飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
特点
扩散发射极镇流电阻，提供出色的
电流共享和承受高VSWR
叉指结构提供了高效率的发射器
多单元的几何形状给人消散良好的平衡
功率和低热阻
局部厚的氧化自动校准过程和黄金
夹心金属确保最佳的温度
简介和出色的性能和可靠性。
应用
共基极， B类功率放大器高达4.2千兆赫。
描述
NPN硅平面外延微波功率晶体管
金属陶瓷SOT440A法兰封装基地
连接到所述凸缘。
olumns
PTB23001X ; PTB23003X ;
PTB23005X
钉扎 - SOT440A
针
1
2
3
集热器
辐射源
底座连接到FL法兰
描述
1
c
b
3
2
顶视图
MAM131
e
记号
类型编号
PTB23001X
PTB23003X
PTB23005X
标识代码
2301X
2303X
2305X
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
微波性能达至T
mb
= 25
°C
在共基极B类电路。
类型编号
PTB23001X
PTB23003X
PTB23005X
的模式
手术
CW
CW
CW
2
2
2
f
（千兆赫）
24
24
24
V
CC
(V)
≥1
≥3
≥5
WARNING1
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的板坯不被损坏。
所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
P
L
(W)
≥7
≥8.75
≥9.2
G
po
（ dB）的
η
C
(%)
≥45
≥45
≥50
Z
i
()
8 + j14
2.5 + j14
1.9 + j12
Z
L
()
8 + j20
8 + j6
7.5 + j3
1997年2月19日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
特征
T
mb
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） CBO
参数
集电极 - 基极击穿电压
PTB23001X
PTB23003X
PTB23005X
V
（ BR ） CES
I
CBO
集电极截止电流
PTB23001X
PTB23003X
PTB23005X
I
EBO
发射极截止电流
PTB23001X
PTB23003X
PTB23005X
C
cb
集电极 - 基极电容
PTB23001X
PTB23003X
PTB23005X
C
ce
集电极 - 发射极电容
PTB23001X
PTB23003X
PTB23005X
I
E
= I
C
= 0; V
CB
= 24 V;
V
EB
= 1.5 V ; F = 1 MHz的
I
E
= I
C
= 0; V
CB
= 24 V;
V
EB
= 1.5 V ; F = 1 MHz的
I
E
= I
C
= 0; V
CB
= 24 V;
V
EB
= 1.5 V ; F = 1 MHz的
I
E
= I
C
= 0; V
CB
= 24 V;
V
EB
= 1.5 V ; F = 1 MHz的
I
E
= I
C
= 0; V
CB
= 24 V;
V
EB
= 1.5 V ; F = 1 MHz的
I
E
= I
C
= 0; V
CB
= 24 V;
V
EB
= 1.5 V ; F = 1 MHz的
V
EB
= 1.5 V ;我
C
= 0
V
EB
= 1.5 V ;我
C
= 0
V
EB
= 1.5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 24 V ;我
E
= 0
V
CE
= 24 V ;我
E
= 0
V
CE
= 24 V ;我
E
= 0
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
I
C
= 2毫安;我
E
= 0
I
C
= 3毫安;我
E
= 0
条件
PTB23001X ; PTB23003X ;
PTB23005X
分钟。
40
40
40
40
典型值。
2.2
3
3.8
马克斯。
10
20
30
0.2
0.4
0.6
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
pF
pF
pF
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 10毫安;
BE
= 0
0.3
0.6
0.9
pF
pF
pF
应用信息
微波性能在共基极B类选择性扩增fi er电路;见注1 。
的模式
手术
B级（ CW）
类型编号
PTB23001X
PTB23003X
PTB23005X
记
1.电路组成prematching电路板结合的互补输入与输出的铁芯调谐器的。
2
2
2
f
（千兆赫）
24
24
24
V
CC
(V)
P
L
(W)
>1 ; （典型值） 。 1.8
>3 ; （典型值） 。 4
>5 ; （典型值） 。 7
G
po
（ dB）的
>7 ; （典型值） 。 9
>8.75 ; （典型值） 。 10
>9.2 ; （典型值） 。 11
η
C
(%)
>45 ; （典型值） 。 50
>45 ; （典型值） 。 50
>40 ; （典型值） 。 50
1997年2月19日
5
PTB23005X
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI PTB23005X
是专为
通用C级电源
放大器的应用高达2300 MHz的。
包装风格.250 2L FLG
A
D
C
E
.060 x 45°
倒角
B
产品特点：
P
G
= 10分贝分钟。在5W / 2,000 MHz的
密封包装微带
Omnigold
金属化系统
暗淡
G
L
H
J
F
I
K
M
NP
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
最大额定值
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
O
A
B
C
D
E
.028 / 0.71
.740 / 18.80
.245 / 6.22
.128 / 3.25
.125 / 3.18
.110 / 2.79
.117 / 2.97
.560 / 14.22
.790 / 20.07
.225 / 5.72
.165 / 4.19
.003 / 0.08
.058 / 1.47
.119 / 3.02
.149 / 3.78
.032 / 0.81
.255 / 6.48
.132 / 3.35
.117 / 2.97
.570 / 14.48
.810 / 20.57
.235 / 5.97
.185 / 4.70
.007 / 0.18
.068 / 1.73
.135 / 3.43
.187 / 4.75
1.0 A
35 V
29 W @ T
C
= 25 C
-65℃至+ 200C
-65℃至+ 200C
8.5 C / W
O
O
O
O
F
G
H
I
J
K
L
M
N
P
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
P
G
η
C
T
C
= 25 C
O
NONETEST
条件
I
C
= 1.0毫安
I
C
= 5.0毫安
I
E
= 1.0毫安
V
CB
= 28 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CC
= 28 V
P
OUT
= 5.0 W
I
C
= 500毫安
F = 1.0 MHz的
F = 2.0 GHz的
R
BE
= 10
最小典型最大
45
45
3.5
2.5
30
120
5.0
10
35
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/2
错误！未找到引用源。
PTB23005X
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
2/2
QQ：2881677436 复制
