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发展PTF181301
LDMOS射频功率场效应晶体管
130 W, 1805-1880
描述
该PTF181301是130 W,内部匹配
GOLDMOS
FET意
在1805至80年MHz频段的GSM和EDGE应用。全金
金属确保优良的器件的寿命和可靠性。
特点
宽带内部匹配
典型的边缘表现
- 平均输出功率= 55瓦
- 增益= 15.5分贝
- 效率= 32%
- EVM = 1.7 %
典型CW性能
- 输出功率为P - 1分贝= 150瓦
- 增益= 14.5分贝
- 效率= 47 %
集成ESD保护:人体
模型中, 1级(最低)
优良的热稳定性
低HCI漂移
能够处理10 : 1 VSWR @ 28 V ,
130 W( CW)输出功率
EDGE EVM性能
EVM &效率与输出功率
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1.8 A, F = 1879.8兆赫
4
40
效率
3
30
RMS EVM (平均% )
效率(%)
2
20
1
EVM
0
35
38
40
43
45
48
50
10
0
输出功率(dBm )
PTF181301A
包20260
ESD :
静电放电敏感器件,观察处理注意事项!
射频特性
在T
= 25 ° C除非另有说明
EDGE测量
(不受生产测试VERI网络设计/表征在网络霓虹测试网络连接夹具版)
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1.8 A,P
OUT
= 55 W, F = 1879.8兆赫
特征
误差矢量幅度
调制频谱@ 400千赫
调制频谱@ 600千赫
收益
漏EF网络效率
符号
EVM ( RMS )
ACPR
ACPR
G
ps
典型值
1.7
–60
–73
15.5
32
最大
单位
%
dBc的
dBc的
dB
%
η
D
双色测量
(英飞凌测试夹具测试)
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1.8 A,P
OUT
= 130 W PEP , F = 1880 MHz的音调间隔= 1兆赫
特征
收益
漏极效率为-30 dBc的IM3
互调失真
发展数据表
1 4
符号
G
ps
典型值
15.5
35
–30
最大
单位
dB
%
dBc的
2004-04-28
η
D
IMD
发展PTF181301
DC特性
在T
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源击穿电压
漏极漏电流
导通状态电阻
工作电压门
栅极漏电流
条件
V
GS
= 0 V,I
DS
= 10 A
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.1 V
V
DS
= 28 V,I
DQ
= 1.8 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0 V
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
I
GSS
65
2.5
典型值
0.07
3.2
最大
1.0
4.0
1.0
单位
V
A
V
A
最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
结温
器件总功耗
高于25 °C减免了
存储温度范围
热阻(T
= 70℃, 130 W CW)
T
英镑
R
θJC
符号
V
DSS
V
GS
T
J
P
D
价值
65
-0.5至+12
200
350
2.0
-40到+150
0.50
单位
V
V
°C
W
W / ℃,
°C
° C / W
发展数据表
2 4
2004-04-28
发展PTF181301
订购信息
TYPE
PTF181301A
包装外形
20260
包装说明
热增强型,法兰安装
记号
PTF181301A
封装外形特定网络阳离子
包20260
45° X (2.03
[.080])
2X 12.70
[.500]
4X 1.52
[.060]
(2X 4.83±0.50
[.190±.020])
D
S
+0.10
LID 13.21 -0.15
[.520 +.004
]
-.006
2X 3.25
[.128]
13.72
[.540]
23.37±0.51
[.920±.020]
2X 1.63
[.064] R
G
SPH 1.57
[.062]
0.51
[.020]
22.35±0.23
[.880±.009]
4.11±0.38
[.162±.015]
0.038 [.0015] -A-
27.94
[1.100]
1.02
[.040]
34.04
[1.340]
ERA-H-30260-2-1-2302
注:除非另有规定编
1.解释每ASME Y14.5M - 1994的尺寸和公差。
2.主要尺寸为毫米。备用尺寸为英寸。
3.引脚: D =漏, S =源,G =门
4.铅厚度: 0.10 + 0.051 / -0.025 [ 0.004 +.002 / - 001 ]
查找有关产品和包装的。在网络连接霓虹灯互联网页最新,最完整的信息
http://www.infineon.com/products
发展数据表
3 4
2004-04-28
PTF181301
修订历史:
04-04-28
以前的版本:
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发展数据表
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highpowerRF@infineon.com
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+1 877 465 3667 ( 1-877 - GOLDMOS )美国
或+1 408 776 0600国际
GOLDMOS
是英飞凌科技股份公司的注册商标。
版28年4月4日
出版英飞凌科技股份公司,
圣 - 马丁大街53 ,
81669慕尼黑,德国
英飞凌科技股份公司2004年。
版权所有。
请注意!
此处的信息给出描述某些组件,不得被认为是一个保证
的特点。
交货条件和权利,以技术变革保留。
在此,我们不承担任何及所有担保,包括但不限于非侵权的保证,对于电路,
说明和图表规定外。
信息
有关技术,交货条款及条件和价格的进一步信息,请联系您最近的英飞凌
科技厅( www.infineon.com/rfpower ) 。
警告
由于技术要求组件可能含有危险物质。有关问题的类型信息
请联系您最近的英飞凌科技办公室。
英飞凌组件只能用于生命支持设备或系统的明确书面许可,
英飞凌科技,如果可以合理预期此类组件的故障会导致生命支持的失败
装置或系统,或影响该设备或系统的安全性或有效性。生命支持设备或系统
旨在被植入人体,或支持和/或保持和维持和/或保护人的生命。如果他们失败了,这
是合理的假设,该用户或其他人的健康可能受到威胁。
4 4
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