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PTF 10139
60瓦， 860-960兆赫
GOLDMOS
场效应晶体管
描述
该PTF 10139是
GOLDMOS
场效应管适用于放大器的应用
系统蒸发散到860-960兆赫。这60瓦的设备运行在55 ％艾菲
效率为12.5 dB的典型增益。氮化物表面钝化和全
镀金确保优异的器件寿命和可靠性。
在960 MHz时， 28伏的表现
- 输出功率为60瓦敏
- 功率增益为12.5 dB典型值
- 效率= 55 ％典型值
全镀金
氮化硅钝化
优良的热稳定性
背面共源
100％的批次追踪
可在包20256为PTF 10138
典型输出功率&效率与输入功率
70
输出功率
60
70
排水 FFI效率（ ％ ）
X
60
效率
50
40
80
输出功率（瓦）
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
A-1
234
561
199
101
e
39
包
20251
V
DD
= 28 V
I
DQ
= 500毫安
F = 960 MHz的
30
20
10
输入功率（瓦）
也可在
包
20256
e
A-12
1013
3456
8
2700
RF连接特定的阳离子
（ 100％测试）
特征
共源功率增益
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 60 W，I
DQ
= 500 mA时， F = 960兆赫）
输出功率在1 dB压缩
(V
DD
= 28 V，I
DQ
= 500 mA时， F = 960兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 60 W，I
DQ
= 500 mA时， F = 960兆赫）
负载不匹配公差
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 60 W，I
DQ
= 500 mA时， F = 960 MHz-
所有相位角在测试的频率）
在T公布的所有数据
例
= 25°C ，除非另有说明。
符号
G
ps
P-1dB
h
Y
民
11.5
60
50
—
典型值
12.5
—
55
—
最大
—
—
—
10:1
单位
dB
瓦
%
—
e
1
PTF 10139
电气特性
特征
（ 100％测试）
e
条件
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
g
fs
民
65
—
—
3.0
—
典型值
—
—
—
—
2.8
最大
—
1.0
1
5.0
—
单位
伏
mA
mA
伏
SIEMENS
漏源击穿电压V
GS
= 0 V，I
D
= 25毫安
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
栅极阈值电压
正向跨导
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 75毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 3 A
最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
工作结温
器件总功耗
高于25 °C减免了
存储温度范围
热阻（T
例
= 70°C)
T
英镑
R
QJC
符号
V
DS
V
GS
I
D
T
J
P
D
价值
65
±20
7
200
194
1.11
-65到150
0.9
单位
VDC
VDC
ADC
°C
瓦
W / ℃，
°C
° C / W
典型性能
典型的P
OUT
，增益&效率
（在P- 1分贝）
与频率的关系
增益（dB ）
13
80
宽带测试夹具性能
90
14
60
50
40
增益（dB ）
14
输出功率&效率
13
12
V
DD
= 28 V
收益
12
11
10
9
840
输出功率（ W）
60
50
40
960
收益
I
DQ
= 500毫安
70
11
10
9
V
DD
= 28 V
I
DQ
= 500毫安
P
OUT
= 60 W
30
效率（％）
-15
10
回波损耗（分贝）
-25
0
960
860
880
900
920
940
8
920
930
940
950
频率（MHz）
频率（MHz）
2
回波损耗
- 5
20
效率
效率（％）
e
功率增益与输出功率
14
75
PTF 10139
输出功率与电源电压
输出功率（瓦）
I
DQ
= 500毫安
功率增益（ dB）的
13
I
DQ
= 320毫安
12
I
DQ
= 225毫安
11
70
65
60
55
50
V
DD
= 28 V
F = 960 MHz的
I
DQ
= 500毫安
F = 960 MHz的
24
26
28
30
32
10
0
1
100
输出功率（瓦）
电源电压（伏特）
互调失真与输出功率
（测量在宽带电路）
-20
140
120
电容与电源电压
24
20
V
DD
= 28 V
-30
3阶
CDS &的Cgs （PF ）
I
DQ
= 500毫安
f
1
= 959.90兆赫
f
2
= 960.00兆赫
C
gs
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
100
80
60
40
20
IMD （ DBC）
-40
5th
C
ds
12
8
4
-50
7th
-60
0
10
20
30
40
50
60
70
0
0
10
20
30
C
RSS
40
0
输出功率（瓦- PEP ）
电源电压（伏特）
偏置电压与外壳温度
1.04
栅源电压（ V）
1.03
1.02
1.01
1.00
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
-20
30
80
130
外壳温度（ ° C）
0.4
1.364
2.328
3.292
4.256
5.22
电压标准化为1.0 V
系列节目电流（ A）
3
CRSS （PF ）
16
PTF 10139
阻抗数据
V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 60 W，I
DQ
= 500毫安
e
Z
0
= 10
W
0.4
5
来源
LOAD
0.
05
G
R
--
->
S
NE
R
A
TO
-
WAV
E
LE
NGT
HS
兆赫
850
860
900
920
960
R
0.60
0.56
0.55
0.58
0.65
jX
0.40
0.56
0.80
0.90
1.10
R
2.35
2.20
1.80
1.80
1.80
jX
0.74
0.72
0.95
1.10
1.30
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
G
THS
E
LE
N
TO
W
A
RD
LO
AD
-
0.1
典型的散射参数
(V
DS
= 28 V，I
D
= 1.5 A)
f
（兆赫）
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
1250
1300
1350
1400
1450
1500
S11
MAG
0.941
0.949
0.958
0.968
0.975
0.973
0.974
0.982
0.985
0.981
0.979
0.986
0.984
0.986
0.992
0.990
0.983
0.984
0.993
0.991
0.986
0.982
0.990
0.991
0.986
S21
昂
-175
-176
-178
-179
-179
180
179
178
177
177
176
175
175
174
173
173
172
171
171
171
170
169
169
169
168
S12
昂
36.8
32.7
28.3
24.7
22.3
18.0
14.6
10.5
6.38
3.31
0.641
0.228
0.643
-0.107
-0.098
-0.827
-1.69
-2.59
-3.43
-3.76
-4.91
-4.94
-5.51
-5.77
-5.99
AV
S22
昂
-82.1
-82.7
-83.6
-82.9
-83.4
-78.3
-71.0
-19.9
44.0
68.8
71.9
70.1
76.6
79.0
81.0
80.6
78.5
76.4
76.2
76.6
76.4
73.3
69.4
67.2
66.3
MAG
2.70
2.09
1.71
1.40
1.20
1.03
0.892
0.788
0.671
0.576
0.489
0.425
0.378
0.342
0.316
0.294
0.264
0.245
0.228
0.211
0.192
0.179
0.173
0.159
0.146
MAG
0.028
0.022
0.017
0.013
0.009
0.006
0.003
0.001
0.003
0.004
0.007
0.008
0.010
0.011
0.014
0.016
0.018
0.020
0.022
0.023
0.025
0.028
0.030
0.029
0.030
MAG
0.993
0.990
0.991
0.994
0.998
0.996
0.996
0.996
0.997
0.999
0.996
0.990
0.992
0.994
0.996
0.989
0.985
0.990
0.993
0.987
0.986
0.988
0.986
0.990
0.985
昂
-175
-176
-178
-179
-179
-180
180
179
178
178
177
176
176
176
175
175
174
173
173
173
173
172
172
171
171
4
0.5
850兆赫
0.1
频率
来源
W
LOAD
W
拖车
AR
D
GE
来源
960兆赫
0.
4
D
LOAD
960兆赫
850兆赫
5
0.
0.3
0 .2
e
测试电路
PTF 10139
测试电路原理图在f = 960 MHz的
D.U.T.
PTF 10139
0.190
l
960兆赫
0.075
l
960兆赫
0.141
l
960兆赫
0.017
l
960兆赫
0.122
l
960兆赫
0.191
l
960兆赫
0.015
l
960兆赫
0.225
l
960兆赫
微带50
W
微带15.7
W
微带5.2
W
微带5.2
W
微带8.3
W
微带8.3
W
微带50
W
微带50
W
C1, C8
C2, C3, C5, C9
C4
C6
C7
J1, J2
L1
R1, R2, R3
电路板
电容， 3.0 pF的
100 B 3r0
电容， 36 pF的
100 B 360
电容2.0 pF的
100 B 2R0
电容器， 0.1
MF，
50 V
Digi-Key询问P4525 -ND
电容器100
MF，
50 V DIGI - KEY P5182 -ND
连接器， SMA ，女，面板安装
爱立信， #RPM 513 53分之412
4圈， 22 AWG ， 0.120内径
电阻220ohm ， 1 / 4W向Digi-Key 220qbk ，无
0.031 “厚，
e
r
= 4.0 ， 2盎司纯铜， G200 ，盟军
信号
l
1
l
2
l
3
l
4
l
4
l
4
l
5
l
6
装配图（不按比例）
5
查看更多PTF10139PDF信息
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P83C562EBA/NNN
P4C1982L-25DC
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PAL20P1AVC
PT2128A-L21D
PE4012
PSD853F2V-20JIT
PIC16F883T-I/SO
PSD311-90UI
PT4567C
PJ-A298A-100.0
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    PTF10139
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    -
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