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e
PTB 20190
175瓦, 470-806兆赫
数字电视功率晶体管
描述
该20190是一种AB类, NPN型,共发射极RF功率晶体管
在整个470 806 MHz的UHF电视用于28伏直流操作
频带。额定175瓦的输出功率,它是专门
打算在125瓦特P-同步操作未校正(测试环境影响评估
标准4.1.3 ,第5节,为AB类的发射机在125方法B
瓦的P-同步)或至少为175瓦的PEP的应用程序。它
也可以在类似的功率水平为亚视操作基础广泛
铸造。离子注入,氮化物表面钝化和金metalli-
矩阵特殊积确保优异的器件的可靠性。 100 %,很多可追溯性
标准。
175瓦, 470-806兆赫
AB类特点
在175瓦50 %集热效率
镀金
氮化硅钝化
典型增益与频率
10.5
10.0
9.5
增益(dB )
9.0
8.5
8.0
7.5
470
201
90
LOT
鳕鱼
E
V
CC
= 28 V
I
CQ
= 2×百毫安
噘嘴= 175W的
526
582
638
694
750
806
频率(MHz)
包20224
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流(连续)
在Tflange器件总功耗= 25°C
高于25 °C减免了
存储温度范围
热电阻( Tflange = 70 ° C)
T
英镑
R
θJC
符号
V
CER
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
价值
40
60
4.0
25.0
330
1.89
-40到+150
0.53
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W / ℃,
°C
° C / W
1
9/28/98
PTB 20190
电气特性
特征
击穿电压C到é
击穿电压C到é
击穿电压E到B
直流电流增益
( 100%测试)
e
条件
I
B
= 0 ,我
C
= 100毫安
V
BE
= 0 V,I
C
= 100毫安
I
C
= 0 ,我
E
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 1.0 A
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CES
V
( BR ) EBO
h
FE
25
55
3.5
20
典型值
30
60
5
50
最大
100
单位
RF连接特定的阳离子
( 100%测试)
特征
收益
(V
CC
= 28伏直流电,P
OUT
= 50瓦,我
CQ
= 2×100 mA时, F = 800兆赫)
收藏家EF网络效率
(V
CC
= 28伏直流电,P
OUT
= 125 W,I
CQ
= 2×100 mA时, F = 800兆赫)
互调失真(双色)
(V
CC
= 28伏直流电,P
OUT
= 125 W( PEP ) ,我
CQ
= 2×100毫安,
F = 800 MHz时,
f
= 1.0兆赫)
在通道互调失真
(P - SYNC = 125 W +听力,
EIA标准4.1.3教5方法B )
负载不匹配公差
(V
CC
= 28伏直流电,P
OUT
= 125 W( PEP ) ,我
CQ
= 2×100毫安,
F = 800兆赫,所有相位角在测试的频率)
符号
G
pe
8.0
典型值
9.5
45
40
最大
单位
dB
%
dBc的
η
C
IMD
IM产品
+/- 920千赫
Ψ
-52
dB
P-同步
3:1
阻抗数据
V
CC
= 28伏直流电,P
OUT
= 175瓦,我
CQ
= 2×百毫安
来源
LOAD
频率
兆赫
470
630
800
R
1.87
0.76
2.12
来源
jX
-4.1
-3.9
-3.8
R
2.42
3.34
2.72
LOAD
jX
1.74
-1.49
-3.36
Z
0
= 50
2
5/11/98
e
典型特征
IMD与频率
-30
PTB 20190
2音PEP (分贝)
-35
-40
-45
噘嘴= 125 W( PEP )
V
CC
= 28 V
-50
470
525
580
635
690
745
800
频率(MHz)
测试电路
框图F = 800 MHz的
Q1
l
1,
l
2
l
5,
l
6
l
3,
l
4
l
7,
l
8
l
9,
l
10
l
11,
l
12
l
13,
l
14
l
15,
l
16
l
17,
l
18
T1, T2
PTB 20190
.0280
λ
800兆赫
.0522
λ
800兆赫
.0654
λ
800兆赫
.0632
λ
800兆赫
.0652
λ
800兆赫
.0652
λ
800兆赫
.0300
λ
800兆赫
.0250
λ
800兆赫
.0454
λ
800兆赫
UT85-25
NPN晶体管RF
微带18.5
微带18.5
微带70
微带10.2
微带8
微带9
微带11.5
微带60
微带18.5
平衡不平衡转换器
3
5/11/98
C1, C2
5.1 pF的
C3, C12, C8, C20
10 μF , 35 V
贴片电容
C4, C7, C19, C16
0.1 F
C5, C6, C17, C18, C21, C22
75 pF的
C9, C10
0-10 pF的
C11
0-20 pF的
R1, R2
15
,
1/4 W
FB
4 mm.
SMT铁氧体
L1, L3
12 nH的
SMT电感器
L2, L4
68 nH的
SMT电感器
电路板
.031 G-200 ,固铜底
PTB 20190
e
艺术品(1英寸
)
爱立信组件
RF功率产品
675贾维斯驱动器
摩根山, CA 95037 USA
电话: 408-778-9434
1-877-GOLDMOS
(1-877-465-3667)
电子邮件: rfpower@ericsson.com
www.ericsson.com/rfpower
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
LF
1996爱立信公司
EUS / KR 1301- PTB 20190 UEN版本C 98年9月28日
4
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