【PTF 1000985瓦， 1.0 GHz的GOLDMOS场效应晶体管描述该PTF 10009是一个】,IC型号PTF10009,PTF10009 PDF资料,PTF10009经销商,ic,电子元器件-51电子网

PTF 10009

85瓦， 1.0 GHz的

GOLDMOS

场效应晶体管

描述

该PTF 10009是一个85瓦的LDMOS FET用于大信号

放大器应用到1.0 GHz的。它工作在50 ％的效率和

13.0分贝增益。氮化物表面钝化和全镀金

用于确保优异的器件寿命和可靠性。

在960 MHz时， 28伏的表现

- 输出功率= 85瓦

- 功率增益= 13.0分贝典型值

- 效率= 50％，典型值

全镀金

氮化硅钝化

优良的热稳定性

100％的批次追踪

典型的输出功率和效率与输入功率

100

90

输出功率（ W）

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

效率（％）

80

72

64

56

48

40

32

24

16

8

0

输出功率

效率

1234

1000

5697

44

9

V

DS

= 28 V

I

DQ

= 600 mA的总

F = 960 MHz的

输入功率（瓦）

包20230

最大额定值

参数

漏源电压

(1)

栅源电压

(1)

工作结温

器件总功耗

高于25 °C减免了

存储温度范围

热阻（T

例

= 70°C)

(1)

每面

符号

V

DSS

V

GS

T

J

P

D

T

英镑

R

QJC

价值

65

±20

200

270

1.54

-65到150

0.65

单位

VDC

°C

瓦

W / ℃，

°C

° C / W

在T公布的所有数据

例

= 25°C ，除非另有说明。

e

1

PTF 10009

电气特性

特征

（每侧）

条件

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

V

GS （ TH）

g

fs

e

（ 100 ％测试，特性，每边所示的条件和限制）

民

65

—

3.0

—

典型值

—

2.8

最大

—

1.0

5.0

—

单位

伏

mA

伏

SIEMENS

漏源击穿电压V

GS

= 0 V，I

D

= 25毫安

漏极 - 源极漏电流

栅极阈值电压

正向跨导

V

DS

= 28 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 75毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 3 A

动态特性

特征

（每侧）

输入电容

(V

DS

= 28 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

输出电容

(V

DS

= 28 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

反向传输电容

(V

DS

= 28 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

符号

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

民

—

典型值

90

36

1.9

最大

—

单位

pF

RF连接特定的阳离子

（ 100％测试）

特征

收益

(V

DD

= 28 V ，噘= 85 W，I

DQ

= 600 mA时， F = 960兆赫）

漏EF网络效率

(V

DD

= 28 V ，噘= 85 W，I

DQ

= 600 mA时， F = 960兆赫）

负载不匹配公差

(V

DD

= 28 V ，噘= 85 W，I

DQ

= 600 mA时， F = 960 MHz-

所有相位角在测试的频率）

符号

G

ps

h

Y

民

12.0

47

—

典型值

13.0

50

—

最大

—

5:1

单位

dB

%

—

阻抗数据

（图示为固定宽带调谐电路的数据）

(V

DD

= 28 V ，噘= 85 W，I

DQ

= 600 mA）的

来源

D

LOAD

G

S

D

频率

兆赫

860

900

960

1000

R

来源

W

jX

-0.78

-0.05

0.69

1.35

R

1.76

1.80

1.58

1.39

LOAD

W

jX

-1.50

-0.78

0.36

1.41

2

5.00

4.80

4.24

3.95

Z

0

= 50

W

e

典型性能

增益与输出功率

20.0

17.5

15.0

PTF 10009

互调失真与输出功率

-10

V

DS

= 28V

-20

I

DQ

= 600 mA的总

f

1

= 960.0兆赫

f

2

= 960.1兆赫

3阶

增益（dB ）

IMD （ DBC）

-30

-40

12.5

10.0

7.5

5.0

0

20

40

60

80

100

5th

V

DS

= 28 V

I

DQ

= 600毫安总

F = 960 MHz的

7th

-50

-60

0

20

40

60

80

100

输出功率（瓦）

输出功率（瓦- PEP ）

输出功率与漏源电压

100

增益与频率

（测量在宽带电路）

14

输出功率（瓦）

95

90

13

增益（dB ）

85

80

75

70

65

22

24

26

28

30

32

34

12

V

DS

= 28 V

11

I

DQ

= 600 mA的总

F = 960 MHz的

I

DQ

= 600 mA的总

噘嘴= 85W。

910

920

930

940

950

960

10

900

漏源极电压（伏特）

频率（MHz）

偏置电压与温度的关系

1.03

1.02

偏置电压（ V）

1.01

1.00

0.43

电压标准化为1.0 V

系列节目电流（ A）

0.99

0.98

0.97

0.96

0.95

-20

30

80

TEMP 。（ ° C）

1.25

2.08

2.9

3.71

4.53

130

3

PTF 10009

典型的散射参数

(V

DS

= 28 V，I

D

1.0 =每边一个）

e

S11

S21

昂

-153

-160

-163

-164

-165

-164

-163

-164

-165

-166

-167

-168

-170

-171

-173

-174

-176

-177

-178

-179

180

179

f

（兆赫）

40

60

80

100

150

200

250

300

350

400

450

500

550

600

650

700

750

800

850

900

950

1000

1050

1100

1150

1200

1250

1300

1350

1400

1450

1500

S12

昂

93

85

80

76

65

58

51

45

41

36

33

30

27

26

22

21

19

16

14

12

14

8

3

6

1

4

-5

-3

5

-8

S22

昂

3

1

-6

-13

-18

-23

-31

-28

-33

-36

-52

-46

-53

-27

-18

-13

14

-1

30

53

59

56

69

57

65

56

61

52

59

58

62

MAG

0.883

0.878

0.876

0.884

0.904

0.915

0.934

0.947

0.962

0.975

0.974

0.977

0.979

0.985

0.981

0.980

0.975

0.973

0.972

0.969

0.966

0.969

0.970

0.971

0.973

0.972

0.965

MAG

33.0

21.8

16.1

12.8

8.21

5.67

4.36

3.41

2.78

2.30

1.90

1.65

1.44

1.28

1.14

1.01

0.924

0.809

0.749

0.656

0.609

0.564

0.526

0.450

0.405

0.383

0.351

0.330

0.308

0.255

0.219

0.210

MAG

0.014

0.013

0.012

0.011

0.010

0.008

0.006

0.005

0.004

0.003

0.004

0.003

0.001

0.003

0.002

0.003

0.004

0.005

0.006

MAG

0.527

0.533

0.553

0.574

0.638

0.694

0.769

0.792

0.837

0.873

0.874

0.912

0.916

0.925

0.933

0.936

0.946

0.939

0.946

0.948

0.945

0.949

0.955

0.953

0.952

0.959

0.957

0.963

0.965

0.957

昂

-143

-148

-150

-148

-149

-148

-149

-150

-151

-152

-154

-156

-157

-158

-160

-162

-164

-167

-168

-169

-170

-171

-172

4

e

测试电路

PTF 10009

示意图对于f = 960 MHz的

DUT

C1-2, C5-6, C9, C12-13, C17

C3

C4

C7, C10

C8, C11, C14, C18

C15, C16, C19, C20

L1. L2

R1, R2, R4, R5

R3, R6

l

1,

l

22

10009

33 pF的，电容ATC 100 B

11 pF的，电容ATC 100 B

6.0 pF的，可变电容，江铃汽车5701

10

MF，

+ 10V电解电容

0.01

MF，

电容ATC 100 B

10

MF，

+ 30V电解电容

4打开，＃ 20 AWG ， 0.120 “内径

1.0 K,

W

电阻器

5.1 K, 1/4

W

电阻器

50

W,

.030

l

2,

l

21

l

3,

l

20

l

4,

l

19

l

5,

l

6

l

7,

l

10

l

8,

l

9

l

11,

l

12

l

13,

l

14

l

15,

l

16

l

17,

l

18

电路板

20

W,

.080

l

32

W,

.191

l

25

W,

.500

l

25

W,

.091

l

7

W,

.056

l

13.0

W,

.017

l

13.0

W,

.017

l

7.0

W,

.064

l

10.0

W,

.029

l

19.0

W,

.028

l

0.031"介质厚度，

e

r

= 4.0,

联信公司， G200 ， 2盎司铜

零部件布局（不按比例）

5