
电气规格
T
A
= 25°C ;标称V
IN
; V
REF
= 1.25 V ;
IN
, C
O
1 ，和C
O
2 =典型值;我
O
= I
O
最大（除非另有说明）
参数
I
O
V
IN
V
REF
|V
TT
– V
REF
|
η
V
r
I
o
旅
t
tr
V
tr
输出电流
输入电压范围
跟踪范围为V
REF
跟踪耐受V
REF
效率
V
o
纹波（峰峰值）
过流阈值
负载瞬态响应
过电压，负载和温度
PTH03060Y
I
o
= 8 A
20 MHz带宽
复位，然后自动恢复
15 A / μs的负载阶跃，从：
-1.5 A至1.5 A
恢复时间
V
O
过冲/下冲
PTH03060Y
V
IN
增加
UVLO
欠压锁定
V
IN
Dncreasing
禁止控制（引脚4 ）
输入高电压
禁止控制（引脚4 ）
输入低电压
禁止控制（引脚4 ）
输入低CURENT
输入待机电流
开关频率
外部输入电容
电容值： Nonceramic
C
O
1, C
O
2
外部输出电容
PTH05060Y
PTH12060Y
PTH03060Y
PTH05060Y
PTH12060Y
V
IH
V
IL
I
IL
抑制
I
IN
INH
f
s
C
IN
2.0
3.4
8.8
V
IN
–0.5
参考GND
–0.2
130
10
PTH03060Y/PTH05060Y
PTH12060Y
PTH03060Y/PTH05060Y
PTH12060Y
PTH03060Y/PTH05060Y
PTH12060Y
电容值：陶瓷
PTH03060Y/PTH05060Y
PTH12060Y
4
(6)
6
250
200
330
(3)
560
470
(4)
940
(4)
200
(4)
400
(4)
5500
(5)
5500
(5)
300
600
300
250
350
300
PTH05060Y
PTH12060Y
过度
V
REF
范围
在我
O
范围
测试条件
连续
PTH03060Y
PTH05060Y
PTH12060Y
民
0
2.95
4.5
10.8
0.55
–10
86%
86%
83%
20
20
30
25
2.45
4.3
9.5
2.40
3.7
9
开放
(2)
0.6
V
V
A
mA
千赫
F
F
F
m
10
6
HRS
V
40
2.8
4.45
10.4
V
mVpp的
A
微秒
mV
典型值
最大
±10
(1)
3.65
5.5
13.2
1.8
10
V
mV
V
单位
A
连接到GND
禁止控制（ 4脚）和GND
在V
IN
我
O
范围
Equuivanent串联电阻（非陶瓷）
MTBF
可靠性
根据Bellcore TR- 332 50 ％的压力，T
A
= 40℃，地面良性
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
评级是有条件的模块被直接焊接到4层PCB与1盎司铜。看到SOA曲线或联系
工厂适当的降额。
这种控制引脚具有内部上拉至输入电压V
IN
。如果它被保持开路模块将操作时的输入功率是
应用。一个小的低漏电（ <100 NA）的MOSFET ，建议控制。欲了解更多信息，请参阅相关的应用
注。
输入电容是必需的正常运行。该电容的额定值必须至少300毫安有效值（ 750毫安有效值的12 -V
输入），纹波电流。
外部输出电容值的最小值确保VTT符合指定的瞬态性能要求
内存总线终端。较小的电容值可以是可能的，当
测
在输出电流峰值的变化是
一直小于4 A.
这是计算的最大值。最小的ESR限制往往会造成一个较低的值。咨询电容器应用笔记
为进一步指导。
这是了典型的ESR为所有电解质（非陶瓷）的输出电容。使用MAX- ESR值时，使用7毫欧的最低
来计算。
3
PTH03060Y
PTH05060Y ， PTH12060Y
SLTS222A - 2004年3月 - 修订2005年10月
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终端功能
终奌站
名字
V
IN
GND
号
2
1, 7
描述
正输入电压电源节点到模块，它被引用到公共GND 。
这是对于V的公共接地连接
IN
和V
TT
电源连接。它也是0伏参考
为控制输入。
本模块检测到的电压，该输入端，以调节输出电压V
TT
。在V的电压
REF
还
基准电压对系统总线接收器比较器。它通常被设置为正好一半的总线
驱动器电源电压（V
DDQ
÷
2 ），使用一个电阻分压器。网络的戴维南阻抗驱动
V
REF
引脚应不超过500
.
看到典型的DDR应用电路的应用信息中
部分，以供参考。
这是从模块输出的稳压电源相对于所述接地节点，且跟踪
终端电源为应用程序的数据和地址总线。正是调节施加的电压
到模块的V
REF
后一个有效的输入源被施加到输入端，并且是活性的活性约20毫秒
模块。一旦被激活，将跟踪应用在V的电压
REF
.
感测输入允许调节电路，以补偿模块和之间的电压降
负载。为了获得最佳的电压精度V
o
感应连接到V
TT
.
的抑制销是相对GND的开路集电极/漏极负逻辑输入。应用低级别
地面信号，该输入关断输出电压，V
TT
。虽然该模块被禁止时，一个电压V
DDQ
将出现在输出端子，通过在DDR存储器供给。当禁止被激活时，输入
电流由稳压绘制的显著降低。如果禁止引脚保持开路时，模块将
每当产生一个有效的输入源施加的输出。看到典型的DDR应用电路中
参考应用信息部分。
无连接
10
9
8
V
REF
8
V
TT
6
V
o
SENSE
5
抑制
3
N / C
4, 9, 10
1
7
PTHXX060
（ TOP VIEW ）
2
3
4
5
6
4
PTH03060Y
PTH05060Y ， PTH12060Y
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SLTS222A - 2004年3月 - 修订2005年10月
典型特征（V
REF
=1.25 V)
(1) (2)
效率
vs
负载电流
10 0
V
IN
= 5 V
60
V
IN
= 3.3 V
PD
功耗
W
50
输出纹波
mV
40
30
20
10
0
V
IN
= 5 V
V
IN
= 3.3 V
3
V
IN
= 12 V
2
V
IN
= 5 V
1
V
IN
= 3.3 V
0
输出纹波
vs
负载电流
4
功耗
vs
负载电流
90
效率
%
80
V
IN
= 12 V
70
60
50
V
IN
= 12 V
0
2
4
6
8
I
L
负载电流
A
10
0
2
4
6
0
2
4
6
8
I
L
负载电流
A
10
8
10
I
L
负载电流
A
图1 。
PTH03060Y / PTH05060Y AT
标称V
IN
温度降额
与负载电流
90
80
TA
环境温度
5
C
70
60
50
40
30
20
0
2
4
6
8
10
纳特CINV
200 LFM
100 LFM
400 LFM
图2中。
PTH12060Y而已; V
IN
= 12 V
温度降额
与负载电流
90
80
70
60
50
40
30
20
纳特CINV
100 LFM
200 LFM
400 LFM
网络连接gure 3 。
TA
环境温度
5
C
V
IN
= 12 V
0
2
4
6
8
I
L
负载电流
A
10
I
L
负载电流
A
图4中。
(1)
(2)
图5中。
电气特性数据已经制定了从在25℃下测试的实际产品。该数据被认为是典型的
转换器。适用于
图1，图2 ，
和
网络连接gure 3 。
温度衰减曲线代表在其中的内部部件是在等于或低于制造商的最大条件
操作温度。降额限制适用于用1盎司直接焊接在一个4英寸×4英寸的双面印刷电路板的模块。铜。为
表面贴装封装（AS和AZ后缀） ，多个过孔（镀通孔）需要添加围绕功率热通路
销。请参阅机械规范的更多信息。适用于
图4中，
和
图5中。
5
3.3 / 5/12输入电压单路输出
DC- DC转换器
非隔离DDR / QDR存储器总线终端模块
新产品
1
V
TT
总线终端输出（输出系统V
REF
)
10 A输出电流
3.3伏， 5伏或12伏直流输入电压
DDR和QDR兼容
开/关锁（用于V
TT
待机）
欠压锁定
工作温度范围： -40°C至+85°C
效率高达91％以上
输出过流保护（非锁定，自动复位）
点的负载-联盟（ POLA ）兼容
提供符合RoHS标准
PTHxx060Y
该PTHxx060Y是一个新的系列非隔离DC-DC转换器，专
总线终端的DDR和QDR存储器应用。无论是从操作
3.3伏， 5伏或12伏直流输入，模块产生VTT输出时将输出或
沉达的电流10 A准确地跟踪他们的VREF输入。 VTT的是所要求的总线
端接电源电压和VREF为参考电压为所述存储器和芯片组
总线接收器比较。 VREF通常被设置为一半VDDQ输入电源电压。
该PTHxx060Y系列采用了主动切换同步整流器输出
提供先进的降压开关转换状态。该产品是尺寸小
和是一个理想的选择，其中的空间，性能和高效率是期望的。
所有规格都是典型的标称输入，V
REF
= 1.25 V ，满载25℃
除非另有说明。
in
, C
o1
和C
o2
=典型值
输出规格
输出电流
（见注1 ）
跟踪范围为V
REF
跟踪耐受V
REF
(V
TT
- V
REF
)
（线路，负载
和温度）
纹波和噪声
负载瞬态响应
（见注4 ）
输出电容：
非陶瓷的值
（见注4和5）
陶瓷值
（见注4 ）
（见注6 ）
输入特定网络阳离子
输入电流
输入电压范围
空载
PTH03060Y
PTH05060Y
PTH12060Y
10毫安
2.95-3.65伏
4.5-5.5伏
10.8-13.2伏
环境特定网络阳离子
热性能
（见注2 ）
MSL （ “Z”后缀只）
保护
过流阈值
（自动复位）
所有型号
工作环境，
温度
非工作
20 MHz带宽
（以上ΔV
REF
范围）
±10 A
0.55-1.8 V
-10 mV至10 mV的
输入规范续。
输入电容
（见注3 ）
远程开/关
一般特定网络阳离子
效率
（IO = 8 A）
20 mV的峰峰值
绝缘电压
开关频率
PTH03060Y
PTH05060Y
PTH12060Y
PTH03060Y
PTH05060Y
PTH12060Y
2年质保
特定网络阳离子
PTH03060Y和PTH05060Y
PTH12060Y
330 F
560 F
正逻辑
86 ％ （典型值） 。
86 ％ （典型值） 。
83 ％ （典型值） 。
非隔离
550-650千赫
550-650千赫
200-300千赫
EN60950
UL/cUL60950
UL94V-0
30 μs的建立时间
过冲/下冲25 mV的典型。
PTH03060Y 470 μF （典型值） ， 5500
PTH05060Y 470 μF （典型值） ， 5500
PTH12060Y 940 μF （典型值） ， 5500
PTH03060Y 200 μF （典型值） ， 300
PTH05060Y 200 μF （典型值） ， 300
PTH12060Y 400 μF （典型值） ， 600
ESR（非陶瓷）
μF最大。
μF最大。
μF最大。
μF最大。
μF最大。
μF最大。
4MΩ分钟
审批和
标准
材料可燃性FL
尺寸
重量
MTBF
符合Telcordia SR- 332
（长x宽x高）
25.27 X 15.75 X 9.00毫米
0.995 X 0.620 X 0.354中
3.7克（0.13盎司）
6000000小时
-40 ° C至+85°C
-40 ° C至+125°C
LEVEL 3
欠压锁定：
PTH03060Y
PTH05060Y
PTH12060Y
VIN增加2.45 V （典型值） ， 2.80 V最大。
VIN下降2.20 V分钟， 2.40 V （典型值） 。
VIN
VIN
VIN
VIN
增加4.30 V （典型值） ， 4.45 V最大。
下降3.40 V分钟， 3.70 V （典型值） 。
增加
9.5 V （典型值） ， 10.4 V最大。
减少
8.80 V分， 9.0 V （典型值） 。
JEDEC J- STD- 020C
20 A （典型值） 。
文件名： pthxx060y.pdf版本（ 02 ） ： 2005年12月19日
3.3 / 5/12输入电压单路输出
DC- DC转换器
非隔离DDR / QDR存储器总线终端模块
新产品
2
对于最新的数据和应用程序支持访问www.artesyn.com/powergroup/products.htm
产量
动力
（ MAX 。 ）
18 W
18 W
18 W
产量
当前
（分）
0A
0A
0A
产量
当前
（ MAX 。 ）
±10 A
±10 A
±10 A
PTHxx060Y
VTT
范围
0.55-1.8伏
0.55-1.8伏
0.55-1.8伏
输入
电压
2.95-3.65伏
4.50-5.50伏
10.8-13.2伏
效率
（典型值）。
86%
86%
83%
模型
数
(8,9)
PTH03060Y
PTH05060Y
PTH12060Y
与选项编号系统
PTH05060YAST
封装选项
没有后缀=盘
T =卷带式
(7)
安装选项
(8)
D =横向通孔（雾锡）
H =横向通孔（锡/铅）
S =表面贴装（ 63/37锡/铅
引脚焊锡材料）
Z =表面贴装（ 96.5 / 3.0 / 0.5锡/银/铜
引脚焊锡材料）
管脚选项
A =通孔标准。引脚长度（ 0.140 “ ）
A =表面贴装锡/铅焊料球
输出电压编码
Y = DDR模块
产品系列
负载联盟点
兼容
输入电压
03 = 3.3 V, 05 = 5 V
和12 = 12伏
输出电流
06 = 10 A
包装机械
始终为0
笔记
1
评级是有条件的模块被焊接到4层PCB板
1盎司铜。看到SOA曲线或联系厂家进行适当的
降额。
这种控制引脚具有内部上拉至输入电压Vin 。如果它是左
开路模块将操作时的输入功率被施加。一个小
低漏电（ <100 NA）的MOSFET ，建议控制。欲了解更多
信息，请参阅应用笔记179 。
输入电容是必需的正常运行。该电容必须
堪称为最小纹波为500 mA RMS （1000毫安12V输入）的
电流。欲了解更多信息，请参考应用笔记179上
电容的选择。
外部输出电容值典型值保证了VTT
满足内存指定的瞬态性能要求
总线终端。较小的电容值可以是可能的，当
在输出电流下测得的峰值变化比3 A.坚持少
测试条件为15 A / μs的负载阶跃， -1.5 A到+1.5 A.
5
6
这是计算的最大值。最小ESR的限制往往会
导致较低的值。请参考应用笔记179的更多细节。
这是了典型的ESR为所有电解质（非陶瓷）输出
电容。使用7米
由于采用最小到最大- ESR值时，
计算。
磁带和卷轴包装仅适用于表面安装的版本。
如需订购无铅（符合RoHS标准）表面贴装部件更换
安装选项' S'与' Z' ，例如PTHxx060YAZ 。如需订购无铅（ RoHS指令
兼容）通孔零件更换安装选项' H'与' D' ，
例如PTHxx060YAD 。
注意：有些型号不支持的所有选项。请联系您
当地的腾讯代表或使用在线型号搜索工具
http://www.artesyn.com/powergroup/products.htm找到一个合适的
替代方案。
2
7
8
3
9
4
国际安全标准认证
UL / CUL CAN / CSA - C22.2 60950号
文件号E174104
TV产品服务（ EN60950 ），证书编号B 04 06 38572 044
CB报告及证书，以IEC60950 ，证书号US / 8292 / UL
文件名： pthxx060y.pdf版本（ 02 ） ： 2005年12月19日
3.3 / 5/12输入电压单路输出
DC- DC转换器
非隔离DDR / QDR存储器总线终端模块
新产品
3
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PTHxx060Y
12
14
输出电流（A ）
输出电流（A ）
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
纳特CONV
100 LFM
200 LFM
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
纳特CONV
100 LFM
200 LFM
环境温度（ ℃）
图1 - 安全工作区
VIN = 5.0 V ，V
REF
= 1.25 V ， IOUT = 10 A（见注一）
环境温度（ ℃）
图2 - 安全工作区
VIN = 12 V ，V
REF
= 1.25 V ， IOUT = 10 A（见注一）
VIN
100
90
效率（％）
V
DDQ
1k
1%
1k
1%
10 9
1
8
7
V
REF
V
tt
PTHxx060Y
（ TOP VIEW ）
2
3 4
5
6
80
70
60
50
0
2
4
6
8
10
VIN
3.3V
5.0V
12.0V
Co
n
HF-陶瓷
C
in
（必选）
+
Co
1
低ESR
（必选）
V
tt
终止岛
+
Co
2
陶瓷的
（可选）
待机
GND
Q
1
BSS138
（可选）
SSTL-2
数据/
地址/
公共汽车
输出电流（A ）
图3 - 效率与负载电流
V
REF
= 1.25 V （见注B）
图4 - 标准应用
笔记
A
SOA的曲线表示的条件，在该内部部件
不到腾讯的降额准则。
B
特征数据已经制定从实际测试产品
25 ℃。该数据被认为是典型的数据转换器。
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3.3 / 5/12输入电压单路输出
DC- DC转换器
非隔离DDR / QDR存储器总线终端模块
新产品
4
对于最新的数据和应用程序支持访问www.artesyn.com/powergroup/products.htm
PTHxx060Y
0.995 (25.27)
0.125 (3.18)
0.125 (3.18)
0.060
(1.52)
1
0.375
(9.52)
10
9
8
0.250
(6.35)
7
0.140
(3.55)
0.060
(1.52)
0.040 (1.02)
5位。
0.620
0.500 (15.75)
(12.70)
0.070 (1.78)
（防区肩）
2
3
4
顶视图
5
6
最低的组件
0.010分。 （0.25）
底侧隙
引脚连接
PIN号
功能
地
VIN
抑制*
N / C
VO感
V
TT
地
V
REF
N / C
N / C
主板
0.354 (9.00)
马克斯。
SIDE VIEW
1
2
3
4
5
6
7
8
9
尺寸以英寸（毫米）
公差（除非另有说明）
2个地方
±0.030
(±0.76)
3个地方
±0.010
(±0.25)
图5 - 镀通孔机械制图
0.995 (25.27)
0.125 (3.18)
0.125 (3.18)
0.375
(9.52)
1
10
9
8
*回流焊后
客户板
10
0.060
(1.52)
0.354 (9.00)
最大*
0.060
(1.52)
0.250
(6.35)
7
*表示负逻辑：
打开=正常运行
地面=功能活跃
0.500 0.620
(12.70) (15.75)
锡球
0.040 (1.02)
10个名额
最低的组件
0.010分。 （0.25）
底侧隙
2
3
4
5
6
SIDE VIEW
主板
顶视图
尺寸以英寸（毫米）
公差（除非另有说明）
2地方± 0.030 （ ± 0.76 ）
3处± 0.010 （ ± 0.25 ）
图6 - 表面贴装机械制图
数据腾讯技术 2005年
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