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PTF141501E
热增强型高功率射频LDMOS FET
150 W,一四五〇年至1500年兆赫, 1600年至1700年兆赫
描述
该PTF141501E是150瓦,
GOLDMOS
FET用于DAB
应用程序。此设备的特征在于用于数字音频广播
操作在1450年至1500年兆赫频段。热增强型封装
提供最酷的操作使用。全金色金属确保
优良的器件的寿命和可靠性。
PTF141501E
包装H- 30260-2
DAB驱动式,在28伏特
V
DD
= 28 V , F = 1500兆赫,我
DQ
= 1.5 A, DAB模式2
特点
频谱再生( DBC)
热增强型封装,无铅,
符合RoHS标准
宽带内部匹配
典型的DAB模式2的性能在1500
兆赫, 32 V
- 平均输出功率= 50瓦
- 效率= 28 %
- 频谱再生= -30 dBc的
-
975千赫F
C
典型的DAB模式2的性能在1500
兆赫, 28 V
- 平均输出功率= 40瓦
- 效率= 26 %
- 频谱再生= -31 dBc的
-
975千赫F
C
CW的典型表现, 1500兆赫, 28 V
- 最小输出功率= 150瓦
- 线性增益= 16.5分贝
- 效率=在P- 1分贝48 %
集成ESD保护:人体
模型中, 1级(最低)
优良的热稳定性,低HCI漂移
能够处理10 : 1 VSWR为28 V , 150
W( CW)输出功率
35
30
-20
-25
排水 FFI效率( % )
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
愈合
效率
-30
-35
-40
-45
-50
-55
50
60
输出功率(W )平均
射频特性
民建联测量
(不受生产测试VERI网络设计/表征在网络霓虹测试网络连接夹具版)
V
DD
= 32 V,I
DQ
= 1.5 A,P
OUT
= 50 W
AVG
, F = 1500兆赫, DAB模式2,F
C
975千赫
特征
频谱再生
收益
漏EF网络效率
在T公布的所有数据
= 25 ° C除非另有说明
符号
RGTH
G
ps
典型值
–30
16.5
29
最大
单位
dBc的
dB
%
η
D
*请参阅英飞凌经销商对未来的可用性。
ESD :
静电放电敏感器件,观察处理注意事项!
数据表
1 12
牧师04 , 2008-02-13
PTF141501E
射频特性
(续)
双色测量
(英飞凌测试夹具测试)
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1.5 A,P
OUT
= 150 W
PEP
, F = 1500 MHz的音调间隔= 1兆赫
特征
收益
漏EF网络效率
互调失真
符号
G
ps
15.0
35
典型值
16.5
–30
最大
–28
单位
dB
%
dBc的
η
D
IMD
DC特性
特征
漏源击穿电压
漏极漏电流
导通状态电阻
工作电压门
栅极漏电流
条件
V
GS
= 0 V,I
D
= 10 A
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.1 V
V
DS
= 28 V,I
DQ
= 1.5 A
V
GS
= +10 V, V
DS
= 0 V
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
I
GSS
65
2.5
典型值
0.07
3.3
最大
1.0
4.0
1.0
单位
V
A
V
A
最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
结温
器件总功耗
高于25 °C减免了
存储温度范围
热阻(T
= 70°C)
T
英镑
R
θJC
符号
V
DSS
V
GS
T
J
P
D
价值
65
-0.5至+12
200
438
2.5
-40到+150
0.4
单位
V
V
°C
W
W / ℃,
°C
° C / W
订购信息
TYPE
PTF141501E
包装外形
H-30260-2
包装说明
热增强型开槽法兰,单端
记号
PTF141501E
*请参阅英飞凌经销商对未来的可用性。
数据表
2 12
牧师04 , 2008-02-13
PTF141501E
典型性能
CW扫描在宽带测试夹具
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1.5 A,P
OUT
(CW )= 30瓦
DAB驱动式,在32伏特
V
DD
= 32, I
DQ
= 1.5 A,F = 1500兆赫, DAB模式2
增益(dB)和漏极效率( % )
.
35
30
-20
30
25
20
15
10
5
0
1400
0
频谱再生( DBC)
-25
-30
排水 FFI效率( % )
.
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
-10
-15
-20
-25
-30
1600
效率
愈合
-35
-40
-45
-50
-55
收益
回波损耗
1450
1500
1550
输出功率(W )平均
频率(MHz)
CW扫描
对于变偏置条件
V
DD
= 28 V , F = 1500兆赫
17
互调失真产品
与输出功率
V
DD
= 28, I
DQ
= 1.5 A, F = 1.5千兆赫,音间距= 1兆赫
-25
45
互调失真( DBC)
-30
-35
-40
-45
-50
-55
IM3
35
增益(dB )
16
I
DQ
= 1.2 A
I
DQ
= 0.9 A
漏EF网络效率
IM5
25
15
I
DQ
= 0.6 A
15
IM7
-60
-65
0
20
40
60
80
5
100
14
1
10
100
1000
输出功率( W) CW
输出功率(W )平均
数据表
3 12
牧师04 , 2008-02-13
排水 FFI效率( % )
.
I
DQ
= 1.5 A
输入回波损耗(dB )
漏EF网络效率
-5
PTF141501E
典型性能
(续)
互调失真与输出功率
用于各种I
DQ
V
DD
= 28中,f = 1.5 GHz的
-25
1.04
-30
-35
偏置电压与温度的关系
电压归为典型的栅极电压。
系列节目的电流。
0.90 A
2.10 A
4.50 A
7.50 A
10.50 A
13.50 A
I
DQ
= 1.1 A
归一化偏置电压
150
1.03
1.02
1.01
1.00
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
-20
0
20
40
60
80
100
IM3 ( DBC)
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
0
50
100
I
DQ
= 1.3 A
I
DQ
= 1.5 A
I
DQ
= 1.7 A
I
DQ
= 1.9 A
输出功率(W )平均
外壳温度( ° C)
宽带电路阻抗, 1500兆赫
D
GE
NE
Z
0
= 50
D
来源
LOAD
LOAD
G
S
0
.0
W
ARD
LOA
D
-
吨HS
T
O
LE
NG
VE
0.1
频率
兆赫
1400
1450
1500
1550
1600
R
来源
jX
–6.70
–5.90
–5.10
–4.30
–3.70
R
5.00
4.50
4.20
3.90
3.70
LOAD
jX
1.27
1.73
2.21
2.60
3.05
0.94
0.90
0.86
0.82
0.80
来源
1600兆赫
0. 1
1400兆赫
数据表
4 12
A
---
W
牧师04 , 2008-02-13
0.2
0.1
1600兆赫
1400兆赫
PTF141501E
参考电路1500兆赫
C1
0.001F
R2
1.3K
V
R1
1.2K
V
QQ1
LM7805
V
DD
Q1
Q1
BCP56
C2
0.001F
R3
2K
V
C3
0.001F
R4
2K
V
R5
5.1K
V
C4
10F
35V
R6
10
V
C5
0.1F
R7
5.1K
V
C6
7.5pF
C10
13pF
C11
1F
L1
C12
0.1F
C13
10F
35V
V
DD
l
6
C7
33pF
DUT
l
7
C19
33pF
RF_IN
l
1
l
2
l
3
C8
0.3pF
l
4
C9
2.4pF
l
5
l
9
l
10
C18
0.7pF
l
11
l
12
l
13
l
14
C20
0.3pF
RF_OUT
l
8
L2
C14
13pF
C15
1F
C16
0.1F
C17
10F
35V
141501a-1500_sch
参考电路原理图1500兆赫
电路装配信息
DUT
PTF141501E
PCB
0.76毫米[ 0.030"厚,
ε
r
= 4.5
微带
l
1
l
2
l
3
l
4
l
5
l
6
l
7
l
8
l
9
l
10
l
11
l
12
l
13
l
14
LDMOS晶体管
TMM4
2盎司铜,两面
外形尺寸:长×宽(英寸)
0.185 x 0.058
0.500 x 0.073
0.062 x 0.073
0.048 x 0.298
0.200 x 0.598
0.794 x 0.038
1.238 x 0.035
1.238 x 0.035
0.097 x 1.098
0.324 x 1.098
0.235 x 0.497
0.045 x 0.058
0.240 x 0.058
0.042 x 0.058
在1500 MHz的电气特性
1
外形尺寸:长×宽(mm )
0.043
λ,
50.0
4.67 x 1.47
0.118
λ,
42.0
12.70 x 1.85
0.015
λ,
42.0
1.57 x 1.85
0.012
λ,
14.7
1.22 x 7.57
0.052
λ,
8.0
5.08 x 15.19
0.182
λ,
60.0
20.17 x 0.97
0.283
λ,
63.0
31.45 x 0.89
0.283
λ,
63.0
31.45 x 0.89
0.026
λ,
4.6
2.46 x 27.89
0.086
λ,
4.6
8.23 x 27.89
0.061
λ,
9.4
5.97 x 12.62
0.011
λ,
50.0
1.14 x 1.47
0.056
λ,
50.0
6.10 x 1.47
0.010
λ,
50.0
1.07 x 1.47
1
电特性是圆形的。
数据表
5 12
牧师04 , 2008-02-13
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数量
封装
单价/备注
操作
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PTF141501E
    -
    -
    -
    -
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电话:0755-23609091
联系人:苏先生
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PTF141501E
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Descriptio
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PTF141501E
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高频管
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电话:0755-88291559
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-
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22+
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