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e
PTB 20101
175瓦P-同步， 470-860兆赫
UHF电视功率晶体管
描述
该20101是一个AB类， NPN ，共发射极UHF TV电源
晶体管适用于从470到860 MHz的28伏直流操作。这是
额定功率为175瓦特P-同步最小输出功率。离子注入，
氮化物表面的钝化和金属化金用于确保
优良的器件的可靠性。 100 ％，很多可追溯性标准。
28伏， 860 MHz的特点
- 输出功率= 175瓦P-同步
- 输出功率= 110 （ CW）
- 增益= 10.0分贝敏
在110瓦55％的集热效率
AB类特点
镀金
氮化硅钝化
典型增益与频率
13
12
（测量在宽带电路）
增益（dB ）
11
10
201
01
LOT
鳕鱼
E
V
CC
= 28 V
9
8
400
I
CQ
= 2× 200毫安
噘嘴= 110瓦特
500
600
700
800
900
频率（MHz）
包20224
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流（连续）
在Tflange器件总功耗= 25°C
高于25 °C减免了
存储温度范围
热电阻（ Tflange = 70 ° C）
T
英镑
R
θJC
符号
V
CER
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
价值
40
65
4.0
20
330
1.89
-40到+150
0.53
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
° C / W
1
9/28/98
PTB 20101
电气特性
特征
击穿电压C到é
击穿电压C到é
击穿电压E到B
直流电流增益
（ 100％测试）
e
条件
I
B
= 0 ，我
C
= 100毫安
V
BE
= 0 V，I
C
= 100毫安
I
C
= 0 ，我
E
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 1 A
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） EBO
h
FE
C
ob
民
25
55
3.5
20
—
典型值
30
70
5
50
85
最大
—
—
—
100
—
单位
伏
伏
伏
—
pF
输出电容（每边）V
CB
= 28 V，I
E
= 0 ， F = 1兆赫
RF连接特定的阳离子
（ 100％测试）
特征
输出功率（P同步）
(V
CC
= 28伏直流，我
CQ
=每边200毫安， F = 860兆赫）
收益
(V
CC
= 28伏直流，噘= 110 W，I
CQ
=每边200毫安，
F = 860兆赫）
收藏家EF网络效率
(V
CC
= 28伏直流，噘= 110 W，I
CQ
=每边200毫安，
F = 860兆赫）
负载不匹配公差
(V
CC
= 28伏直流，噘= 175 W，I
CQ
=每边200毫安，
F = 860兆赫，所有相位角在测试的频率）
Ψ
—
—
5:1
—
符号
噘
G
pe
民
175
10.0
典型值
—
11
最大
—
—
单位
瓦
dB
η
C
55
58
—
%
阻抗数据
（图示为固定宽带调谐电路的数据）
(V
CC
= 28伏直流，噘= 110 W，I
CQ
= 200每侧毫安）
来源
LOAD
频率
兆赫
450
550
650
750
850
R
0.4
0.5
0.7
1.8
2.7
来源
jX
-1.0
-1.3
-1.8
-2.0
-0.5
R
2.0
1.6
1.3
1.0
0.9
LOAD
jX
0.3
0.0
0.0
-0.8
-1.2
2
9/28/98
e
典型性能
效率与频率
60
58
PTB 20101
（测量在宽带电路）
效率（％）
56
54
52
50
400
V
CC
= 28 V
I
CQ
= 2× 200毫安
噘嘴= 110瓦特
500
600
700
800
900
频率（MHz）
爱立信组件
RF功率产品
675贾维斯驱动器
摩根山， CA 95037 USA
电话： 408-778-9434
1-877-GOLDMOS
(1-877-465-3667)
电子邮件： rfpower@ericsson.com
www.ericsson.com/rfpower
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
LF
爱立信AB组件1994年
EUS / KR 1301- PTB 20201 UEN Rev. D的98年9月28日
3
PTB20101
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI PTB20101
是专为
AB通用类电源
放大器的应用高达860兆赫。
包装样式0.860 4L FLG
产品特点：
175 W， 470-860兆赫
氮化硅钝化
Omnigold
金属化系统
最大额定值
I
C
V
CBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
20 A
65 V
330 W @ T
C
= 25 °C
-40 ° C至+150°C
-40 ° C至+150°C
0.53 ° C / W
1,5 =集热器
3 =发射器
2,4 = BASE
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CES
BV
EBO
h
FE
C
OB
P
G
η
C
P
OUT
Ψ
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
I
C
= 100毫安
I
C
= 100毫安
I
E
= 5.0毫安
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CC
= 28 V
I
CQ
= 2×200毫安
V
CC
= 28 V
I
CQ
= 2×200毫安
P
OUT
= 110 W
I
C
= 1.0 A
F = 1.0 MHz的
F = 860 MHz的
最小典型最大
25
55
3.5
20
3.5
8.5
55
175
5
11
58
5:1
100
单位
V
V
V
---
pF
dB
%
W
---
P
OUT
= 175 W
F = 860 MHz的
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本C
1/1
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