【GOLDMOSPTF 10041场效应晶体管12瓦， 1.99 GHz的在1.99 GHz时， 26】,IC型号PTF10041,PTF10041 PDF资料,PTF10041经销商,ic,电子元器件-51电子网

GOLDMOS

PTF 10041

场效应晶体管

12瓦， 1.99 GHz的

在1.99 GHz时， 26 V保证性能

- 输出功率= 12瓦敏

- 功率增益= 10分贝敏

全镀金

氮化硅钝化

优良的热稳定性

背面共源

100％的批次追踪

描述

PTF的10041是一个12瓦的

GOLDMOS

场效应管适用于大

信号放大器应用为1.0 2.0千兆赫。它工作在38 ％

效率为10 dB（最小值）增益。氮化物表面钝化和

全镀金确保优异的器件寿命和可靠性。

典型的输出功率与输入功率

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

= 26 V

= 125毫安

F = 1990 MHz的

输出功率（瓦）

F10

041

输入功率（瓦）

包20249

RF连接特定的阳离子

特征

（保证）

符号

P-1dB

民

—

典型值

—

最大

—

10:1

单位

瓦

—

收益

= 26 V ，P

OUT

= 3 W，余

= 125 mA时， F = 1930 ，1990 MHz）的

输出功率在1 dB压缩

= 26 V，I

= 125 mA时， F = 1990兆赫）

漏EF网络效率

= 26 V ，P

OUT

= 12 W，I

= 125 mA时， F = 1990兆赫）

负载不匹配公差

= 26 V ，P

OUT

= 12 W，I

= 125 mA时， F = 1990 MHz的

- 所有相位角在测试的频率）

在T公布的所有数据

例

= 25°C ，除非另有说明。

PTF 10041

电气特性

（保证）

特征

条件

符号

DSS

GS （ ON）

民

—

3.0

典型值

—

最大

—

1.0

5.0

单位

伏

漏源击穿电压V

= 0 V，I

= 1.8毫安

漏极 - 源极漏电流

门上的电压

= 28 V, V

= 0 V

= 26 V，I

= 125毫安

最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

工作结温

器件总功耗

高于25 °C减免了

储存温度

热阻（T

例

= 70°C)

英镑

QJC

符号

DSS

价值

±20

200

0.33

150

3.0

单位

VDC

°C

瓦

W / ℃，

°C

° C / W

典型性能

OUT

，增益&效率

（在P- 1分贝）

与频率的关系

增益（dB） &输出功率（W ）

= 26 V

= 125毫安

效率

P ?????? ???? ???? AQ R 10谩

宽带测试夹具性能

效率（％）

回波损耗（分贝）

收益

效率（％）×

增益（dB ）×

效率

= 26 V

= 125毫安

OUT

= 10 W

- 5

-10

-15

-20

-25

回波损耗

1925

1950

1975

收益

1750 1800 1850 1900 1950 2000 2050

2000

频率（MHz）

典型性能

（续）

功率增益与输出电网

100

= 35毫安

= 26 V

F = 1990 MHz的

= 125毫安

= 70毫安

PTF 10041

输出功率与电源电压

输出功率（瓦）

功率增益（ dB）的

= 125毫安

F = 1990 MHz的

输出功率（瓦）

电源电压（伏特）

三阶IMD与输出电网

-20

电容与电源电压

= 0 V

F = 1 MHz的

2.5

1.5

0.5

CDS和CGS （PF ）

-30

IMD （ DBC）

-40

-50

= 26 V，I

= 125毫安

= 1990.0兆赫，女

= 1990.1兆赫

-60

输出功率（瓦- PEP ）

电源电压（伏特）

偏置电压与温度的关系

1.03

1.02

电压nomalized至1.0 V

系列节目电流（ A）

偏置电压（ V）

1.01

1.00

0.99

0.98

0.97

0.96

0.95

0.94

-20

0.075

0.5

0.925

0.2875

0.7125

1.1375

100

TEMP 。（ ° C）

CDG （PF ）×

PTF 10041

阻抗数据

= 26 V ，P

OUT

= 12 W，I

= 125毫安

= 50

来源

LOAD

频率

兆赫

1750

1800

1850

1900

1950

2000

2050

来源

-3.2

-3.0

-3.5

-3.8

-4.2

-4.8

-5.2

3.9

4.2

3.5

2.7

3.2

3.1

2.7

2.80

3.10

2.50

2.55

2.60

2.50

2.60

LOAD

-0.4

-1.1

-1.5

-1.4

-0.9

-1.8

典型的散射参数

= 26 V，I

= 500 mA）的

（兆赫）

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

1100

1200

1300

1400

1500

1600

1700

1800

1900

2000

2100

2200

S11

MAG

0.820

0.814

0.865

0.892

0.913

0.927

0.938

0.945

0.954

0.960

0.970

0.974

0.977

0.978

0.983

0.987

0.991

0.994

0.992

0.991

S21

昂

-115

-126

-147

-156

-161

-165

-168

-171

-173

-175

-177

-179

180

178

177

176

174

173

172

171

169

168

S12

昂

105

-1

-5

-9

-13

-16

-20

-23

-27

-31

-35

S22

昂

-11

-20

-26

-29

-25

-13

MAG

27.4

22.3

12.9

8.73

6.34

4.79

3.70

2.92

2.36

1.94

1.62

1.38

1.18

1.02

0.894

0.788

0.702

0.631

0.571

0.520

0.477

0.440

MAG

0.012

0.010

0.008

0.007

0.005

0.003

0.004

0.005

0.006

0.007

0.008

0.009

0.010

0.011

0.012

0.013

0.014

MAG

0.584

0.583

0.653

0.730

0.791

0.851

0.887

0.895

0.908

0.914

0.933

0.944

0.953

0.959

0.963

0.964

0.970

0.973

0.976

0.978

0.980

昂

-80

-90

-112

-124

-132

-139

-146

-152

-156

-159

-161

-164

-166

-169

-171

-173

-174

-176

-178

-179

179

178

测试电路

PTF 10041

框图F = 2 GHz的

DUT

PTF 10041

0.141

2 GHz的

0.082

2 GHz的

0.041

2 GHz的

0.130

2 GHz的

0.169

2 GHz的

0.141

2 GHz的

0.269

2 GHz的

LDMOS晶体管

微带51.1

微带8.77

微带51.1

C1,C7

C2,C8

C3,C6, C9, C10

C11

C12

J1,J2

L1, L2

R1, R2

电路板

10uF的， 35 V

电容， Digi-Key询问PCS6106

0.1uF的， 50 V

电容， Digi-Key询问PCC 103 BCT

10 pF的

电容器， 100 B 100

1.0 pF的

电容器， 100 B 1R0

1.4 pF的

电容器， 100 B 1R4

0.9 pF的

电容器， 100 B 0R9

1.5 pF的

电容器， 100 B 1R5

连接器， SMA ，女，面板安装

4圈， 20 AWG ， 0.120内径DIA

铁氧体的6mm

菲利普斯53/3 / 4.6-452

电阻器， 220ohmDigi键220ZTR

电阻器， 1欧姆，含铅向Digi-Key 1.0QBK

.031 ＆ QUOT ;厚，

= 4.0 ， G200 ，联信， 2盎司铜

装配图（不按比例）

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