发展PTF080601
LDMOS射频功率场效应晶体管
60 W， 860-960兆赫
描述
该PTF080601是一个60 -W ，内部匹配
GOLDMOS
FET意
对EDGE和CDMA应用在860至960 MHz频段。全金
金属确保优良的器件的寿命和可靠性。
典型的边缘调制频谱性能
国防部频谱与输出功率
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 550 mA时， F = 959.8兆赫
-20
效率
50
45
40
35
30
400KHz
25
20
600KHz
15
10
5
32
34
36
38
40
42
44
46
特点
宽带内部匹配
典型的边缘表现
- 平均输出功率= 30瓦
- 增益= 18分贝
- 效率= 40％
典型CW性能
- 输出功率为P - 1分贝= 90瓦
- 增益= 17分贝
- 英法fi效率= 60 ％
集成ESD保护：人体
模型中， 1级（最低）
优良的热稳定性
低HCI漂移
能够处理10 ： 1 VSWR @ 28 V ，
60 W（ CW）输出功率
调制谱（ dB）的
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
效率（％）
PTF080601A
包20248
PTF080601E
包30248
PTF080601F
包31248
输出功率（dBm ）
射频特性
在T
例
= 25 ° C除非另有说明
双色测量
（英飞凌测试夹具测试）
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 550毫安， P
OUT
= 60瓦PEP ，女
C
= 960 MHz的音调间隔= 1000千赫
特征
收益
漏EF网络效率
互调失真
符号
G
ps
η
D
IMD
民
—
—
—
典型值
18
42
–32
最大
—
—
—
单位
dB
%
dBc的
EDGE测量
（不受生产测试VERI网络设计/表征在网络霓虹测试网络连接夹具版）
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 550毫安， P
OUT
= 30 W， F = 959.8兆赫
特征
误差矢量幅度
调制频谱@ 400千赫
调制频谱@ 600千赫
收益
漏EF网络效率
发展数据表
1
符号
EVM （ RMS ）
ACPR
ACPR
G
ps
η
D
民
—
—
—
—
—
典型值
2.0
–61
–74
18
40
最大
—
—
—
—
—
单位
%
dBc的
dBc的
dB
%
2003-12-05
发展PTF080601
TYPE
PTF080601A
PTF080601E
PTF080601F
包装外形
20248
30248
31249
包装说明
标准的陶瓷，法兰
热增强型，法兰
热增强型，无凸缘
记号
PTF080601A
PTF080601E
PTF080601F
封装外形特定网络阳离子
包20248
查找有关产品和包装的。在网络连接霓虹灯互联网页最新，最完整的信息
http://www.in网络neon.com/rfpower
发展数据表
3
2003-12-05
发展PTF080601
封装外形特定网络阳离子
包30248
(45° X 2.72
[.107])
C
L
D
S
9.78
[.385]
19.43 ±0.51
[.765±.020]
+0.10
LID 9.40 -0.15
C
L
+.004
[.370 -.006
]
2X 4.83±0.51
[.190±.020]
G
2X R1.63
[.064]
4X R1.52
[.060]
2X 12.70
[.500]
27.94
[1.100]
1.02
[.040]
19.81±0.20
[.780±.008]
SPH 1.57
[.062]
3.76±0.38
[.140±.015]
0.025 [.001] -A-
34.04
[1.340]
0.51
[.020]
ERA-H-30248
注：除非另有规定编
1.解释每ASME Y14.5M - 1994的尺寸和公差。
2.主要尺寸为毫米。备用尺寸为英寸。
3.引脚： D =漏， S =源，G =门
4.铅厚度： 0.10 ± 0.051 / 0.025 [ 0.004 ± 0.002 / 0.001 ]
5.盖子是公差参考线索。
查找有关产品和包装的。在网络连接霓虹灯互联网页最新，最完整的信息
http://www.in网络neon.com/rfpower
发展数据表
4
2003-12-05
发展PTF080601
封装外形特定网络阳离子
包31248
注：除非另有规定编
1.解释每ASME Y14.5M - 1994的尺寸和公差。
2.主要尺寸为毫米。备用尺寸为英寸。
3.引脚： D =漏， S =源，G =门
4.铅厚度： 0.10 ± 0.051 / 0.025 [ 0.004 ± 0.002 / 0.001 ]
5.盖子是公差参考线索。
查找有关产品和包装的。在网络连接霓虹灯互联网页最新，最完整的信息
http://www.in网络neon.com/rfpower
发展数据表
5
2003-12-05
PTF080601E
PTF080601F
热增强型高功率射频LDMOS FET的
60 W， 860 - 960兆赫
描述
该PTF080601E和PTF080601F是60瓦，内部匹配
GOLDMOS
FET的用于在860至EDGE和CDMA应用
960 MHz频段。热增强型封装提供最酷的OP-
关合作成为可能。全镀金，确保优异的器件寿命
和可靠性。
PTF080601E
包30265
PTF080601F*
包31265
EDGE调制频谱性能
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 550 mA时， F = 959.8兆赫
特点
热增强型封装
宽带内部匹配
典型的边缘表现
- 平均输出功率= 30瓦
- 增益= 18分贝
- 效率= 40％
典型CW性能
- 输出功率为P - 1分贝= 90瓦
- 增益= 17分贝
- 英法fi效率= 60 ％
集成ESD保护：人体
模型中， 1级（最低）
优良的热稳定性
低HCI漂移
能够处理10 ： 1 VSWR @ 28 V ，
60 W（ CW）输出功率
55
0
排水 FFI效率（ ％ ）
调制谱（ dB）的
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
32
T
例
= 25°C
T
例
= 90°C
效率
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
48
400千赫
600千赫
34
36
38
40
42
44
46
输出功率（dBm ）
ESD ：
静电放电敏感器件，观察处理
注意事项！
射频特性
在T
例
= 25 ° C除非另有说明
EDGE测量
（不受生产测试VERI网络设计/表征在网络霓虹测试网络连接夹具版）
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 550毫安， P
OUT
= 30 W， F = 959.8兆赫
特征
误差矢量幅度
调制频谱@ 400千赫
调制频谱@ 600千赫
收益
漏EF网络效率
符号
EVM （ RMS ）
ACPR
ACPR
G
ps
η
D
民
—
—
—
—
—
典型值
2.0
–61
–74
18
40
最大
—
—
—
—
—
单位
%
dBc的
dBc的
dB
%
*请参阅英飞凌经销商对未来的可用性。
数据表
1 10
2004-08-03
QQ：2881677436 复制
