30瓦， 2110至2170年兆赫
GOLDMOS
场效应晶体管
描述
该PTF 102015是一个30瓦的内部匹配
GOLDMOS
FET意
对于WCDMA应用2110至70年兆赫。该LDMOS器件
运行在47 ％的效率为16 dB的增益。全金色金属确保
优良的器件的寿命和可靠性。
PTF 102015
主要特点
内部匹配
典型的WCDMA性能
- 平均输出功率= 4.5瓦
- 增益= 16分贝
- 效率= 20％
（信道带宽3.84MHz的）
典型CW性能
- 在输出功率P - 1分贝= 34瓦
- 增益= 15分贝
- 效率= 47 ％
全镀金
集成ESD保护; 1级
（最小）人体模型
优良的热稳定性
宽带内部匹配
低HCI漂移
能够处理10 ： 1 VSWR @ 28 V ，
30瓦（ CW）输出功率
PTF
1020
15
典型的单载波WCDMA的性能
24
效率（％） &增益（ dB）的
20
16
12
8
4
0
1.0
V
DS
= 28 V
I
DQ
= 380毫安，女
C
= 2170 MHz的
收益
-15
-25
ACPR （分贝）
-35
效率
ACPR
1
(f
C
+ 5兆赫）
-45
-55
-65
5.0
2.0
3.0
4.0
输出功率（瓦）
包20265
保证性能
WCDMA测量
（英飞凌测试夹具）
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 380毫安，P
OUT
= 4.5 W
F = 2170 MHz的单载波3GPP信道带宽3.84MHz的，调通道± 5 MHz时，峰值为平均8.5 ： 1
特征
相邻通道功率比
收益
漏EF网络效率
符号
ACPR
G
ps
h
D
民
—
14.5
—
典型值
-46
16
20
最大
-42
—
—
单位
dB
dB
%
双色测量
（英飞凌测试夹具）
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 380毫安，P
OUT
= 30瓦PEP ，女
c
= 2170 MHz的音调间隔= 100千赫
特征
收益
漏EF网络效率
互调失真
在T公布的所有数据
例
= 25°C ，除非另有说明。
数据手册版本A
1
符号
G
ps
h
D
IMD
民
14
—
—
典型值
15
39
-32
最大
—
—
-28
单位
dB
%
dBc的
2002-10-08
PTF 102015
电气特性
（保证）
特征
漏源击穿电压
漏极漏电流
导通状态电阻
静态电流栅极电压
栅极漏电流
条件
V
GS
= 0 V，I
DS
= 10 A
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
DS
= 1 A
V
DS
= 28 V，I
D
= 380毫安
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0 V
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ Q）
I
GSS
民
65
—
—
2.5
—
典型值
—
—
.3
3.2
—
最大
—
1.0
—
4
100
单位
伏
A
欧
伏
nA
最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
工作结温
器件总功耗
高于25 °C减免了
存储温度范围
热阻（T
例
= 70°C)
T
英镑
R
QJC
符号
V
DSS
V
GS
T
J
P
D
价值
65
+15, -0.5
200
109
0.625
-40到+150
1.5
单位
VDC
VDC
°C
瓦
W / ℃，
°C
° C / W
典型性能
IM3主场迎战在各种偏见输出功率
0
-10
V
DD
= 28 V ， F = 2170 MHz的
音间距= 100千赫
18
效率
16
收益
50
40
V
DD
= 28 V
I
DQ
= 380毫安
P
OUT
= 30 W
回波损耗
-30
5
20
-15
10
10
-25
60
IM3 （ DBC）
-20
420毫安
-30
-40
-50
-60
2
6
10
14
18
22
26
30
380毫安
250毫安
增益（dB ）
14
12
8
0
2070 2090 2110 2130 2150 2170 2190 2210
输出功率（ W- PEP ）
频率（MHz）
数据手册版本A
2
2002-10-08
回波损耗（分贝）效率（ ％ ）
宽带测试夹具性能
PTF 102015
典型性能
（续）
典型的P
OUT
，增益&效率（以P- 1分贝）
与频率的关系
18
17
16
60
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 380毫安
50
效率
收益
15
14
30
13
12
2070
P ?????????? AQ ???? R 11谩
功率增益与输出功率
输出功率（ W） &效率（％ ）
16.5
I
DQ
= 420毫安
I
DQ
= 380毫安
I
= 250毫安
功率增益（ dB）的
16.0
15.5
15.0
14.5
14.0
13.5
1
10
100
V
DD
= 28 V
F = 2170 MHz的
增益（dB ）
40
2105
2140
2175
20
2210
频率（MHz）
输出功率（ W）
获得&效率与输出功率
17
16
55
42
45
效率
35
25
V
DD
= 28 V
I
DQ
= 380毫安
F = 2170 MHz的
15
5
0
5
10
15
20
25
30
35
输出功率（在1 dB压缩）
- 电源电压
I
DQ
= 380毫安
F = 2170 MHz的
增益（dB ）
15
14
13
12
输出功率（ W）
收益
效率（％ ）×
38
34
30
26
22
24
25
26
27
28
29
30
输出功率（瓦）
电源电压（伏特）
互调失真与输出功率
（测量在宽带电路）
0
-10
-20
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 380毫安
F = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫
栅源电压与外壳温度
1.03
1.02
电压标准化为1.0 V
系列节目电流（ A）
偏置电压（ V）
1.01
1.00
0.99
0.98
0.97
0.96
0.20
0.77
1.33
1.90
2.47
3.03
30
80
130
IMD （ DBC）
-30
-40
-50
-60
-70
-80
0
4
8
3阶
5th
7th
12
16
20
24
28
32
0.95
-20
输出功率（瓦- PEP ）
外壳温度（ ° C）
数据手册版本A
3
2002-10-08
PTF 102015
测试电路
测试Circit原理为F = 2170 MHz的
DUT
l
1
l
2
l
3
l
4
l
5
l
6
l
7
l
8
l
9
l
10
l
11
l
12
PTF 102015
0.102
l
@ 2170 MHz的
0.078
l
@ 2170 MHz的
0.098
l
@ 2170 MHz的
0.053
l
@ 2170 MHz的
0.136
l
@ 2170 MHz的
0.054
l
@ 2170 MHz的
0.340
l
@ 2170 MHz的
0.060
l
@ 2170 MHz的
0.019
l
@ 2170 MHz的
0.110
l
@ 2170 MHz的
0.087
l
@ 2170 MHz的
0.373
l
@ 2170 MHz的
LDMOS晶体管
微带50
W
微带22.8
W
微带42.8
W
微带11.6
W
微带74
W
微带11.6
W
微带50
W
微带28.6
W
微带14.3
W
微带50
W
微带50
W
微带54.5
W
C1, C10
C2, C8, C11
C3, C7
C4, C12
C5
C6
C9
C13
J1, J2
L1
R1
R2
电路板
10 μF ， 35 V
电容， Digi-Key询问PC56106
0.1 μF ， 50 V
电容， Digi-Key询问PCC103 BCT
11 pF的
电容器， 100 A 110
33 pF的
电容器， 100 330
2.1 pF的
电容器， 100 A 2R1
1.8 pF的
电容器， 100 A 1R8
100 μF ， 50 V
电容， Digi-Key询问P5182
0.8 pF的
电容器， 100 A 0R8
连接器， SMA ，女，面板安装
6 mm
铁十字53/3 / 4.6-452
10欧姆， 1/8 W
贴片电阻1206向Digi-Key 100 ECT
1K欧姆， 1/8 W码电阻器1206向Digi-Key 102 ECT
0.030"厚， TMM4 2盎司纯铜，制造
装配图（不按比例）
数据手册版本A
5
2002-10-08
QQ：2880707522 复制
