PTF191601E
PTF191601F
热Enhnaced高功率射频LDMOS FET的
160 W， 1930至1990年兆赫
描述
该PTF191601E和PTF191601F是160瓦，内部匹配
GOLDMOS
FET的用于在GSM EDGE和CDMA应用
1930年至一九九零年MHz频段。热增强型封装提供
最酷的操作使用。全镀金，确保优异的
器件的寿命和可靠性。
PTF191601E
包30260
PTF191601F*
包31260
典型的边缘表现
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 2.0 A ， F = 1989.1MHz
T
例
= 25°C
T
例
= 85°C
特点
热增强型封装
宽带内部匹配
典型的边缘表现
- 平均输出功率= 80瓦
- 增益= 14分贝
- 英法fi效率= 35 ％
- EVM = 2.5 ％
典型CW性能
- 输出功率为P - 1分贝= 180W的
- 增益= 13分贝
- 效率= 47 ％
集成ESD保护：人体
模型中， 1级（最低）
优良的热稳定性
低HCI漂移
能够处理10 ： 1 VSWR @ 28 V ，
160 W（ CW）输出功率
4
40
RMS EVM （平均％ ）
.
3
效率
2
30
排水 FFI效率（ ％ ）
20
1
EVM
0
35
40
45
50
10
0
输出功率（dBm ）
ESD ：
静电放电敏感器件，观察处理
注意事项！
射频特性
在T
例
= 25 ° C除非另有说明
EDGE测量
（不受生产测试VERI网络设计/表征在网络霓虹测试网络连接夹具版）
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 2.0 A，P
OUT
= 80 W， F = 1989.8兆赫
特征
误差矢量幅度
调制频谱@ 400千赫
调制频谱@ 600千赫
收益
漏EF网络效率
*请参阅英飞凌经销商对未来的可用性。
数据表
1 10
符号
EVM （ RMS ）
ACPR
ACPR
G
ps
η
D
民
—
—
—
—
—
典型值
2.5
–60
–73
14
35
最大
—
—
—
—
—
单位
%
dBc的
dBc的
dB
%
2004-09-16
PTF191601E
PTF191601F
射频特性
（续）
双色测量
（英飞凌测试夹具测试）
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 2.0 A，P
OUT
= 150瓦PEP中，f = 1990 MHz的音调间隔= 1兆赫
特征
收益
漏极效率@ -30 dBc的IM3
互调失真
符号
G
ps
η
D
IMD
民
12.5
33
—
典型值
14
35
–30
最大
—
—
–28
单位
dB
%
dBc的
DC特性
在T
例
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源击穿电压
漏极漏电流
导通状态电阻
工作电压门
栅极漏电流
条件
V
GS
= 0 V，I
DS
= 10 A
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.1 V
V
DS
= 28 V，I
DQ
= 2.0 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0 V
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
I
GSS
民
65
—
—
2.5
—
典型值
—
—
0.065
3.2
—
最大
—
1.0
—
4.0
1.0
单位
V
A
V
A
最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
结温
器件总功耗
高于25 °C减免了
存储温度范围
热阻（T
例
= 70℃，为160W连续波）
T
英镑
R
θJC
符号
V
DSS
V
GS
T
J
P
D
价值
65
-0.5至+12
200
603
3.45
-40到+150
0.29
单位
V
V
°C
W
W / ℃，
°C
° C / W
订购信息
TYPE
PTF191601E
PTF191601F*
包装外形
30260
31260
包装说明
热增强型开槽法兰，单端
热增强无耳法兰，单端
记号
PTF191601E
PTF191601F
*请参阅英飞凌经销商对未来的可用性。
数据表
2 10
2004-09-16
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