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PTF211802
LDMOS射频功率场效应晶体管
180 W, 2110至2170年兆赫
描述
该PTF211802是180 W,内部匹配,横向双扩散,
GOLDMOS
推挽式FET用于WCDMA的应用程序,从2110到
2170兆赫。全镀金,确保优异的器件寿命和
可靠性。
特点
宽带内部匹配
典型的双载波WCDMA性能
- 平均输出功率= 38 W
- 增益= 15分贝
- 效率= 25%
- IM3 = -37 dBc的
- ACPR < -42 dBc的
典型CW性能
- 输出功率为P - 1分贝= 180W的
- 效率= 50%
集成ESD保护:人体
模型中, 1级(最低)
优良的热稳定性
低HCI漂移
能够处理10 : 1 VSWR @ 28 V ,
180 W( CW)输出功率
双载波WCDMA上冲
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 2.0 A,
f
1
= 2140兆赫,女
2
= 2150兆赫, 3GPP
WCDMA信号, P / A R = 8分贝, 3.84 MHz带宽
35
-30
效率( % ) ,增益(dB )
30
25
20
15
10
-35
IMD ( DBC) , ACPR (分贝)
收益
漏EF网络效率
IM3
-40
-45
-50
-55
PTF211802A
包20275
ACPR
5
35
37
39
41
43
45
47
-60
输出功率(dBm ) ,平均
PTF211802E
包30275
ESD :
静电放电敏感器件 - 观察处理注意事项!
射频特性
在T
= 25 ° C除非另有说明
WCDMA测量
(不受生产测试VERI网络设计/表征在网络霓虹测试网络连接夹具版)
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 2.0 A,P
OUT
= 38 W AVG
f
1
= 2140兆赫,女
2
= 2150 MHz的双载波3GPP ,信道带宽= 3.84 MHz的峰值/均值= 8 dB的0.01 % CCDF
特征
互调失真
收益
漏EF网络效率
符号
IM3
G
ps
η
D
典型值
–37
15
25
最大
单位
dBc的
dB
%
双色测量
(英飞凌测试夹具测试)
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 2.0 A,P
OUT
= 60瓦PEP , F = 2110 MHz的音调间隔= 5兆赫
特征
收益
漏EF网络效率
互调失真
数据表
1
符号
G
ps
η
D
IMD
12.5
20
典型值
15
22
–40
最大
–38
单位
dB
%
dBc的
2004-02-13
PTF211802
DC特性
在T
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源击穿电压
漏极漏电流
导通状态电阻
工作电压门
栅极漏电流
条件
V
GS
= 0 V,I
DS
= 10 μA /方
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.1 V
V
DS
= 28 V,I
DQ
= 1.0 A /方
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0 V
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
I
GSS
65
2.5
典型值
0.1
3.2
最大
1.0
4
1.0
单位
V
A
V
A
最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
结温
器件总功耗
高于25 °C减免了
器件总功耗
高于25 °C减免了
存储温度范围
热阻
(T
= 70℃, 130 W CW)
PTF211802A
PTF211802E
PTF211802A
PTF211802E
符号
V
DSS
V
GS
T
J
P
D
P
D
T
英镑
R
θJC
R
θJC
价值
65
-0.5至+12
200
498
2.85
647
3.70
-40到+150
0.35
0.27
单位
V
V
°C
W
W / ℃,
W
W / ℃,
°C
° C / W
° C / W
典型性能
(在生产测试夹具连接取数据)
宽带性能
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 2.0 A,P
OUT
= 38 W
40
0
回波损耗
效率
58
理想
功率扫描,在脉冲条件
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 2.0 A , F = 2140兆赫,
脉冲周期为1毫秒, 0.8 %占空比
增益(dB ) ,效率(% )
输入回波损耗(dB )
35
30
25
20
15
10
收益
-5
-10
-15
-20
-25
-30
56
输出功率(dBm )
P- 1分贝= 52.8 dBm的
54
52
实际
50
48
46
30
32
34
36
38
40
42
44
P的-3dB = 53.6 dBm的
5
2080
2100
2120
2140
2160
2180
-35
2200
频率(MHz)
输入功率(dBm )
数据表
2
2004-02-13
PTF211802
典型性能
(续)
互调失真与输出功率
对于选定的电流
V
DD
= 28 V , F = 2140 MHz的音调间隔= 5兆赫
-20
互调失真产品
与音频间隔
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 2.0 A,P
OUT
( PEP ) = 170 W, F = 2140 MHz的
-20
互调失真( DBC)
互调失真
( DBC)
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
39
41
43
45
47
49
51
53
55
1.8 A
2.2 A
2.4 A
2.0 A
1.6 A
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
0
5
10
15
20
3阶
5th
7th
25
30
输出功率(dBm ) , PEP
音调间隔(兆赫)
双色驱动式
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 2.0 A , F = 2140兆赫,
音间距= 5兆赫
45
40
-20
30
单载波WCDMA上冲
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 2.0 A , F = 2140兆赫,
3GPP WCDMA信号,测试模型1瓦特/ 16 DPCH ,
67 %的剪裁, P / A R = 8.7分贝, 3.84 MHz带宽
-30
漏EF网络效率
25
-35
-25
效率
IM3
-30
-35
-40
IM5
-45
IM7
-50
-55
-60
42
44
46
48
50
52
54
互调失真( DBC)
35
30
25
20
15
10
5
漏极效率( % )
增益(dB )
排水 FFI效率( % )
15
10
5
0
收益
-45
ACPR
-50
-55
-60
37
38
39
40
41
42 43
44 45
46
47
输出功率(dBm ) , PEP
输出功率(dBm ) ,平均。
数据表
3
2004-02-13
ACPR ( DBC)
20
-40
PTF211802
典型性能
(续)
IM3 ,漏极效率和增益
- 电源电压
I
DQ
= 2.0 A,P
OUT
( PEP ) = 170 W, F = 2140兆赫,
音间距= 5兆赫
45
-5
1.03
偏置电压与外壳温度
电压归为典型的栅极电压。
系列节目的电流。
漏极效率( % ) ,增益(dB )
归一化偏置电压
40
35
30
25
20
15
10
5
0
22
24
26
28
30
32
34
收益
漏EF网络效率
IM3
-10
-15
1.02
1.01
1.00
0.99
0.98
0.97
0.96
-20
3.00 A
6.00 A
9.00 A
12.00 A
15.00 A
18.00 A
-25
-30
-35
-40
-45
-50
IM3 ( DBC)
-20
30
80
130
漏极电压( V)
外壳温度( ° C)
宽带电路阻抗数据
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1900毫安, P
OUT
= 30瓦AVG双载波WCDMA
Z
0
= 50
来源
D
LOAD
LOAD
2200兆赫
G
G
S
0.1
0.2
0.3
0.4
2070兆赫
D
频率
兆赫
2070
2110
2140
2170
2200
R
来源
jX
-14.00
-13.48
-13.00
-12.60
-12.22
R
4.28
4.06
3.98
3.84
3.76
10.22
9.56
9.14
8.70
8.24
LOAD
jX
1.24
1.94
2.42
2.90
3.34
来源
2200兆赫
2070兆赫
数据表
4
2004-02-13
PTF211802
参考电路
VDD
C1
.01F
QQ1
LM7805
R2
1.3KV
C2
.01F
R1
1.2KV
R3
2KV
C3
.01
F
Q1
BCP56
R4
10V
R6
1KV
l13
R5
24KV
R7
3KV
C4
0.1 F
C5
8.2pF
R10
10V
DUT
l17
C12
10pF
C13
1F
VDD
C14
100F
50V
l7
l5
2
RF_IN
C6
20pF
l9
l11
l15
l19
l
21
l23
C16
C15为12pF
0.6pF
l26
l25
2
l27
RF_OUT
l1
l2
C7
0.1pF
l3
l4
C8
1.2pF
l6
C9
20pF
l
8
l10
l12
R11
10V
l16
l18
l20
C17
12pF
l22
l24
l14
C10
0.1F
C11
8.2pF
C18
10pF
C19
1F
VDD
C20
100 F
50V
211802_sch-e
参考电路原理图的2140兆赫
电路装配信息
DUT
PTF211802E
电路板
0.76毫米[ 0.030 “]厚,
ε
r
= 3.48
微带
l1
l2
l3
l4
l5
l6
l7, l8
l9, l10
l11, l12
l13, l14
l15, l16
l17, l18
l19, l20
l21, l22
l23, l24
l25
l26
l27
在2140 MHz的电气特性
0.110
λ,
50.0
0.175
λ,
50.0
0.205
λ,
35.4
0.092
λ,
35.4
0.500
λ,
50.0
0.052
λ,
50.0
0.110
λ,
31.8
0.073
λ,
22.4
0.089
λ,
9.10
0.337
λ,
50.4
0.132
λ,
8.42
0.250
λ,
50.0
0.035
λ,
13.2
0.057
λ,
36.5
0.061
λ,
50.0
0.500
λ,
50.0
0.264
λ,
35.4
0.136
λ,
50.0
LDMOS晶体管
罗杰斯4350 , 2盎司铜
外形尺寸:长×宽(mm )。
9.40 x 1.70
14.78 x 1.70
16.99 x 2.84
7.57 x 2.84
42.67 x 1.70
4.39 x 1.70
9.04 x 3.30
5.84 x 5.26
6.86 x 15.09
28.58 x 1.70
10.01 x 16.33
21.26 x 1.70
2.74 x 9.96
4.70 x 2.72
5.21 x 1.70
42.67 x 1.70
21.79 x 2.84
11.51 x 1.70
外形尺寸:长×宽(英寸)
0.370 x 0.067
0.582 x 0.067
0.669 x 0.112
0.298 x 0.112
1.680 x 0.067
0.173 x 0.067
0.356 x 0.130
0.230 x 0.207
0.270 x 0.594
1.125 x 0.067
0.394 x 0.643
0.837 x 0.067
0.108 x 0.392
0.185 x 0.107
0.205 x 0.067
1.680 x 0.067
0.858 x 0.112
0.453 x 0.067
数据表
5
2004-02-13
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单价/备注
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PTF211802E
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ:173779730 复制
电话:0755-82170267
联系人:李经理
地址:深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
PTF211802E
INFINEON/英飞凌
21+
106368
DIP
有挂就有货 支持订货.备货
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
PTF211802E
INFINEON/英飞凌
21+
10320
4
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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PTF211802E
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9823
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
PTF211802E
SGS-THOMS
21+
12540
代理现货,可接受排单
全新原装正品/质量有保证
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