PTB32003X
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI PTB32003X
是专为
公共基础通用
放大器应用高达4.2 GHz的。
包装风格.250 2L FLG
A
D
C
E
.060 x 45°
倒角
功能包括：
扩散发射极镇流电阻器
法兰密封包装
黄金Metelization
B
G
L
H
J
F
I
K
M
NP
最大额定值
I
C
V
CBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
500毫安
40 V
7.6 W @ T
C
= 75 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65℃ + 200 ℃，
12 ° C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
P
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.028 / 0.71
.740 / 18.80
.245 / 6.22
.128 / 3.25
.125 / 3.18
.110 / 2.79
.117 / 2.97
.560 / 14.22
.790 / 20.07
.225 / 5.72
.165 / 4.19
.003 / 0.08
.058 / 1.47
.119 / 3.02
.149 / 3.78
.032 / 0.81
.255 / 6.48
.132 / 3.35
.117 / 2.97
.570 / 14.48
.810 / 20.57
.235 / 5.97
.185 / 4.70
.007 / 0.18
.068 / 1.73
.135 / 3.43
.187 / 4.75
特征
符号
BV
CBO
BV
CES
I
CBO
I
EBO
C
cb
C
ce
P
OUT
η
C
G
P
T
C
= 25 °C
测试条件
I
C
= 2.0毫安
I
C
= 10毫安
V
CE
= 24 V
V
EB
= 1.5 V
V
CB
= 24 V
V
CB
= 24 V
V
EB
= 1.5 V
V
EB
= 1.5 V
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 MHz的
最小典型最大
40
40
20
0.4
3.0
0.6
2.5
35
8.0
单位
V
V
A
A
pF
pF
W
%
dB
V
CC
= 24 V
F = 3.0 GHz的
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本B
1/1
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
特点
扩散发射极镇流电阻，提供出色的
电流共享和承受高VSWR
叉指结构提供了高效率的发射器
多单元的几何形状给人消散良好的平衡
功率和低热阻
局部厚的氧化自动校准过程和黄金
夹心金属确保最佳的温度
简介和出色的性能和可靠性。
应用
共基极， B类功率放大器高达4.2千兆赫。
描述
olumns
PTB32001X ; PTB32003X ;
PTB32005X
钉扎 - SOT440A
针
1
2
3
集热器
辐射源
底座连接到FL法兰
描述
1
c
b
NPN硅平面外延微波功率晶体管
金属陶瓷SOT440A法兰封装基地
连接到所述凸缘。
顶视图
3
2
MAM131
e
记号
类型编号
PTB32001X
PTB32003X
PTB32005X
标识代码
3201X
3203X
3205X
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
微波性能达至T
mb
= 25
°C
在共基极B类电路。
类型编号
PTB32001X
PTB32003X
PTB32005X
的模式
手术
CW
CW
CW
3
3
3
f
（千兆赫）
24
24
24
V
CC
(V)
P
L
(W)
≥1.3
≥2.5
≥4.5
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的板坯不被损坏。
所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
≥8
≥8
≥8
G
po
（ dB）的
η
C
(%)
≥35
≥35
≥35
Z
i
()
15 + j31
5.5 + j29
2.8 + j20
Z
L
()
5.5 + j10
5
j2.2
4
j7
1997年02月18
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
特征
T
mb
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） CBO
参数
集电极 - 基极击穿电压
PTB32001X
PTB32003X
PTB32005X
V
（ BR ） CES
I
CBO
集电极截止电流
PTB32001X
PTB32003X
PTB32005X
I
EBO
发射极截止电流
PTB32001X
PTB32003X
PTB32005X
C
cb
集电极 - 基极电容
PTB32001X
PTB32003X
PTB32005X
C
ce
集电极 - 发射极电容
PTB32001X
PTB32003X
PTB32005X
I
E
= I
C
= 0; V
CB
= 24 V;
V
EB
= 1.5 V ; F = 1 MHz的
I
E
= I
C
= 0; V
CB
= 24 V;
V
EB
= 1.5 V ; F = 1 MHz的
I
E
= I
C
= 0; V
CB
= 24 V;
V
EB
= 1.5 V ; F = 1 MHz的
I
E
= I
C
= 0; V
CB
= 24 V;
V
EB
= 1.5 V ; F = 1 MHz的
I
E
= I
C
= 0; V
CB
= 24 V;
V
EB
= 1.5 V ; F = 1 MHz的
I
E
= I
C
= 0; V
CB
= 24 V;
V
EB
= 1.5 V ; F = 1 MHz的
V
EB
= 1.5 V ;我
C
= 0
V
EB
= 1.5 V ;我
C
= 0
V
EB
= 1.5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 24 V ;我
E
= 0
V
CE
= 24 V ;我
E
= 0
V
CE
= 24 V ;我
E
= 0
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
I
C
= 2毫安;我
E
= 0
I
C
= 3毫安;我
E
= 0
条件
PTB32001X ; PTB32003X ;
PTB32005X
分钟。
40
40
40
40
典型值。
2.2
3
3.8
马克斯。
10
20
30
0.2
0.4
0.6
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
pF
pF
pF
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 10毫安;
BE
= 0
0.3
0.6
0.9
pF
pF
pF
应用信息
微波性能在共基极B类选择性扩增fi er电路;见注1 。
的模式
手术
B级（ CW）
类型编号
PTB32001X
PTB32003X
PTB32005X
记
1.电路组成prematching电路板结合的互补输入与输出的铁芯调谐器的。
3
3
3
f
（千兆赫）
24
24
24
V
CC
(V)
P
L
(W)
>1.3 ; （典型值） 。 1.8
>2.5 ; （典型值） 。 3.0
>4.5 ; （典型值） 。 5.5
G
po
（ dB）的
>8 ; （典型值） 。 9.5
>8 ; （典型值） 。 9.5
>8 ; （典型值） 。 9.5
η
C
(%)
>35 ; （典型值） 。 45
>35 ; （典型值） 。 45
>35 ; （典型值） 。 45
1997年02月18
5
QQ：2880707522 复制
