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PTF210901
LDMOS射频功率场效应晶体管
90 W, 2110年至2170年兆赫
描述
该PTF210901是一个内部匹配90瓦
GOLDMOS
FET
针对WCDMA应用2110至2170年兆赫。全金
金属确保优良的器件的寿命和可靠性。
双载波WCDMA上冲
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1050毫安,女
1
= 2140兆赫,女
2
= 2150兆赫,
3GPP WCDMA信号, P / A R = 8.0分贝, 3.84 MHz带宽
-25
30
25
IM3
-35
20
-40
15
-45
收益
-50
-55
39
40
41
42
43
44
ACPR
10
5
漏EF网络效率
特点
内部匹配的宽带性能
典型的双载波的3GPP的WCDMA
性能
- 平均输出功率= 19时-37 dBc的W
- 效率= 25%
典型CW性能
- 输出功率为P - 1分贝= 105 W
- 增益= 15分贝
- 效率= 53 %
集成ESD保护:人体模型,
1级(最低)
优良的热稳定性,低HCI漂移
能够处理10 : 1 VSWR为28 V ,
90 W( CW)输出功率
-30
效率( % ) ,增益(dB )
IMD ( DBC) , ACPR ( DBC)
输出功率,平均。 ( dBm的)
PTF210901E
包30248
ESD :
静电放电敏感器件 - 观察处理注意事项!
射频性能
在T
= 25 ° C除非另有说明
WCDMA测量
(不受生产测试VERI网络设计/表征在网络霓虹测试网络连接夹具版)
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1050毫安,P
OUT
=为19W AVG
f
1
= 2140兆赫,女
2
= 2150兆赫, 3GPP信号,信道带宽3.84 MHz的8.0 dB峰值/平均@ 0.01 % CCDF
特征
互调失真
收益
漏EF网络效率
符号
IMD
G
ps
典型值
–37
15
25
最大
单位
dBc的
dB
%
η
D
双色测量
(英飞凌测试夹具测试)
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1050毫安,P
OUT
= 90瓦PEP , F = 2170 MHz的音调间隔= 1兆赫
特征
收益
漏EF网络效率
互调失真
数据表
1
符号
G
ps
13.5
36
典型值
15
38
–30
最大
–28
单位
dB
%
dBc的
2004-01-16
η
D
IMD
PTF210901
电气特性
在T
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源击穿电压
漏极漏电流
导通状态电阻
工作电压门
栅极漏电流
条件
V
GS
= 0 V,I
D
= 10 A
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.1 V
V
DS
= 28 V,I
DQ
= 1050毫安
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0 V
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
I
GSS
65
2.5
典型值
0.1
3.2
0.01
最大
1.0
4.0
1.0
单位
V
A
V
A
最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
结温
器件总功耗
高于25 °C减免了
存储温度范围
热阻(T
= 70 ° C, 90瓦CW)
T
英镑
R
θJC
符号
V
DSS
V
GS
T
J
P
D
价值
65
-0.5至+12
200
389
2.22
-40到+150
0.45
单位
V
V
°C
W
W / ℃,
°C
° C / W
典型性能
在宽带测试夹具
宽带电路性能
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1050毫安,P
OUT
= 20瓦CW
40
0
55
54
功率扫描,脉冲条件
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1050毫安, F = 2140兆赫,
脉冲周期为1毫秒, 0.8 %占空比
增益(dB ) ,效率(% )
输入回波损耗(dB )
输出功率(dBm )
35
30
25
20
15
10
5
2080
输入回波损耗
2120
2160
收益
效率
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
2200
P的-3dB = 51.3 dBm的
理想
53
52
51
50
49
48
47
46
45
30 31 32 33 34 35 36 37 38 39
40
实际
P- 1分贝= 50.6 dBm的
频率(MHz)
输入功率(dBm )
数据表
2
2004-01-16
PTF210901
典型性能
(续)
互调失真与输出功率
对于选定的电流
V
DD
= 28 V , F = 2140 MHz的音调间隔= 1兆赫
-20
-25
-30
0.75 A
-20
-25
-30
0.85 A
1.15 A
互调失真产品
与音频间隔
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1050毫安,P
OUT
= 90瓦PEP ,
F = 2140 MHz的
IMD ( DBC)
IMD ( DBC)
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
37
39
0.95 A
3阶
-35
-40
-45
-50
五阶
1.05 A
41
43
45
47
49
51
-55
-60
0
7阶
10
20
30
输出功率(dBm ) , PEP
音调间隔(兆赫)
双色驱动式
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1050毫安, F = 2140兆赫,
音间距= 1兆赫
45
40
-20
-25
IM3
效率
IM5
-30
单载波WCDMA上冲
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1050毫安, F = 2140兆赫,
3GPP WCDMA信号,测试模型1 W / 16 DPCH 67 %
裁剪, P / A R = 8.7分贝, 3.84 MHz带宽
30
-30
漏EF网络效率
-35
35
30
25
20
15
10
5
0
39
41
43
45
-40
-45
-50
IM7
-55
-60
-65
47
49
51
15
收益
10
ACPR UP
5
ACPR低
0
34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44
-45
-50
-55
-60
输出功率(dBm ) , PEP
输出功率(dBm ) ,平均。
数据表
3
2004-01-16
ACPR (分贝)
IMD ( DBC)
-35
漏极效率( % )
增益(dB )
排水 FFI效率( % )
25
20
-40
PTF210901
典型性能
(续)
IM3 ,漏极效率和增益
- 电源电压
I
DQ
= 1050毫安, F = 2140兆赫,P
OUT
= 90瓦PEP ,
音间距= 1兆赫
45
40
35
漏EF网络效率
-5
-10
-15
-20
IM3
-25
-30
-35
收益
-40
-45
-50
22
24
26
28
30
32
34
偏置电压与温度的关系
电压归为典型的栅极电压。
系列节目的电流。
1.03
7.50 A
9.00 A
1.01
1.00
0.99
0.98
0.97
0.96
-20
5
30
55
80
105
6.00 A
4.50 A
3.00 A
1.50 A
30
25
20
15
10
5
0
漏极电压( V)
归一化偏置电压
1.02
效率(%) ,
增益(dB )
IM3 ( DBC)
外壳温度( ° C)
宽带电路阻抗数据
Z
0
= 50
0. 1
D
来源
LOAD
LOAD
G
0
.0
2200兆赫
0.1
S
频率
兆赫
2070
2110
2140
2170
2200
R
5.11
4.78
4.57
4.35
4.12
来源
jX
–7.00
–6.74
–6.50
–6.30
–6.11
R
2.14
2.03
1.99
1.92
1.88
LOAD
jX
0.62
0.97
1.21
1.45
1.67
W
ARD
L
OA
D
-
吨HS
T
O
L E
NG
VE
来源
0. 1
2200兆赫
2070兆赫
W
< ---
A
0.
2
数据表
4
2004-01-16
0.2
2070兆赫
PTF210901
测试电路
参考电路原理图对于f = 2140 MHz的
电路信息
DUT
PTF210901E
PCB
0.76毫米[ 0.030"厚,
ε
r
= 4.5
微带
l
1
l
2
l
3
l
4
l
5
l
6
l
7,
l
8
l
9
l
10
l
11
l
12
在2140 MHz的价值
0.375
λ,
50
0.199
λ,
39.2
0.015
λ,
11.5
0.037
λ,
60.4
0.195
λ,
60.4
0.073
λ,
7.5
0.199
λ,
55.4
0.049
λ,
4.98
0.089
λ,
4.98
0.151
λ,
41.9
0.381
λ,
50
LDMOS晶体管
2盎司铜
外形尺寸:长×宽(mm )。
28.45 x 1.40
14.83 x 2.06
1.07 x 10.06
2.90 x 0.97
15.11 x 0.97
4.98 x 17.73
15.32 x 1.14
3.30 x 25.17
5.99 x 25.17
11.30 x 1.85
29.13 x 1.40
TMM4
外形尺寸:长×宽(英寸)
1.120 x 0.055
0.584 x 0.081
0.042 x 0.396
0.114 x 0.038
0.595 x 0.038
0.196 x 0.698
0.603 x 0.045
0.130 x 0.991
0.236 x 0.991
0.445 x 0.073
1.147 x 0.055
数据表
5
2004-01-16
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