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PTF180601
LDMOS场效应晶体管
60 W， DCS / PCS频段
1805-1880 ， 1930-1990兆赫
描述
该PTF180601是60瓦，内部匹配
GOLDMOS
FET用于
EDGE应用在DCS / PCS频段。全金色金属确保
优良的器件的寿命和可靠性。
EDGE EVM性能
EVM &效率与输出功率
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 0.8 A ， F = 1989.8兆赫
4
40
特点
宽带内部匹配
典型的双音性能
- 平均输出功率= 30瓦
- 增益= 16.5分贝
- 英法fi效率= 35 ％
典型CW性能
- 输出功率为P - 1分贝= 75瓦
- 增益= 15.5分贝
- 效率= 47 ％
集成ESD保护：人体
模型中， 1级（最低）
优良的热稳定性
低HCI漂移
能够处理10 ： 1 VSWR @ 28 V ，
60 W（ CW）输出功率
RMS EVM （平均百分比） ..
3
效率
30
效率（％）
2
20
1
EVM
0
35
37
39
41
43
45
10
0
PTF180601C
包21248
PTF180601E
包30248
输出功率（dBm ）
ESD ：
静电放电敏感器件 - 观察处理注意事项！
射频特性
在T
例
= 25 ° C除非另有说明
EDGE测量
（不受生产测试VERI网络设计/表征在网络霓虹测试网络连接夹具版）
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 800毫安， P
OUT
= 22 W， F = 1989.8兆赫
特征
误差矢量幅度
调制频谱@ 400千赫
调制频谱@ 600千赫
收益
漏EF网络效率
符号
EVM （ RMS ）
ACPR
ACPR
G
ps
η
D
民
—
—
—
—
—
典型值
1.7
–60
–73
16.5
32
最大
—
—
—
—
—
单位
%
dBc的
dBc的
dB
%
双色测量
（英飞凌测试夹具测试）
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 800毫安， P
OUT
= 60瓦PEP ， F = 1930 MHz的音调间隔= 1兆赫
特征
收益
漏EF网络效率
互调失真
数据表
1
符号
G
ps
η
D
IMD
民
15
30
—
典型值
16.5
35
–30
最大
—
—
–28
单位
dB
%
dBc的
2004-05-03
PTF180601
电气特性
在T
例
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源击穿电压
漏极漏电流
导通状态电阻
工作电压门
栅极漏电流
条件
V
GS
= 0 V，I
DS
= 10 A
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.1 V
V
DS
= 28 V，I
DQ
= 800毫安
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0 V
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
I
GSS
民
65
—
—
2.5
—
典型值
—
—
0.135
3.2
0.01
最大
—
1.0
—
4.0
1.0
单位
V
A
V
A
最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
结温
器件总功耗
高于25 °C减免了
器件总功耗
高于25 °C减免了
存储温度范围
热阻
(T
例
= 70℃， 60瓦CW）
PTF180601C
PTF180601E
T
英镑
R
θJC
PTF180601E
P
D
PTF180601C
符号
V
DSS
V
GS
T
J
P
D
价值
65
-0.5至+12
200
159
0.91
180
1.03
-40到+150
1.1
0.97
单位
V
V
°C
W
W / ℃，
W
W / ℃，
°C
° C / W
° C / W
数据表
2
2004-05-03
PTF180601
典型性能
（拍摄于制作测试夹具测量，在T
例
= 25°C除非另有说明）
EDGE EVM性能
在26 V
V
DD
= 26 V，I
DQ
= 0.8 A ， F = 1989.8兆赫
5
50
40
效率
EDGE调制频谱性能
国防部频谱与功率输出
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 0.8 A ， F = 1989.8兆赫
-55
50
40
400千赫
效率
30
20
10
600千赫
-80
35
37
39
41
43
45
0
RMS EVM （平均百分比） ..
4
3
2
1
EVM
0
35
37
39
41
43
45
调制谱（ dB）的
-60
-65
-70
-75
效率（％）
30
20
10
0
输出功率（dBm ）
输出功率（dBm ）
EVM &调制频谱性能
F = 1989.8兆赫，输出功率= 22瓦
8
-40
400千赫
获得&效率与输出功率
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 0.8 A，F = 1990 MHz的
18
70
60
收益
调制谱（ dB）的
RMS EVM （平均％ ）
.
7
6
5
4
3
2
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
EVM
-50
-60
17
16
600千赫
-70
-80
-90
-100
-110
1.4
15
14
效率
13
12
11
30
35
40
45
50
40
30
20
10
0
1.2
Quiscent漏电流（ A）
输出功率（dBm ）
数据表
3
2004-05-03
效率（％）
50
增益（dB ）
效率（％）
PTF180601
典型性能
（续）
输出功率，增益&效率
（在P- 1分贝）
与频率的关系
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 0.8 A
19
效率
输出电网
17
收益
45
55
功率增益与输出功率
V
DD
= 28 V，F = 1990 MHz的
18
I
DQ
= 1.0 A
功率增益（ dB）的
50
输出功率（dBm ）
效率（％）
18
增益（dB ）
17
I
DQ
= 800毫安
I
DQ
= 600毫安
16
16
40
15
1900
1920
1940
1960
1980
2000
35
2020
15
0
1
10
100
频率（MHz）
输出功率（ W）
宽带测试夹具性能
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 0.8 A，P
OUT
= 60 W
20
70
宽带测试夹具性能
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 0.8 A，P
OUT
= 10 W
20
30
收益
27
增益（dB ） ，回波损耗（dB ）
增益（dB ） ，回波损耗（dB ）
15
10
5
0
-5
-10
-15
收益
15
10
5
0
-5
-10
-15
效率（％）
21
18
效率
15
12
9
回波损耗
6
2020
50
效率
40
回波损耗
-20
1900
1930
1960
1990
30
2020
-20
1900
1930
1960
1990
频率（MHz）
频率（MHz）
数据表
4
2004-05-03
效率（％）
60
24
PTF180601
典型性能
（续）
输出功率与电源电压
I
DQ
= 0.8 A，F = 1990 MHz的
50
互调失真与输出功率
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 0.8 A，F
1
= 1990兆赫，女
2
= 1991 MHz的
-20
-30
输出功率（dBm ）
49
IMD （ DBC）
48
47
46
45
44
22
24
26
28
30
32
-40
-50
-60
-70
3阶
五阶
7阶
-80
32
34
36
38
40
42
44
46
48
电源电压（ V）
输出功率， PEP （ DBM）
栅源电压与外壳温度
电压归为典型的栅极电压。
系列节目的电流。
1.03
归一化偏置电压
1.02
1.01
1.00
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
-20
0.40
1.53
2.67
3.80
4.93
6.07
0
20
40
60
80
100
外壳温度（ ° C）
数据表
5
2004-05-03
查看更多PTF180601EPDF信息
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