PTF141501E
热增强型高功率射频LDMOS FET
150 W,一四五〇年至1500年兆赫, 1600年至1700年兆赫
描述
该PTF141501E是150瓦,
GOLDMOS
FET用于DAB
应用程序。此设备的特征在于用于数字音频广播
操作在1450年至1500年兆赫频段。热增强型封装
提供最酷的操作使用。全金色金属确保
优良的器件的寿命和可靠性。
PTF141501E
包装H- 30260-2
DAB驱动式,在28伏特
V
DD
= 28 V , F = 1500兆赫,我
DQ
= 1.5 A, DAB模式2
特点
频谱再生( DBC)
热增强型封装,无铅,
符合RoHS标准
宽带内部匹配
典型的DAB模式2的性能在1500
兆赫, 32 V
- 平均输出功率= 50瓦
- 效率= 28 %
- 频谱再生= -30 dBc的
-
975千赫F
C
典型的DAB模式2的性能在1500
兆赫, 28 V
- 平均输出功率= 40瓦
- 效率= 26 %
- 频谱再生= -31 dBc的
-
975千赫F
C
CW的典型表现, 1500兆赫, 28 V
- 最小输出功率= 150瓦
- 线性增益= 16.5分贝
- 效率=在P- 1分贝48 %
集成ESD保护:人体
模型中, 1级(最低)
优良的热稳定性,低HCI漂移
能够处理10 : 1 VSWR为28 V , 150
W( CW)输出功率
35
30
-20
-25
排水 FFI效率( % )
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
愈合
效率
-30
-35
-40
-45
-50
-55
50
60
输出功率(W )平均
射频特性
民建联测量
(不受生产测试VERI网络设计/表征在网络霓虹测试网络连接夹具版)
V
DD
= 32 V,I
DQ
= 1.5 A,P
OUT
= 50 W
AVG
, F = 1500兆赫, DAB模式2,F
C
975千赫
特征
频谱再生
收益
漏EF网络效率
在T公布的所有数据
例
= 25 ° C除非另有说明
符号
RGTH
G
ps
民
—
—
—
典型值
–30
16.5
29
最大
—
—
—
单位
dBc的
dB
%
η
D
*请参阅英飞凌经销商对未来的可用性。
ESD :
静电放电敏感器件,观察处理注意事项!
数据表
1 12
牧师04 , 2008-02-13
PTF141501E
典型性能
CW扫描在宽带测试夹具
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1.5 A,P
OUT
(CW )= 30瓦
DAB驱动式,在32伏特
V
DD
= 32, I
DQ
= 1.5 A,F = 1500兆赫, DAB模式2
增益(dB)和漏极效率( % )
.
35
30
-20
30
25
20
15
10
5
0
1400
0
频谱再生( DBC)
-25
-30
排水 FFI效率( % )
.
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
-10
-15
-20
-25
-30
1600
效率
愈合
-35
-40
-45
-50
-55
收益
回波损耗
1450
1500
1550
输出功率(W )平均
频率(MHz)
CW扫描
对于变偏置条件
V
DD
= 28 V , F = 1500兆赫
17
互调失真产品
与输出功率
V
DD
= 28, I
DQ
= 1.5 A, F = 1.5千兆赫,音间距= 1兆赫
-25
45
互调失真( DBC)
-30
-35
-40
-45
-50
-55
IM3
35
增益(dB )
16
I
DQ
= 1.2 A
I
DQ
= 0.9 A
漏EF网络效率
IM5
25
15
I
DQ
= 0.6 A
15
IM7
-60
-65
0
20
40
60
80
5
100
14
1
10
100
1000
输出功率( W) CW
输出功率(W )平均
数据表
3 12
牧师04 , 2008-02-13
排水 FFI效率( % )
.
I
DQ
= 1.5 A
输入回波损耗(dB )
漏EF网络效率
-5